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Fe-Cr-Si系合金是一種新型耐磨耐腐蝕的材料,具有較好的發(fā)展前景。按要求回答下列問題。
(1)基態(tài)Cr2+與Fe的未成對電子數(shù)之比為
1:1
1:1
。試從電子排布角度分析水溶液中Fe2+具有強(qiáng)還原性
Fe2+的價電子排布為3d6,易失去1個電子,形成3d5,半滿排布相對較穩(wěn)定,故Fe2+具有強(qiáng)還原性
Fe2+的價電子排布為3d6,易失去1個電子,形成3d5,半滿排布相對較穩(wěn)定,故Fe2+具有強(qiáng)還原性
。若是形成將其轉(zhuǎn)化為(NH42Fe(SO42,在空氣中相對穩(wěn)定,SO42-的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體
。
(2)由環(huán)戊二烯(C5H6菁優(yōu)網(wǎng))與FeCl2在一定條件下反應(yīng)得到二茂鐵[雙環(huán)戊二烯基合亞鐵,F(xiàn)e(C5H52],已知C5H5-的空間構(gòu)型為所有碳原子一定處于同一平面,指出碳原子的雜化形式為
sp2
sp2
,結(jié)構(gòu)中的大π鍵可用符號表示π,其中m代表參與形成大π鍵的原子數(shù),n代表參與形成大π鍵的電子數(shù)(如苯分子中的大π鍵可表示為π66)。則C5H5-結(jié)構(gòu)中含有的大π鍵可表示為
π
6
5
π
6
5
。
(3)某含鉻配合物,[Cr3O(CH3COO)6(H2O)3]Cl?8H2O,指出其中Cr的化合價為
+3
+3
。幾種Cr的鹵化物的部分性質(zhì)如下表所示。
鹵化物 CrCl3 CrBr3 CrI3
熔點(diǎn)/℃ 1150 600
試預(yù)測CrBr3的熔點(diǎn)范圍
1150℃<熔點(diǎn)<600℃
1150℃<熔點(diǎn)<600℃

(4)某晶體中含有K+、Ni2+、Fe2+、CN-,其部分微粒在晶胞結(jié)構(gòu)的位置如圖所示。1個晶胞中含有CN-個。該物質(zhì)常用于吸附Cs+,將取代晶胞中的K+,取代后的物質(zhì)的化學(xué)式為
Cs8Fe4Ni4(CN)24
Cs8Fe4Ni4(CN)24
。
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【考點(diǎn)】晶胞的計算
【答案】1:1;Fe2+的價電子排布為3d6,易失去1個電子,形成3d5,半滿排布相對較穩(wěn)定,故Fe2+具有強(qiáng)還原性;正四面體;sp2;π
6
5
;+3;1150℃<熔點(diǎn)<600℃;Cs8Fe4Ni4(CN)24
【解答】
【點(diǎn)評】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:6引用:1難度:0.6
相似題
  • 1.完成下列問題:
    (1)GaAs的熔點(diǎn)為1238℃,可作半導(dǎo)體材料,而GaCl3的熔點(diǎn)為77.9℃。預(yù)測GaCl3的晶體類型可能為
     

    (2)GaAs晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,則晶胞中每個Ga原子周圍有
     
    個緊鄰等距的As原子;該晶體的密度為ρg/cm3,阿伏加德羅常數(shù)為NA,則晶體中最近的兩個Ga原子的核間距離為
     
    cm(列出計算式)。
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    (2)ZnO晶體中部分O原子被N原子替代后可以改善半導(dǎo)體的性能,Zn-N鍵中離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)小于Zn-O鍵,原因是
     
    。
    (3)CH3Mn(CO)5與I2反應(yīng)可用于制備CH3I,反應(yīng)前后錳的配位數(shù)不變,CH3Mn(CO)5與I2反應(yīng)的化學(xué)方程式為
     
    。
    (4)將含有未成對電子的物質(zhì)置于外磁場中,會使磁場強(qiáng)度增大,稱其為順磁性物質(zhì)。下列物質(zhì)中,屬于順磁性物質(zhì)的是
     
    (填標(biāo)號)。
    A.[Cu(NH32]Cl
    B.[Zn(NH34]SO4
    C.[Cu(NH34]SO4
    D.Na2[Zn(OH)4]

    發(fā)布:2024/11/7 1:0:2組卷:21引用:1難度:0.6
  • 2.鍺石是自然界中含有鍺元素的一類礦石的統(tǒng)稱,鍺石含有人體所需的硒、鋅、鎳、鈷、錳等30多種對人體有益的微量元素。回答下列問題:
    (1)基態(tài)Ge原子價層電子排布式為
     
    。
    (2)鍺與碳同族,性質(zhì)和結(jié)構(gòu)有一定的相似性,鍺元素能形成無機(jī)化合物(如鍺酸鈉:Na2GeO3;二鍺酸鈉:Na2Ge2O5等),也能形成類似于烷烴的鍺烷(GenH2n+2)。
    ①Na2GeO3中鍺原子的雜化方式是
     

    ②Na2Ge2O5中σ鍵與π鍵的數(shù)目之比為
     
    。
    ③至今沒有發(fā)現(xiàn)n大于5的鍺烷,根據(jù)下表提供的數(shù)據(jù)分析其中的原因是
     
    。
    化學(xué)鍵 C-C C-H Ge-Ge Ge-H
    鍵能/kJ?mol-1 346 411 188 288
    (3)利用離子液體[EMIM][AlCl4]可電沉積還原金屬Ge,其熔點(diǎn)只有7℃,其中EMIM+結(jié)構(gòu)如圖所示。分子中的大Π鍵可用符號
    Π
    n
    m
    表示,其中m代表參與形成大Π鍵原子數(shù),n代表參與形成的大Π鍵電子數(shù),則EMIM+離子中的大π鍵應(yīng)表示為
     
    。
    菁優(yōu)網(wǎng)
    (4)硒化鋅(ZnSe)是一種重要的半導(dǎo)體材料,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示,該晶胞中硒原子的配位數(shù)是
     
    ;已知晶胞參數(shù)為apm,乙圖為甲圖的俯視圖,若原子坐標(biāo)A為(0,0,0),B為
    1
    2
    ,
    0
    ,
    1
    2
    ,則D原子坐標(biāo)為
     
    ;若該晶體密度為ρg?cm-3,則阿伏加德羅常數(shù)NA
     
    (用ρ、a的字母表示,列出表達(dá)式即可)。
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    發(fā)布:2024/11/7 10:0:2組卷:16引用:2難度:0.5
  • 3.《科學(xué)》最近報道,我國科學(xué)家開發(fā)了鈣鈦礦(鈦酸鈣)活性層Cs2PbI2Cl2?;卮鹣铝袉栴}:
    (1)基態(tài)氯原子核外順時針、逆時針旋轉(zhuǎn)的電子數(shù)之比為
     

    (2)熔點(diǎn):CsCl
     
    CsI(填“>”“<”或“=”),判斷依據(jù)是
     

    (3)鹵素對物質(zhì)性質(zhì)有明顯影響。
    ①常溫下,ClCH2COOH、ICH2COOH和CH3COOH電離常數(shù)由大到小的順序為
     
    。
    ②吡啶(菁優(yōu)網(wǎng))具有堿性和芳香性。研究發(fā)現(xiàn),吡啶中N原子的電子云密度越大,堿性越強(qiáng)。N原子的雜化類型是
     
    。在下列物質(zhì)中,堿性最強(qiáng)的是
     
    (填序號,下同),最弱的是
     

    a.菁優(yōu)網(wǎng)b.菁優(yōu)網(wǎng)c.菁優(yōu)網(wǎng)d.菁優(yōu)網(wǎng)
    (4)鈦酸鈣晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,晶胞中的原子可用x、y、z組成的三數(shù)組來表示它在晶胞中的位置,稱為原子坐標(biāo)。已知A的原子坐標(biāo)為(0,0,0),Ca的原子坐標(biāo)為
    1
    2
    ,
    1
    2
    ,
    1
    2
    ,則B的原子坐標(biāo)為
     
    。
    菁優(yōu)網(wǎng)
    設(shè)該晶體的密度為dg?cm-3,NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。Ca2+和Ti4+之間的距離為
     
    pm(用含d、NA的代數(shù)式表示)。

    發(fā)布:2024/11/7 10:30:1組卷:51引用:1難度:0.5
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