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完成下列問題：
（1）GaAs的熔點(diǎn)為1238℃，可作半導(dǎo)體材料，而GaCl3的熔點(diǎn)為77.9℃。預(yù)測GaCl3的晶體類型可能為
分子晶體
分子晶體
。
（2）GaAs晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，則晶胞中每個Ga原子周圍有
4
4
個緊鄰等距的As原子；該晶體的密度為ρg/cm3，阿伏加德羅常數(shù)為NA，則晶體中最近的兩個Ga原子的核間距離為
2
2
3
4
×
（
70
+
75
）
ρ
2
2
3
4
×
（
70
+
75
）
ρ
cm（列出計(jì)算式）。
菁優(yōu)網(wǎng)
（2）ZnO晶體中部分O原子被N原子替代后可以改善半導(dǎo)體的性能，Zn-N鍵中離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)小于Zn-O鍵，原因是
電負(fù)性O(shè)大于N，O對電子的吸引能力更強(qiáng)，Zn和O更易形成離子鍵
電負(fù)性O(shè)大于N，O對電子的吸引能力更強(qiáng)，Zn和O更易形成離子鍵
。
（3）CH3Mn（CO）5與I2反應(yīng)可用于制備CH3I，反應(yīng)前后錳的配位數(shù)不變，CH3Mn（CO）5與I2反應(yīng)的化學(xué)方程式為
CH3Mn（CO）5+I2→CH3I+MnI（CO）5
CH3Mn（CO）5+I2→CH3I+MnI（CO）5
。
（4）將含有未成對電子的物質(zhì)置于外磁場中，會使磁場強(qiáng)度增大，稱其為順磁性物質(zhì)。下列物質(zhì)中，屬于順磁性物質(zhì)的是
C
C
（填標(biāo)號）。
A．[Cu（NH3）2]Cl
B．[Zn（NH3）4]SO4
C．[Cu（NH3）4]SO4
D．Na2[Zn（OH）4]

【考點(diǎn)】晶胞的計(jì)算．
【答案】分子晶體；4；
2
2
3
4
×
（
70
+
75
）
ρ
；電負(fù)性O(shè)大于N，O對電子的吸引能力更強(qiáng)，Zn和O更易形成離子鍵；CH3Mn（CO）5+I2→CH3I+MnI（CO）5；C
【解答】
【點(diǎn)評】
聲明：本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書面同意，不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：21引用：1難度：0.6
相似題

  • 1．金屬K和C60能夠發(fā)生反應(yīng)產(chǎn)生一系列金屬球碳鹽KxC60，部分金屬球碳鹽具有超導(dǎo)性，是球碳族化合物的研究熱點(diǎn)之一。
    菁優(yōu)網(wǎng)菁優(yōu)網(wǎng)
    （1）KxC60中含有的化學(xué)鍵類型為
     
    。
    （2）C60晶體中分子密堆積，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所標(biāo)．C60晶體屬于
     
    晶體，每個C60分子周圍等距離且緊鄰的C60有
     
    個。
    （3）某種KxC60的晶胞結(jié)構(gòu)圖所示．
    C
    x
    -
    60
    位于立方體晶胞的頂點(diǎn)和面心，K+位于晶胞的體心和棱心，另外晶胞內(nèi)還有8個K+。
    ①KxC60中x=
     
    。
    ②KxC60的熔點(diǎn)高于C60，原因是
     
    。
    ③該晶胞立方體的邊長為acm,NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，則晶體的密度為
     
    g?cm3。

    發(fā)布：2024/10/31 8:0:1組卷：4引用：1難度：0.6

  • 2．錳（Mn）、鈷（Co）、鎳（Ni）等過渡金屬元素化合物的應(yīng)用研究是前沿科學(xué)之一，回答下列問題：
    （1）Mn的價(jià)電子排布式為
     
    。金屬錳可導(dǎo)電、導(dǎo)熱，有金屬光澤和延展性，這些性質(zhì)都可以用“
     
    理論”解釋。
    （2）已知金屬錳有多種晶型，γ型錳的面心立方晶胞俯視圖符合下列
     
    （填序號），每個Mn原子周圍緊鄰的原子數(shù)為
     
    。
    A.菁優(yōu)網(wǎng)
    B.菁優(yōu)網(wǎng)
    C.菁優(yōu)網(wǎng)
    D.菁優(yōu)網(wǎng)
    （3）[Co（DMSO）6]（ClO4）2是一種紫色晶體，其中DMSO為二甲基亞砜，化學(xué)式為SO（CH3）2，DMSO中硫原子的雜化軌道類型為
     
    ，SO（CH3）2中鍵角C—S—O
     
    CH3COCH3中鍵角C—C—O（填“大于”“小于”或“等于”），ClO4的空間構(gòu)型是
     
    ，元素S、Cl、O的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?
     
    。
    （4）鎳和苯基硼酸在催化劑作用下可以合成丙烯醇（CH2=CH—CH2OH），其相對分子質(zhì)量等于丙醛（CH3CH2CHO），但兩者沸點(diǎn)相差較大，原因是
     
    。
    （5）NiO的晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示，其中離子坐標(biāo)參數(shù)A為（0，0，0），B為（1，1，1），則C的離子坐標(biāo)參數(shù)為
     
    。一定溫度下，NiO晶體可以自發(fā)地分散并形成“單分子層”，可以認(rèn)為O2-作密置單層排列，Ni2+填充其中（如圖乙），已知O2-的半徑為apm,設(shè)阿伏加德羅常數(shù)值為NA，每平方米面積上具有該晶體的質(zhì)量為
     
    g（用含a、NA的代數(shù)式表示）。菁優(yōu)網(wǎng)

    發(fā)布：2024/10/31 12:0:1組卷：61引用：4難度：0.6

  • 3．我國科學(xué)家制備了一種ZnPc/C60太陽電池，其結(jié)構(gòu)示意圖如圖。
    菁優(yōu)網(wǎng)
    （1）鋁元素屬于
     
    區(qū)（填“s”“d”“ds”或“p”）。
    （2）C60分子中60個碳原子都是等價(jià)的，均以近似
     
    雜化的方式形成3個不共平面的σ鍵，余下的1個p軌道電子互相重疊形成閉殼層電子結(jié)構(gòu)，π電子云分布在C60分子籠的內(nèi)外層表面上。循環(huán)伏安測試表明：C60在溶液中可以逐步可逆地接受6個電子形成負(fù)離子，卻很難失去電子變?yōu)殛栯x子。
    （3）①ZnPc中Zn2+的價(jià)層電子排布式是
     
    。
    ②ZnPc中存在配位鍵的原因是
     
    。
    （4）某溶劑中，ZnPc可以和C60形成分子間電荷轉(zhuǎn)移復(fù)合物，反應(yīng)方程式可表示為：ZnPc+C60?ZnPc-C60，不同溫度下生成電荷轉(zhuǎn)移復(fù)合物的平衡常數(shù)如下表。
    溫度 生成ZnPc-C60的K
     24℃ 1.2329
     44℃ 0.9674
     64℃ 0.4923
    反應(yīng)：ZnPc+C60?ZnPc-C60    ΔH
     
    0（填“＞”或“＜”），ZnPc-C60中ZnPc是電子
     
    （填“給體”或“受體”）。
    （5）LiF晶體結(jié)構(gòu)屬于氯化鈉型，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。
    ①LiF的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)比NaCl的高，請解釋原因
     
    。
    ②LiF晶體的密度約為2.6g/cm3，LiF晶胞的體積約為
     
    cm3（計(jì)算結(jié)果保留一位有效數(shù)字）。
    菁優(yōu)網(wǎng)

    發(fā)布：2024/10/31 13:0:2組卷：134引用：6難度：0.4
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