2022年湖南省新高考教學(xué)教研聯(lián)盟高考化學(xué)第二次聯(lián)考試卷
發(fā)布:2024/11/17 8:30:1
一、選擇題(本題共10小題,每小題3分,共30分。在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中,只有一項(xiàng)是符合題目要求的)
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1.化學(xué)與人類生活密切相關(guān),下列與化學(xué)有關(guān)的說(shuō)法正確的是( ?。?/h2>
組卷:10引用:1難度:0.6 -
2.下列關(guān)于有機(jī)化合物的說(shuō)法正確的是( ?。?/h2>
組卷:33引用:2難度:0.7 -
3.NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說(shuō)法正確的是( ?。?/h2>
組卷:19引用:2難度:0.6 -
4.下列反應(yīng)的離子方程式正確的是( )
組卷:49引用:2難度:0.7 -
5.下列實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)合理的是( )
組卷:4引用:3難度:0.5 -
6.硫酸銅是白磷中毒的解毒劑:11P4+60CuSO4+96H2O═20Cu3P+24H3PO4+60X。下列敘述錯(cuò)誤的是( ?。?/h2>
組卷:11引用:1難度:0.7
(二)選考題:共15分。請(qǐng)考生從給出的兩道題中任選一題作答。如果多做,則按所做的第一題計(jì)分。[選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)](15分)
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18.含鎵(Ga)化合物在半導(dǎo)體材料、醫(yī)藥行業(yè)等領(lǐng)域發(fā)揮重要作用?;卮鹣铝袉?wèn)題:
(1)基態(tài)鎵原子最外層的電子排布圖為
(2)Ga與Zn的第一電離能大小關(guān)系為:Ga
(3)GaX3的熔沸點(diǎn)如下表所示。鎵的鹵化物 GaCl3 GaBr3 GaI3 熔點(diǎn)/℃ 77.75 122.3 211.5 沸點(diǎn)/℃ 201.2 279 346
②GaF3的熔點(diǎn)約1000℃,遠(yuǎn)高于GaCl3的熔點(diǎn),原因是
(4)鎵配合物具有高的反應(yīng)活性和良好的選擇性.在藥物領(lǐng)域得到廣泛的關(guān)注。GaCl3與2-甲基8-羥基喹啉()在一定條件下反應(yīng)可以得到一種喹啉類鎵配合物(M),其結(jié)構(gòu)如圖1所示。2-甲基-8-羥基喹啉分子中碳原子的雜化軌道類型為
(5)作為第二代半導(dǎo)體,砷化鎵單晶因其價(jià)格昂貴而素有“半導(dǎo)體貴族”之稱。砷化鎵是由Ga(CH3)3和AsH3在一定條件下制備得到,同時(shí)得到另一物質(zhì),該物質(zhì)分子是
(6)GaN是制造LED的重要材料,被譽(yù)為“第三代半導(dǎo)體材料”。其晶體結(jié)構(gòu)如圖2所示:
①在GaN晶體中,距離每個(gè)Ga原子最近的Ga原子有
②GaN的密度為組卷:21引用:1難度:0.6
[選修5:有機(jī)化學(xué)基礎(chǔ)](15分)
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19.有機(jī)化合物H是合成藥品的重要中間體,其合成路線如圖所示:
已知:2CH3CHOCH3CH=CHCHO催化劑
(1)H中的含氧官能團(tuán)名稱是
(2)用系統(tǒng)命名法寫出A的名稱
(3)X比A多一個(gè)碳原子,且為A的同系物,請(qǐng)問(wèn)X的結(jié)構(gòu)有
(4)請(qǐng)寫出B在條件①下的化學(xué)反應(yīng)方程式:
(5)寫出D和E反應(yīng)生成F時(shí),其副產(chǎn)物為
(6)根據(jù)上述路線中的相關(guān)知識(shí),以和E為原料(無(wú)機(jī)試劑任選),設(shè)計(jì)合成有機(jī)物,寫出合成路線組卷:31引用:3難度:0.5