含鎵（Ga）化合物在半導(dǎo)體材料、醫(yī)藥行業(yè)等領(lǐng)域發(fā)揮重要作用?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)鎵原子最外層的電子排布圖為

或

或

。
（2）Ga與Zn的第一電離能大小關(guān)系為：Ga

＜

＜

Zn（填“＞”“＜”或“=”）。
（3）GaX₃的熔沸點(diǎn)如下表所示。

鎵的鹵化物	GaCl3	GaBr3	GaI3
熔點(diǎn)/℃	77.75	122.3	211.5
沸點(diǎn)/℃	201.2	279	346

①100℃，GaCl₃、GaBr₃和GaI₃呈液態(tài)的是

GaCl₃

GaCl₃

（填化學(xué)式），沸點(diǎn)依次升高的原因是

三者均屬于分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力增強(qiáng)，熔沸點(diǎn)依次升高

三者均屬于分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力增強(qiáng)，熔沸點(diǎn)依次升高

。
②GaF₃的熔點(diǎn)約1000℃，遠(yuǎn)高于GaCl₃的熔點(diǎn)，原因是

GaF₃屬于離子晶體，GaCl₃為分子晶體，離子晶體熔點(diǎn)高于分子晶體

GaF₃屬于離子晶體，GaCl₃為分子晶體，離子晶體熔點(diǎn)高于分子晶體

。
（4）鎵配合物具有高的反應(yīng)活性和良好的選擇性．在藥物領(lǐng)域得到廣泛的關(guān)注。GaCl₃與2-甲基8-羥基喹啉（）在一定條件下反應(yīng)可以得到一種喹啉類鎵配合物（M），其結(jié)構(gòu)如圖1所示。2-甲基-8-羥基喹啉分子中碳原子的雜化軌道類型為

sp²、sp³

sp²、sp³

；H、C、N的原子半徑由大到小的順序?yàn)?

C＞N＞H

C＞N＞H

。

（5）作為第二代半導(dǎo)體，砷化鎵單晶因其價(jià)格昂貴而素有“半導(dǎo)體貴族”之稱。砷化鎵是由Ga（CH₃）₃和AsH₃在一定條件下制備得到，同時(shí)得到另一物質(zhì)，該物質(zhì)分子是

非極性分子

非極性分子

（填“極性分子”或“非極性分子”），AsH₃分子的空間形狀為

三角錐形

三角錐形

。
（6）GaN是制造LED的重要材料，被譽(yù)為“第三代半導(dǎo)體材料”。其晶體結(jié)構(gòu)如圖2所示：
①在GaN晶體中，距離每個(gè)Ga原子最近的Ga原子有

4

4

個(gè)，N原子的配位數(shù)為

4

4

。
②GaN的密度為

336

N

A

×

3

×

a

2

×

c

336

N

A

×

3

×

a

2

×

c

g/cm³。（設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為N_A，用含a、c、N_A的代數(shù)式表示）