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2022-2023學年廣東省廣州市高二(下)期末化學試卷

發(fā)布:2024/8/12 0:0:0

一、單項選擇題:本題共16小題,共44分。第1~10小題,每小題2分;第11~16小題,

  • 1.中華文明源遠流長,在世界文明中獨樹一幟,漢字居功至偉。隨著時代發(fā)展,漢字被不斷賦予新的文化內涵,其載體也發(fā)生相應變化。下列漢字載體的主要成分為纖維素的是( ?。?br />
    漢字載體        
    選項 A.獸骨 B.青銅器 C.紙張 D.液晶顯示屏

    組卷:17引用:1難度:0.7
  • 2.下列化學用語正確的是( ?。?/h2>

    組卷:50引用:1難度:0.8
  • 3.化學與生活息息相關。下列有關說法正確的是( ?。?/h2>

    組卷:19引用:2難度:0.7
  • 4.下列軌道表示式能表示基態(tài)碳原子最外層結構的是( ?。?/h2>

    組卷:58引用:1難度:0.5
  • 5.如圖所示是第3周期11~17號元素某種性質變化趨勢的柱形圖,y軸表示的可能是( ?。?/h2>

    組卷:99引用:4難度:0.7
  • 6.下列結構示意圖中,不能表示晶胞的是(  )

    組卷:63引用:1難度:0.5

二、非選擇題:本題包括4小題,共56分。

  • 19.金屬和非金屬分界線附近的元素(如Ga、Ge、As),可用于制造半導體材料,是科學研究的熱點。試回答下列問題。
    (1)鍺(Ge)是一種重要的半導體材料,寫出基態(tài)Ge原子的價層電子排布式:
     
    。
    (2)利用離子液體[EMIM][AlCl4]可電沉積還原金屬Ge。EMIM+結構如圖所示。

    ①EMIM+中各元素的電負性從小到大的順序是:
     
    (用元素符號表示)。
    [
    A
    l
    C
    l
    4
    ]
    -
    的空間結構為
     

    (3)鎵(Ga)位于元素周期表中第4周期第ⅢA族,其鹵化物的熔點如下表:
    GaF3 GaCl3 GaBr3
    熔點/℃ >1000 77.75 122.3
    GaF3的熔點比GaCl3的高很多的原因是
     
    。
    (4)GaAs是一種人工合成的新型半導體材料,其晶體結構與金剛石相似,如圖所示,若該立方晶胞參數(shù)為anm。

    ①該晶體中與As原子距離最近且相等的Ga原子個數(shù)為
     
    。
    ②已知阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,GaAs的式量為Mr,則GaAs晶體的密度為
     
    g?cm-3(列計算式)。

    組卷:48引用:1難度:0.5
  • 20.惕各酸及其酯類在香精配方中有廣泛用途。已知惕各酸香葉醇酯的結構如圖所示:

    惕各酸和香葉醇的合成方法如圖所示:

    已知:R-COOH
    L
    i
    A
    l
    H
    4
    /
    R-CH2OH。
    (1)化合物Ⅰ的分子式為
     
    ,化合物Ⅲ含有的官能團有
     
    (寫名稱)。
    (2)反應①和反應②的反應類型分別是
     
    、
     
    。
    (3)反應③是原子利用率100%的反應,該反應中加入的化合物a是
     
    (寫化學式)。
    (4)寫出反應④的化學方程式:
     
    。
    (5)化合物Ⅲ有多種同分異構體,寫出同時滿足下列條件的一種同分異構體的結構簡式:
     
    。
    ①能水解且能發(fā)生銀鏡反應
    ②能與Na反應
    ③核磁共振氫譜顯示四組峰,且峰面積比為6:2:1:1
    (6)選用惕各酸的一種同系物作為唯一的含氧有機原料,參考上述信息,制備高分子化合物的單體,寫出該單體的合成路線
     
    (不需注明反應條件)。

    組卷:55引用:1難度:0.3
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