2022-2023學年廣東省廣州市高二(下)期末化學試卷
發(fā)布:2024/8/12 0:0:0
一、單項選擇題:本題共16小題,共44分。第1~10小題,每小題2分;第11~16小題,
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1.中華文明源遠流長,在世界文明中獨樹一幟,漢字居功至偉。隨著時代發(fā)展,漢字被不斷賦予新的文化內涵,其載體也發(fā)生相應變化。下列漢字載體的主要成分為纖維素的是( ?。?br />
漢字載體 選項 A.獸骨 B.青銅器 C.紙張 D.液晶顯示屏 組卷:17引用:1難度:0.7 -
2.下列化學用語正確的是( ?。?/h2>
組卷:50引用:1難度:0.8 -
3.化學與生活息息相關。下列有關說法正確的是( ?。?/h2>
組卷:19引用:2難度:0.7 -
4.下列軌道表示式能表示基態(tài)碳原子最外層結構的是( ?。?/h2>
組卷:58引用:1難度:0.5 -
5.如圖所示是第3周期11~17號元素某種性質變化趨勢的柱形圖,y軸表示的可能是( ?。?/h2>
組卷:99引用:4難度:0.7 -
6.下列結構示意圖中,不能表示晶胞的是( )
組卷:63引用:1難度:0.5
二、非選擇題:本題包括4小題,共56分。
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19.金屬和非金屬分界線附近的元素(如Ga、Ge、As),可用于制造半導體材料,是科學研究的熱點。試回答下列問題。
(1)鍺(Ge)是一種重要的半導體材料,寫出基態(tài)Ge原子的價層電子排布式:
(2)利用離子液體[EMIM][AlCl4]可電沉積還原金屬Ge。EMIM+結構如圖所示。
①EMIM+中各元素的電負性從小到大的順序是:
②的空間結構為[AlCl4]-
(3)鎵(Ga)位于元素周期表中第4周期第ⅢA族,其鹵化物的熔點如下表:GaF3 GaCl3 GaBr3 熔點/℃ >1000 77.75 122.3
(4)GaAs是一種人工合成的新型半導體材料,其晶體結構與金剛石相似,如圖所示,若該立方晶胞參數(shù)為anm。
①該晶體中與As原子距離最近且相等的Ga原子個數(shù)為
②已知阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,GaAs的式量為Mr,則GaAs晶體的密度為組卷:48引用:1難度:0.5 -
20.惕各酸及其酯類在香精配方中有廣泛用途。已知惕各酸香葉醇酯的結構如圖所示:
惕各酸和香葉醇的合成方法如圖所示:
已知:R-COOHR-CH2OH。LiAlH4/醚
(1)化合物Ⅰ的分子式為
(2)反應①和反應②的反應類型分別是
(3)反應③是原子利用率100%的反應,該反應中加入的化合物a是
(4)寫出反應④的化學方程式:
(5)化合物Ⅲ有多種同分異構體,寫出同時滿足下列條件的一種同分異構體的結構簡式:
①能水解且能發(fā)生銀鏡反應
②能與Na反應
③核磁共振氫譜顯示四組峰,且峰面積比為6:2:1:1
(6)選用惕各酸的一種同系物作為唯一的含氧有機原料,參考上述信息,制備高分子化合物的單體,寫出該單體的合成路線
組卷:55引用:1難度:0.3