金屬和非金屬分界線附近的元素（如Ga、Ge、As），可用于制造半導體材料，是科學研究的熱點。試回答下列問題。
（1）鍺（Ge）是一種重要的半導體材料，寫出基態(tài)Ge原子的價層電子排布式：4s24p24s24p2。
（2）利用離子液體[EMIM][AlCl4]可電沉積還原金屬Ge。EMIM+結(jié)構(gòu)如圖所示。
①EMIM+中各元素的電負性從小到大的順序是：N＞C＞HN＞C＞H（用元素符號表示）。
②[AlCl4]-的空間結(jié)構(gòu)為 正四面體形正四面體形。
（3）鎵（Ga）位于元素周期表中第4周期第ⅢA族，其鹵化物的熔點如下表：
[
A
l
C
l
4
]
-
| GaF3 | GaCl3 | GaBr3 | |
| 熔點/℃ | ＞1000 | 77.75 | 122.3 |
GaF3屬于離子晶體，GaCl3屬于分子晶體
GaF3屬于離子晶體，GaCl3屬于分子晶體
。（4）GaAs是一種人工合成的新型半導體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似，如圖所示，若該立方晶胞參數(shù)為anm。
①該晶體中與As原子距離最近且相等的Ga原子個數(shù)為
4
4
。②已知阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，GaAs的式量為Mr，則GaAs晶體的密度為
4
M
r
N
A
a
3
4
M
r
N
A
a
3
【答案】4s24p2；N＞C＞H；正四面體形；GaF3屬于離子晶體，GaCl3屬于分子晶體；4；×1021
4
M
r
N
A
a
3
【解答】
【點評】
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發(fā)布：2024/5/25 8:0:9組卷：41引用：1難度：0.5
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1．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點構(gòu)成），則平均每一個C60晶胞中有個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4 -
2．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關(guān)信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個電子．
試回答下列問題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為，F(xiàn)的價層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負性由大到小的順序為（用元素符號填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍色沉淀溶解，得到深藍色溶液，再向深藍色透明溶液中加入乙醇，析出深藍色晶體．藍色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結(jié)構(gòu)（面心立方）如圖2所示：已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
3．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學研究方面應用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計算表達式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7
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