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更新：2025年01月10日
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更新：2024年12月26日
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2311．向較濃鹽酸中加入濃硫酸會有白霧產(chǎn)生，下列敘述中與此現(xiàn)象無關(guān)的是（ ?。?/h2>
發(fā)布：2024/12/30 5:0:1組卷：57引用：8難度：0.92312．下列物質(zhì)中不能由單質(zhì)直接化合生成的是（ ?。?br />①CuS ②FeS ③SO3 ④H2O ⑤FeCl2 ⑥NH3．
發(fā)布：2024/12/30 5:0:1組卷：45引用：5難度：0.72313．在“HI（s）→HI（g）→H2和I2”的變化過程中，被破壞的作用力依次是（ ?。?/h2>
發(fā)布：2024/12/30 5:0:1組卷：40引用：3難度：0.5
2314．某物質(zhì)的晶體中，含A
、B
、C
三種元素，其排列方式如圖所示（其中前后兩面心上的B原子未畫出）。晶體中的A、B、C的原子個數(shù)比依次為（ ?。?/h2>發(fā)布：2024/12/30 5:0:1組卷：58引用：3難度：0.7
2315．濃硫酸和2mol?L-1的稀硫酸，在實(shí)驗(yàn)室中敞口放置．它們的質(zhì)量和放置天數(shù)的關(guān)系如圖，分析a、b曲線變化的原因是（ ?。?/h2>發(fā)布：2024/12/30 5:0:1組卷：53引用：5難度：0.92316．種類繁多的碳族元素的單質(zhì)及其化合物，有著重要的研究價值。
（1）儲（Ge）的含量十分稀少，但它被廣泛應(yīng)用于電子、光學(xué)、化工、生物醫(yī)學(xué)、能源及其他高新科技領(lǐng)域
①現(xiàn)代化學(xué)中，常利用上的特征譜線來鑒定元素?；鶓B(tài)鍺原子中，核外能級最高的原子軌道上，具有的電子數(shù)為。
②通常狀況下GeCl4是無色液體，易揮發(fā)，其熔點(diǎn)為-51.50℃，沸點(diǎn)為86.55℃，能溶于乙醚。由此可推知GeCl4應(yīng)屬于共價化合物，其理由是，也即氯和鍺兩元素的電負(fù)性相差應(yīng)該1.7（填“小于”或“大于”）。
（2）在硅酸鹽中，SiO44-如圖a所示為四面體結(jié)構(gòu)，它可以通過公用頂角O原子，形成鏈狀、層狀、島狀和網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的不同硅酸鹽。圖b表示由n個四面體連接成的硅酸根，其中Si的雜化形式為，Si與O的原子個數(shù)比為，化學(xué)式可表示為。
（3）石墨晶體由層狀石墨“分子”按ABAB方式堆積而成，如圖（a）所示。圖（b）是一個石墨的六方
晶胞示意圖。
①請在圖
中畫出晶胞沿c軸的投影（用“?“標(biāo)出碳原子位置即可）
②假設(shè)石墨晶胞高為hcm,C-C鍵長為rcm,則石墨晶體密度的表達(dá)式為g?cm-3（阿伏加德羅常數(shù)為NA）。發(fā)布：2024/12/30 5:0:1組卷：41引用：2難度：0.7
2317．下圖表示某固態(tài)單質(zhì)A及其化合物之間的轉(zhuǎn)化關(guān)系（某些產(chǎn)物和反應(yīng)條件已略去）．化合物B在常溫常壓下為氣體，B和C的相對分子質(zhì)量之比為4：5，化合物D是重要的工業(yè)原料．
（1）寫出A在加熱條件下與H2反應(yīng)的化學(xué)方程式
（2）寫出E與A的氫化物反應(yīng)生成A的化學(xué)方程式
（3）寫出一個由D生成B的化學(xué)方程式；
（4）將5mL 0.10mol?L-1的E溶液與10mL 0.10mol?L-1的NaOH溶液混合．
①寫出反應(yīng)的離子方程式；
②反應(yīng)后溶液的pH7（填“大于”、“小于”或“等于”），理由是；
③加熱反應(yīng)后的溶液，其pH（填“增大”、“不變”或“減小”），理由是．發(fā)布：2024/12/30 5:0:1組卷：37引用：2難度：0.52318．下列說法不正確的是（ ?。?/h2>
發(fā)布：2024/12/30 5:0:1組卷：65引用：4難度：0.72319．下列有關(guān)晶體的敘述中正確的是（ ?。?/h2>
發(fā)布：2024/12/30 5:0:1組卷：48引用：2難度：0.92320．四種短周期主族元素X、Y、Z、W的原子序數(shù)依次增大，Y、W原子序數(shù)之和為Z原子序數(shù)的2倍，W的最外層電子數(shù)是內(nèi)層電子數(shù)的3倍，這四種元素可組成一種化合物M的結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說法錯誤的是（ ）
發(fā)布：2024/12/30 5:0:1組卷：44引用：2難度：0.5
