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單晶邊緣納米催化劑技術(shù)為工業(yè)上有效利用二氧化碳提供了一條經(jīng)濟(jì)可行的途徑,其中單晶氧化鎂負(fù)載鎳催化劑表現(xiàn)出優(yōu)異的抗積碳和抗燒結(jié)性能?;卮饐?wèn)題:
(1)基態(tài)鎳原子d軌道中成對(duì)電子與單電子的數(shù)目比為
3:1
3:1
,下列現(xiàn)象與原子核外電子躍遷有關(guān)的是
ab
ab
(填序號(hào))。
a.焰火
b.LED燈光
c.金屬導(dǎo)電
(2)第二周期元素的第一電離能(I1)隨原子序數(shù)(Z)的變化如圖1所示。I1隨Z的遞增而呈增大趨勢(shì)的原因是
隨原子序數(shù)增大,核電荷數(shù)增大,原子半徑逐漸減小,核對(duì)外層電子吸引力增大
隨原子序數(shù)增大,核電荷數(shù)增大,原子半徑逐漸減小,核對(duì)外層電子吸引力增大
,導(dǎo)致I1在a點(diǎn)出現(xiàn)齒峰的原因是
基態(tài)N原子的2p能級(jí)半充滿
基態(tài)N原子的2p能級(jí)半充滿
。
(3)丁二酮肟常用于檢驗(yàn)Ni2+,在稀氨水介質(zhì)中,丁二酮肟與Ni2+反應(yīng)生成鮮紅色沉淀的結(jié)構(gòu)如圖2所示,該結(jié)構(gòu)中N原子的雜化軌道類型為
sp2
sp2
,N原子與其它原子之間存在的作用力有
bcd
bcd
(填序號(hào))。
a.氫鍵
b.π鍵
c.σ鍵
d.配位鍵
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(4)MgO具有NaCl型結(jié)構(gòu)(如圖3),其中陰離子采用面心立方最密堆積方式,X射線衍射實(shí)驗(yàn)測(cè)得MgO的晶胞邊長(zhǎng)為anm,則MgO的晶體的密度為
1
.
6
×
1
0
23
a
3
N
A
1
.
6
×
1
0
23
a
3
N
A
g/cm3(設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值)。

【答案】3:1;ab;隨原子序數(shù)增大,核電荷數(shù)增大,原子半徑逐漸減小,核對(duì)外層電子吸引力增大;基態(tài)N原子的2p能級(jí)半充滿;sp2;bcd;
1
.
6
×
1
0
23
a
3
N
A
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:21引用:1難度:0.6
相似題
  • 1.堿金屬(Li、Na、K、Rb、Cs)及其化合物在生產(chǎn)、生活中有著重要的應(yīng)用。請(qǐng)回答:
    (1)基態(tài)K原子核外有
     
    種不同的電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。
    (2)鹵化物CsICl2受熱發(fā)生非氧化還原反應(yīng),生成無(wú)色晶體X和紅棕色液體Y。解釋X的熔點(diǎn)比Y高的原因:
     

    (3)已知RbH2PO2是次磷酸的正鹽,H3PO2的結(jié)構(gòu)式為
     
    ,其中P采取
     
    雜化方式。
    (4)Al、B、H電負(fù)性分別為1.5、2.0、2.1,簡(jiǎn)要說(shuō)明LiAlH4還原性比NaBH4強(qiáng)的原因:
     
    。
    (5)鋰離子電池電極材料是LiFePO4,其晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如①所示。其中O圍繞Fe和P分別形成4個(gè)正八面體和4個(gè)正四面體。電池充電時(shí),LiFePO4脫出部分Li+形成Li(1-x)FePO4,其結(jié)構(gòu)示意圖如②所示,則Li(1-x)FePO4晶胞中n(Fe2+):n(Fe3+)=
     

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    發(fā)布:2024/11/6 12:0:1組卷:33引用:1難度:0.5
  • 2.硅烷廣泛應(yīng)用在現(xiàn)代高科技領(lǐng)域。制備硅烷的反應(yīng)為SiF4+NaAlH4═SiH4+NaAlF4。
    (1)①基態(tài)硅原子的價(jià)層電子軌道表示式為
     
    。
    ②SiF4中,硅的化合價(jià)為+4價(jià)。硅顯正化合價(jià)的原因是
     
    。
    ③下列說(shuō)法正確的是
     
    (填序號(hào))。
    a.SiF4的熱穩(wěn)定性比CH4的差
    b.SiH4中4個(gè)Si-H的鍵長(zhǎng)相同,H-Si-H的鍵角為90°
    c.SiH4中硅原子以4個(gè)sp3雜化軌道分別與4個(gè)氫原子的1s軌道重疊,形成4個(gè)Si-Hσ鍵
    ④SiF4的沸點(diǎn)(-86℃)高于SiH4的沸點(diǎn)(-112℃),原因是
     

    (2)NaAlH4的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,晶胞的體積為a2b×10-21cm3
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    A
    l
    H
    -
    4
    的VSEPR模型名稱為
     
    。
    ②用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值。NaAlH4晶體密度為
     
    g?cm-3(用含a、b、NA的代數(shù)式表示)。
    ③NaAlH4是一種具有應(yīng)用潛能的儲(chǔ)氫材料,其釋氫過(guò)程可用化學(xué)方程式表示為:3NaAlH4═Na3AlH6+2Al+3H2↑。摻雜22Ti替換晶體中部分Al,更利于NaAlH4中H的解離,使體系更容易釋放氫。從結(jié)構(gòu)的角度推測(cè)其可能原因:
     
    。

    發(fā)布:2024/11/6 14:0:2組卷:52引用:1難度:0.7
  • 菁優(yōu)網(wǎng)3.X、Y、Z、W、Q是周期表中前4周期元素,且原子序數(shù)依次增大。X、Z的基態(tài)原子2p軌道中均有2個(gè)未成對(duì)電子,W的最外層電子數(shù)是次外層的一半,Q最外層有1個(gè)電子,內(nèi)層電子全部充滿。Q2+能與NH3形成[Q(NH34]2+,[Q(NH34]2+中2個(gè)NH3被2個(gè)Cl-取代可得兩種不同的結(jié)構(gòu)。Q2Z種晶胞如下圖所示。下列說(shuō)法正確的是( ?。?/h2>

    發(fā)布:2024/11/6 20:0:1組卷:15引用:2難度:0.7
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