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2021-2022學(xué)年廣東省惠州市高三(上)期末化學(xué)試卷
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試題詳情
單晶邊緣納米催化劑技術(shù)為工業(yè)上有效利用二氧化碳提供了一條經(jīng)濟(jì)可行的途徑,其中單晶氧化鎂負(fù)載鎳催化劑表現(xiàn)出優(yōu)異的抗積碳和抗燒結(jié)性能?;卮饐?wèn)題:
(1)基態(tài)鎳原子d軌道中成對(duì)電子與單電子的數(shù)目比為
3:1
3:1
,下列現(xiàn)象與原子核外電子躍遷有關(guān)的是
ab
ab
(填序號(hào))。
a.焰火
b.LED燈光
c.金屬導(dǎo)電
(2)第二周期元素的第一電離能(I
1
)隨原子序數(shù)(Z)的變化如圖1所示。I
1
隨Z的遞增而呈增大趨勢(shì)的原因是
隨原子序數(shù)增大,核電荷數(shù)增大,原子半徑逐漸減小,核對(duì)外層電子吸引力增大
隨原子序數(shù)增大,核電荷數(shù)增大,原子半徑逐漸減小,核對(duì)外層電子吸引力增大
,導(dǎo)致I
1
在a點(diǎn)出現(xiàn)齒峰的原因是
基態(tài)N原子的2p能級(jí)半充滿
基態(tài)N原子的2p能級(jí)半充滿
。
(3)丁二酮肟常用于檢驗(yàn)Ni
2+
,在稀氨水介質(zhì)中,丁二酮肟與Ni
2+
反應(yīng)生成鮮紅色沉淀的結(jié)構(gòu)如圖2所示,該結(jié)構(gòu)中N原子的雜化軌道類型為
sp
2
sp
2
,N原子與其它原子之間存在的作用力有
bcd
bcd
(填序號(hào))。
a.氫鍵
b.π鍵
c.σ鍵
d.配位鍵
(4)MgO具有NaCl型結(jié)構(gòu)(如圖3),其中陰離子采用面心立方最密堆積方式,X射線衍射實(shí)驗(yàn)測(cè)得MgO的晶胞邊長(zhǎng)為anm,則MgO的晶體的密度為
1
.
6
×
1
0
23
a
3
N
A
1
.
6
×
1
0
23
a
3
N
A
g/cm
3
(設(shè)N
A
為阿伏加德羅常數(shù)的值)。
【考點(diǎn)】
晶胞的計(jì)算
;
原子核外電子的躍遷及應(yīng)用
;
元素電離能、電負(fù)性的含義及應(yīng)用
;
原子軌道雜化方式及雜化類型判斷
.
【答案】
3:1;ab;隨原子序數(shù)增大,核電荷數(shù)增大,原子半徑逐漸減小,核對(duì)外層電子吸引力增大;基態(tài)N原子的2p能級(jí)半充滿;sp
2
;bcd;
1
.
6
×
1
0
23
a
3
N
A
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
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發(fā)布:2024/6/27 10:35:59
組卷:21
引用:1
難度:0.6
相似題
1.
堿金屬(Li、Na、K、Rb、Cs)及其化合物在生產(chǎn)、生活中有著重要的應(yīng)用。請(qǐng)回答:
(1)基態(tài)K原子核外有
種不同的電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。
(2)鹵化物CsICl
2
受熱發(fā)生非氧化還原反應(yīng),生成無(wú)色晶體X和紅棕色液體Y。解釋X的熔點(diǎn)比Y高的原因:
。
(3)已知RbH
2
PO
2
是次磷酸的正鹽,H
3
PO
2
的結(jié)構(gòu)式為
,其中P采取
雜化方式。
(4)Al、B、H電負(fù)性分別為1.5、2.0、2.1,簡(jiǎn)要說(shuō)明LiAlH
4
還原性比NaBH
4
強(qiáng)的原因:
。
(5)鋰離子電池電極材料是LiFePO
4
,其晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如①所示。其中O圍繞Fe和P分別形成4個(gè)正八面體和4個(gè)正四面體。電池充電時(shí),LiFePO
4
脫出部分Li
+
形成Li
(1-x)
FePO
4
,其結(jié)構(gòu)示意圖如②所示,則Li
(1-x)
FePO
4
晶胞中n(Fe
2+
):n(Fe
3+
)=
。
發(fā)布:2024/11/6 12:0:1
組卷:33
引用:1
難度:0.5
解析
2.
硅烷廣泛應(yīng)用在現(xiàn)代高科技領(lǐng)域。制備硅烷的反應(yīng)為SiF
4
+NaAlH
4
═SiH
4
+NaAlF
4
。
(1)①基態(tài)硅原子的價(jià)層電子軌道表示式為
。
②SiF
4
中,硅的化合價(jià)為+4價(jià)。硅顯正化合價(jià)的原因是
。
③下列說(shuō)法正確的是
(填序號(hào))。
a.SiF
4
的熱穩(wěn)定性比CH
4
的差
b.SiH
4
中4個(gè)Si-H的鍵長(zhǎng)相同,H-Si-H的鍵角為90°
c.SiH
4
中硅原子以4個(gè)sp
3
雜化軌道分別與4個(gè)氫原子的1s軌道重疊,形成4個(gè)Si-Hσ鍵
④SiF
4
的沸點(diǎn)(-86℃)高于SiH
4
的沸點(diǎn)(-112℃),原因是
。
(2)NaAlH
4
的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,晶胞的體積為a
2
b×10
-21
cm
3
。
①
A
l
H
-
4
的VSEPR模型名稱為
。
②用N
A
表示阿伏加德羅常數(shù)的值。NaAlH
4
晶體密度為
g?cm
-3
(用含a、b、N
A
的代數(shù)式表示)。
③NaAlH
4
是一種具有應(yīng)用潛能的儲(chǔ)氫材料,其釋氫過(guò)程可用化學(xué)方程式表示為:3NaAlH
4
═Na
3
AlH
6
+2Al+3H
2
↑。摻雜
22
Ti替換晶體中部分Al,更利于NaAlH
4
中H的解離,使體系更容易釋放氫。從結(jié)構(gòu)的角度推測(cè)其可能原因:
。
發(fā)布:2024/11/6 14:0:2
組卷:52
引用:1
難度:0.7
解析
3.
X、Y、Z、W、Q是周期表中前4周期元素,且原子序數(shù)依次增大。X、Z的基態(tài)原子2p軌道中均有2個(gè)未成對(duì)電子,W的最外層電子數(shù)是次外層的一半,Q最外層有1個(gè)電子,內(nèi)層電子全部充滿。Q
2+
能與NH
3
形成[Q(NH
3
)
4
]
2+
,[Q(NH
3
)
4
]
2+
中2個(gè)NH
3
被2個(gè)Cl
-
取代可得兩種不同的結(jié)構(gòu)。Q
2
Z種晶胞如下圖所示。下列說(shuō)法正確的是( ?。?/h2>
A.X的一種晶體具有很大的硬度,1mol該晶體中含有4molX-X鍵
B.Y
2
、Z
2
的晶體類型均為共價(jià)晶體
C.[Q(NH
3
)
4
]
2+
的空間構(gòu)型為正四面體形
D.Q
2
Z晶胞中,距離每個(gè)Q
+
最近的Z
2-
有2個(gè)
發(fā)布:2024/11/6 20:0:1
組卷:15
引用:2
難度:0.7
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