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在化學(xué)上，常用一條短線表示一個(gè)化學(xué)鍵，如下圖所示的有關(guān)結(jié)構(gòu)中，有直線（包括虛線）不表示化學(xué)鍵或分子間作用力的是（　?。?/h1>

A．石墨的結(jié)構(gòu)	B．白磷的結(jié)構(gòu)
C． CCl₄的結(jié)構(gòu)	D．立方烷（C₈H₈）的結(jié)構(gòu)

【考點(diǎn)】不同晶體的結(jié)構(gòu)微粒及微粒間作用力的區(qū)別．

【答案】C

【解答】

【點(diǎn)評(píng)】

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發(fā)布：2024/11/17 8:0:1組卷：6引用：1難度：0.7

相似題

1．氮化硅是一種新合成的結(jié)構(gòu)材料，它是一種超硬、耐磨、耐高溫的物質(zhì)。下列各組物質(zhì)熔化時(shí)，所克服的粒子間的作用與氮化硅熔化所克服的粒子間的作用相同的是（　?。?/h2>
A．硝石（NaNO₃）和金剛石
B．冰和干冰
C．重晶石（BaSO₄）和螢石（CaF₂）
D．晶體硅和水晶
發(fā)布：2024/11/13 11:30:1組卷：56引用：2難度：0.5
解析
2．下列關(guān)于晶體的說(shuō)法中，不正確的是（　　）
①晶體中原子呈周期性有序排列，有自范性；而非晶體中原子排列相對(duì)無(wú)序，無(wú)自范性
②含有金屬陽(yáng)離子的晶體一定是離子晶體
③共價(jià)鍵可決定分子晶體的熔、沸點(diǎn)
④MgO的晶格能遠(yuǎn)比NaCl大，這是因?yàn)榍罢唠x子所帶的電荷數(shù)多，離子半徑小
⑤晶胞是晶體結(jié)構(gòu)的基本單元，晶體內(nèi)部的微粒按一定規(guī)律作周期性重復(fù)排列
⑥晶體盡可能采取緊密堆積方式，以使其變得比較穩(wěn)定
⑦干冰晶體中，一個(gè)CO₂分子周?chē)?2個(gè)CO₂分子緊鄰；CsCl和NaCl晶體中陰、陽(yáng)離子的配位數(shù)都為6
A．①②③ B．②③④ C．④⑤⑥ D．②③⑦
發(fā)布：2024/11/14 20:0:2組卷：53引用：2難度：0.8
解析
3．（1）基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為

該能層具有的原子軌道數(shù)為

．
（2）BF₃與一定量的水形成（H₂O）₂?BF₃晶體Q，Q在一定條件下可轉(zhuǎn)化為R：
晶體Q中各種微粒間的作用力不涉及

（填序號(hào)）．a(chǎn).離子鍵b.共價(jià)鍵c.配位鍵d.金屬鍵
（3）NaF和NaCl屬于同一主族的鈉鹽，但NaF的莫氏硬度比NaCl大，原因是

．
（4）向CuSO₄溶液中加入過(guò)量NaOH溶液可生成[Cu（OH）₄]^2-．不考慮空間構(gòu)型，[Cu（OH）₄]^2-的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為

科學(xué)家通過(guò)X射線推測(cè)膽礬中既含有配位鍵，又含有氫鍵，其結(jié)構(gòu)示意圖可簡(jiǎn)單表示如圖1：膽礬的化學(xué)式用配合物的形式表示為

．
（5）第一電離能介于B、N之間的第二周期元素有

種．S單質(zhì)的常見(jiàn)形式為S8，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如圖2所示，S原子采用的軌道雜化方式是

．
發(fā)布：2024/11/12 8:0:1組卷：114引用：1難度：0.5
解析

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A．石墨的結(jié)構(gòu)	B．白磷的結(jié)構(gòu)
C． CCl₄的結(jié)構(gòu)	D．立方烷（C₈H₈）的結(jié)構(gòu)

在化學(xué)上，常用一條短線表示一個(gè)化學(xué)鍵，如下圖所示的有關(guān)結(jié)構(gòu)中，有直線（包括虛線）不表示化學(xué)鍵或分子間作用力的是（ ?。?/h1>

1．氮化硅是一種新合成的結(jié)構(gòu)材料，它是一種超硬、耐磨、耐高溫的物質(zhì)。下列各組物質(zhì)熔化時(shí)，所克服的粒子間的作用與氮化硅熔化所克服的粒子間的作用相同的是（ ?。?/h2>

在化學(xué)上，常用一條短線表示一個(gè)化學(xué)鍵，如下圖所示的有關(guān)結(jié)構(gòu)中，有直線（包括虛線）不表示化學(xué)鍵或分子間作用力的是（　?。?/h1>

1．氮化硅是一種新合成的結(jié)構(gòu)材料，它是一種超硬、耐磨、耐高溫的物質(zhì)。下列各組物質(zhì)熔化時(shí)，所克服的粒子間的作用與氮化硅熔化所克服的粒子間的作用相同的是（　?。?/h2>