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2023年山東省實驗中學(xué)高考物理一模試卷
>
試題詳情
如圖所示,在長方體Ⅰ區(qū)域內(nèi),有垂直平面abb'a'的勻強電場,電場強度為E,已知bc長為L,bb'長為2L。Ⅱ區(qū)為電加速區(qū),由間距為d的正中間有小孔S、O的兩個正方形平行金屬板M、N構(gòu)成,金屬板邊長為
l
=
3
2
3
d
,Ⅲ、Ⅳ區(qū)為長方體形狀的磁偏轉(zhuǎn)區(qū),水平間距分別為d、4d,其豎直截面與金屬板形狀相同。Ⅳ區(qū)左右截面的中心分別為O
1
、O
2
,以O(shè)
1
為坐標原點,垂直長方體側(cè)面和金屬板建立x、y和z坐標軸。m、n間勻強電場大小為E,方向沿+y方向;Ⅲ、Ⅳ區(qū)的勻強磁場大小相等、方向分別沿+z、-z方向?,F(xiàn)有一電荷量為+q、質(zhì)量為m的粒子以某一初速度從c點沿平面cbb'c'進入電場區(qū)域,經(jīng)b'點垂直平面a'b'c'd'由小孔S沿+y方向進入Ⅱ區(qū),經(jīng)過一段時間后恰好能返回到小孔S,不考慮粒子的重力。求:
(1)粒子經(jīng)過b'點的速度大小v
0
;
(2)粒子經(jīng)過小孔O時的速度大小v;
(3)粒子在磁場中相鄰兩次經(jīng)過小孔O時運動的時間及磁感應(yīng)強度B的大小;
(4)若在Ⅲ區(qū)中+x方向增加一個附加勻強磁場,可使粒子經(jīng)過小孔O后恰好不能進入到Ⅳ區(qū),并直接從Ⅲ區(qū)前表面(+x方向一側(cè))的P點飛出,求P點坐標(x
p
,y
p
,z
p
)。
【考點】
帶電粒子由磁場進入電場中的運動
.
【答案】
見試題解答內(nèi)容
【解答】
【點評】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
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發(fā)布:2024/6/27 10:35:59
組卷:22
引用:2
難度:0.1
相似題
1.
半導(dǎo)體摻雜是集成電路生產(chǎn)中最基礎(chǔ)的工作,某公司開發(fā)的第一代晶圓摻雜機主要由三部分組成:離子發(fā)生器,控制器和標靶。簡化模型如圖所示,離子發(fā)生器產(chǎn)生電量為+q,質(zhì)量為m的離子,以足夠大速度v
0
沿電場的中央軸線飛入電場;控制器由靠得很近的平行金屬板A、B和相互靠近的兩個電磁線圈構(gòu)成(忽略邊緣效應(yīng)),極板A、B長為L
1
,間距為d,加上電壓時兩板間的電場可當(dāng)作勻強電場,兩電磁線圈間的圓柱形磁場可以當(dāng)作勻強磁場,磁感應(yīng)強度與電流的關(guān)系B=kI,k為常數(shù),勻強電場與(柱形)勻強磁場的中軸線互相垂直相交,磁場橫截面的半徑為r
0
;標靶是半徑為R的單晶硅晶圓,并以晶圓圓心為坐標原點,建立Oxy正交坐標系。晶圓與勻強電場的中軸線垂直,與勻強磁場的中軸線平行,且與勻強電場中心和柱形勻強磁場中軸線的距離分別為L
2
和L
3
,其中R=
3
L
3
。U
AB
=0,I=0時,離子恰好打到晶圓的(0,0)點。
(1)當(dāng)I=0,U
AB
=U
1
時,離子恰好能打到(0,-R)點,求U
1
的值。
(2)當(dāng)U
AB
=0,I=I
1
時,離子能打到點(R,0),求I
1
的值。
(3)試導(dǎo)出離子打到晶圓上位置(x,y)與U
AB
和I的關(guān)系式。(提示:tanθ=
2
tan
θ
2
1
-
tan
2
θ
2
)
發(fā)布:2024/11/12 19:30:1
組卷:284
引用:3
難度:0.1
解析
2.
“太空粒子探測器”是安裝在國際空間站上的一種探測宇宙射線的試驗設(shè)備,由加速裝置、偏轉(zhuǎn)裝置和收集裝置三部分組成。其簡化原理圖如圖所示,兩個同心扇形圓弧面PQ、MN之間存在輻射狀的加速電場,方向由內(nèi)弧面指向外弧面,圓心為O,兩弧面間的電勢差為U,右側(cè)邊長為L的正方形邊界abcd內(nèi)存在垂直紙面向里的勻強磁場,其大小為B(可調(diào)節(jié)),O點為ad邊界的中點,PO、QO與ad邊界的夾角均為30°。假設(shè)太空中質(zhì)量為m、電荷量為e的帶負電粒子,均能均勻地吸附到外弧面PQ的右側(cè)面上,由靜止經(jīng)電場加速后穿過內(nèi)弧面均從O點進入磁場,不計粒子重力、粒子間的作用力及碰撞,下列說法正確的是( ?。?/h2>
A.粒子到達O點時的速率
v
0
=
2
e
U
m
B.若從O點垂直于ad邊界射入磁場的粒子恰能從c點離開,則
B
=
5
4
L
2
m
U
e
C.若沿PO方向射入磁場的粒子恰好從d點射出磁場,此時
B
=
1
L
2
m
U
e
D.若要求外弧面PQ上所有的粒子均從cd邊射出磁場,則B值的取值范圍為
(
2
+
3
)
2
L
2
m
U
e
<
B
<
2
L
2
m
U
e
發(fā)布:2024/10/26 23:0:1
組卷:75
引用:1
難度:0.7
解析
3.
如圖所示,以棱長為L的正方體頂點O為原點建立三維坐標系Oxyz,其中正方體的頂點P落在x軸上,頂點Q落在y軸上。一質(zhì)量為m、電荷量為+q的帶電粒子(重力不計)由Q點沿x軸正方向以初速度v
0
射入正方體,第一次只加沿z軸負方向磁感應(yīng)強度大小為B的勻強磁場,該粒子恰好能通過OQ的中點;第二次只加沿y軸負方向電場強度大小為E的勻強電場,該粒子恰好能通過OP的中點;第三次同時加上與前兩次等大的磁場和電場,其中磁場方向不變,將電場方向調(diào)整為與yOz平面平行,與z軸正方向成30°角、與y軸正方向成60°角。則( ?。?/h2>
A.第一次和第二次該粒子在正方體內(nèi)運動的時間相等
B.電場強度和磁感應(yīng)強度的大小滿足E=v
0
B
C.第三次該粒子的運動為勻變速曲線運動
D.第三次該粒子離開正方體時的位置坐標為(L,L,L)
發(fā)布:2024/11/9 5:0:1
組卷:118
引用:1
難度:0.6
解析
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