鍺及其化合物廣泛用于半導(dǎo)體、催化劑、光伏、制藥工業(yè)?；卮鹣铝袉?wèn)題：
（1）鍺的基態(tài)原子核外電子排布式為

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p²

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p²

。
（2）硅、鍺、鉛的氯化物的熔點(diǎn)如下表：

物質(zhì)	SiCl4	GeCl4	PbCl4
熔點(diǎn)（℃）	-70	約-50	-15

①GeCl₄的分子空間構(gòu)型為

正四面體

正四面體

。
②熔點(diǎn)SiCl₄＜GeCl₄＜PbCl₄的原因是

硅、鍺、錫、鉛的氯化物均為分子晶體，隨著相對(duì)分子質(zhì)量增大，分子間作用力增強(qiáng)，熔點(diǎn)逐漸升高

硅、鍺、錫、鉛的氯化物均為分子晶體，隨著相對(duì)分子質(zhì)量增大，分子間作用力增強(qiáng)，熔點(diǎn)逐漸升高

。
（3）有機(jī)鍺被稱(chēng)為“生命的奇效元素”，在醫(yī)療上具有重要應(yīng)用。一種鍺的有機(jī)配合物合成方法如圖：

該有機(jī)配合物中鍺的配位數(shù)為

6

6

，其陰離子中C、Ge、O元素的第一電離能從大到小順序?yàn)?

O、C、Ge

O、C、Ge

。
（4）一種含鍺的化合物應(yīng)用于太陽(yáng)能電池，其晶胞為長(zhǎng)方體，結(jié)構(gòu)如圖（a）：

①該鍺化合物晶胞的表示方式有多種，圖中

bd

bd

（填“b”“c”或“d”）圖也能表示此化合物的晶胞。
②用N_A表示阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值，計(jì)算晶胞（a）密度為

486

×

1

0

21

N

A

xyz

486

×

1

0

21

N

A

xyz

g?cm^-3（用含x、y、z和N_A的式子表示）。