下列關于C、Si及其化合物結構與性質的論述錯誤的是( )
1 0 n 1 1 H |
【答案】B
【解答】
【點評】
聲明:本試題解析著作權屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復制發(fā)布。
發(fā)布:2024/8/29 4:0:8組卷:44引用:1難度:0.7
相似題
-
1.AlN、GaN屬于第三代半導體材料,二者成鍵結構與金剛石相似,晶體中只存在N-Al鍵、N-Ga鍵。下列說法錯誤的是( )
A.GaN的熔點高于AlN B.晶體中所有化學鍵均為極性鍵 C.晶體中所有原子均采取sp3雜化 D.晶體中所有原子的配位數(shù)均相同 發(fā)布:2024/12/17 15:30:2組卷:507引用:5難度:0.6 -
2.關于晶體,下列有關敘述不正確的是( ?。?/h2>
A.利用超分子的分子識別特征,可以分離C60和C70 B.晶體內部離子在微觀空間呈周期性有序排列,使晶體具有各向異性 C.可通過X-射線衍射實驗區(qū)分晶體和非晶體 D.“硅-炭黑晶體管”為一種新型材料,硅、炭黑均屬于晶體 發(fā)布:2024/12/1 10:0:1組卷:38引用:2難度:0.7 -
3.下列判斷正確的是( )
A.硬度:金剛石<碳化硅<晶體硅 B.沸點:SiCl4>SiBr4>Sil4 C.鍵的極性:Cl-I>Br-I D.熱穩(wěn)定性:HF<HCl<HBr 發(fā)布:2024/11/29 8:0:15組卷:245引用:3難度:0.7
把好題分享給你的好友吧~~