當前位置： 2023年遼寧省撫順市普通高中高考化學模擬試卷> 試題詳情

砷化鎵（GaAs）作為第二代半導體材料的代表，是目前研究最成熟、生產(chǎn)量最大的半導體材料。GaAs晶胞結構如圖所示，晶胞邊長為apm,下列說法正確的是（　?。?/h1>

A．GaAs屬于離子晶體

B．基態(tài)砷原子價電子排布圖為菁優(yōu)網(wǎng)

C．As的配位數(shù)為4

D．該晶體密度為

g/cm³

【考點】晶胞的計算．

【答案】C

【解答】

【點評】

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發(fā)布：2024/11/2 4:0:1組卷：70引用：3難度：0.7

相似題

1．18-冠-6是冠醚的一種，是有機合成中重要的相轉移催化劑，其結構如圖A所示，回答下列問題：

（1）18-冠-6中碳原子核外電子有

種不同的空間運動狀態(tài)，氧原子的雜化類型為

。
（2）冠醚在水相和油相均有一定的溶解度，其中能表示18-冠-6在油相中結構的圖是

（填“B”或“C”），18-冠-6與水分子間可形成

。
（3）K⁺與18-冠-6的空腔大小相近，恰好能進入到環(huán)內(nèi)，且與氧原子孤電子對作用形成穩(wěn)定的超分子結構，如圖D。這體現(xiàn)出超分子的

特征。
（4）若18-冠-6的部分氫原子被氟原子取代，與K⁺形成的超分子穩(wěn)定性將

（填“增強”或“減弱”），原因是

。
（5）某種鉀氧化物的晶胞如圖E所示，K⁺的配位數(shù)為

，已知晶胞邊長為anm,則該鉀氧化物的密度為

g?cm^-3。
發(fā)布：2024/11/1 21:30:2組卷：63引用：2難度：0.5
解析
2．
過渡金屬元素及其化合物的應用廣泛，是科學家們進行前沿研究的方向之一．
（1）基態(tài)Cu原子核外K、L層電子的電子云有

種不同的伸展方向．
（2）鋅化銅是一種金屬互化物，元素銅的第二電離能

（填“大于”、“小于”或“等于”）鋅的第二電離能，理由是

．
（3）[Co（DMSO）₆]（ClO₄）₂是一種紫色晶體，其中DMSO為二甲基亞砜，化學式為（CH₃）₂SO．（CH₃）₂SO中C-S-O的鍵角

（填“大于”、“小于”或“等于”）CH₃COCH₃中C-C-O的鍵角，理由是

；元素S、Cl、O的電負性由大到小的順序為

．
（4）利用CuSO₄和NaOH制備的Cu（OH）₂懸濁液檢驗醛基時，生成紅色的Cu₂O，其晶胞結構如圖所示．
①該晶胞原子坐標參數(shù)A為（0，0，0）；C為
（
1
2
，
1
2
，
1
2
）
．則D原子的坐標參數(shù)為

．
②若Cu₂O晶體密度為dg?cm^-3，晶胞參數(shù)為apm,則阿伏加德羅常數(shù)值N_A為

（用含d和a的式子表示）．
發(fā)布：2024/11/2 6:30:2組卷：16引用：1難度：0.5
解析
3．一種鈷的氧化物在納米儲能領域研究廣泛，其晶胞結構如圖所示（白球為Co,黑球為O），已知該晶胞參數(shù)為apm,阿伏伽德羅常數(shù)為N_A。下列說法錯誤的是（　?。?/h2>
A．該晶體的化學式為CoO
B．基態(tài)Co原子有3個未成對電子
C．與O原子最近且等距離的O原子有12個
D．氧化物的摩爾體積
a
3
×
10
-
36
×
N
A
4
cm³?mol^-1
發(fā)布：2024/11/1 22:30:2組卷：44引用：2難度：0.7
解析

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砷化鎵（GaAs）作為第二代半導體材料的代表，是目前研究最成熟、生產(chǎn)量最大的半導體材料。GaAs晶胞結構如圖所示，晶胞邊長為apm,下列說法正確的是（ ?。?/h1>

3．一種鈷的氧化物在納米儲能領域研究廣泛，其晶胞結構如圖所示（白球為Co,黑球為O），已知該晶胞參數(shù)為apm,阿伏伽德羅常數(shù)為NA。下列說法錯誤的是（ ?。?/h2>

砷化鎵（GaAs）作為第二代半導體材料的代表，是目前研究最成熟、生產(chǎn)量最大的半導體材料。GaAs晶胞結構如圖所示，晶胞邊長為apm,下列說法正確的是（　?。?/h1>

3．一種鈷的氧化物在納米儲能領域研究廣泛，其晶胞結構如圖所示（白球為Co,黑球為O），已知該晶胞參數(shù)為apm,阿伏伽德羅常數(shù)為N_A。下列說法錯誤的是（　?。?/h2>