2021年河南省鄭州外國語學校高考化學全真模擬試卷（一）
發(fā)布：2024/12/27 17:0:4
一、選擇題：本大題共7小題，每小題6分，共78分。在每小題給出的四個選項中，只有一項是符合題目要求的。
-
1．化學與生活密切相關(guān)，下列說法中不正確的是（ ?。?/h2>
組卷：4引用：1難度：0.6 -
2．設NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，下列說法正確的是（ ?。?/h2>
組卷：5引用：1難度：0.6 -
3．X、Y、Z、M、Q五種短周期非金屬元素，原子序數(shù)依次增大。原子半徑：Q＞Y＞Z＞M＞X。其中Y和Q同主族，M是地殼中含量最高的元素。下列說法正確的是（ ?。?/h2>
組卷：7引用：1難度：0.5 -
4．利用如圖裝置，進行NH3和金屬氧化物MxOy反應生成M、N2、H2O，通過測定生成水的質(zhì)量來測定M的相對原子質(zhì)量（必要時裝置可重復使用），下列說法正確的是（ ?。?/h2>組卷：7引用：1難度：0.7
【選修3-3】
-
11．半導體晶體是半導體工業(yè)的主要基礎原料，第一代半導體代表材料是鍺（Ge）單晶和硅單晶（Si），他們的出現(xiàn)實現(xiàn)了超大規(guī)模集成電路，第二代砷化鎵（GaAs）等化合物半導體制成的激光器成為光通信系統(tǒng)中的關(guān)鍵器件，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、金剛石、氮化鋁（AlN）等屬于第三代半導體材料，又被稱為高溫半導體材料。
（1）Ge的核外電子排布式為[Ar]，其核外電子空間運動狀態(tài)有種。
（2）第四周期第一電離能介于Ga和As之間的主族元素有（寫元素符號），砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反應制得，AsH3的空間構(gòu)型為，（CH3）3Ga中Ga的雜化方式為。
（3）NH3，PH3，AsH3還原性由大到小順序為，沸點由大到小順序為，鍵角由大到小順序為，鍵角變化規(guī)律的原因是。
（4）碳化硅結(jié)構(gòu)與金剛石類似，C原子為面心立方堆積，Si原子填在C原子組成的四面體空隙中，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖1并建立起圖2坐標系，以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標系可以表示晶胞中各原子的位置，稱作原子分數(shù)坐標，已知頂點C的分數(shù)坐標為（0，0，0），若將離原點最近的Si移至原點，則剩余三個Si的坐標分別為，若晶胞密度為ρg?cm-3，阿伏加德羅常數(shù)為NA，則兩個最近的Si之間的距離為pm。（列出計算表達式）組卷：8引用：1難度：0.5
【選修3-3】
-
12．法華林是一種治療心腦血管疾病的藥物，屬于香豆素類衍生物，其合成路徑如圖：
已知：①法華林的結(jié)構(gòu)簡式：
②
（1）用系統(tǒng)命名法命名水楊酸：；
（2）寫出D與銀氨溶液反應的化學方程式；
（3）物質(zhì)E中的官能團名稱是。M與E反應合成法華林的反應類型為。
（4）滿足下列條件的F的同分異構(gòu)體有種（不考慮立體異構(gòu)）
①遇FeCl3溶液顯紫色
②能發(fā)生水解反應
其中核磁共振氫譜有5組峰，且峰面積之比為2：2：2：1：1的結(jié)構(gòu)簡式為。
（5）K分子中含有兩個酯基，則K的結(jié)構(gòu)簡式是。
（6）以
和（CH3CO）2O為原料制備
，寫出合成路線（無機試劑任選）組卷：39引用：2難度：0.4