12.釷核
Th發(fā)生衰變生成鐳核
Ra并放出一個(gè)粒子.設(shè)該粒子的質(zhì)量為m、電荷量為q,它進(jìn)入電勢(shì)差為U的帶窄縫的平行平板電極S
1和S
2間電場(chǎng)時(shí),其速率為v
0,經(jīng)電場(chǎng)加速后,沿Ox方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、方向垂直紙面向外的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng),Ox垂直平板電極S
2,如圖所示,整個(gè)裝置處于真空中.
(1)寫(xiě)出釷核衰變方程
(2)求粒子離開(kāi)電場(chǎng)時(shí)的速度大小
(3)求粒子在磁場(chǎng)中沿圓弧運(yùn)動(dòng)的軌道半徑R
(4)求粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的周期T.