2023年重慶市主城區(qū)高考物理二診試卷

一、選擇題：共43分（一）單項(xiàng)選擇題：共7題，每題4分，共28分。在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，只有一項(xiàng)是符合題目要求的。

• 1．2021年12月20日，我國(guó)“人造太陽(yáng)”打破世界紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)了1056秒的長(zhǎng)脈沖高參數(shù)等離子體運(yùn)行。其內(nèi)部發(fā)生輕核聚變的核反應(yīng)方程為

  2

  1

  H+

  3

  1

  H→

  4

  2

  He+x,釋放出能量，一段時(shí)間后測(cè)得反應(yīng)物的質(zhì)量虧損了Δm,記光速為c。下列說(shuō)法正確的是（　?。?/h2>

  A．x是β粒子，穿透能力強(qiáng)電離能力弱

  B．這段時(shí)間內(nèi)，輕核聚變釋放的能量為Δmc2

  C．x粒子最早由盧瑟福通過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)的

  D．輕核聚變質(zhì)量虧損，則輕核聚變過(guò)程中質(zhì)量數(shù)不守恒
  組卷：100引用：2難度：0.7

  解析

• 2．如圖甲為某風(fēng)景旅游區(qū)的觀光索道。某段時(shí)間其運(yùn)行的簡(jiǎn)化示意圖如圖乙，纜索傾角為37°，纜車通過(guò)卡扣固定懸掛在纜索上，在纜索的牽引下一起斜向上勻速運(yùn)動(dòng)。已知纜車和卡扣的總質(zhì)量為m,運(yùn)行過(guò)程中纜車始終處于豎直方向，重力加速度為g,sin37°=0.6，cos37°=0.8。下列說(shuō)法正確的是（　?。?br />

  A．纜索對(duì)卡扣的摩擦力為0.6mg

  B．纜索對(duì)卡扣的作用力為0.8mg

  C．卡扣受到的合外力為mg

  D．運(yùn)行過(guò)程中纜車處于超重狀態(tài)
  組卷：180引用：2難度：0.5

  解析

• 3．如圖甲，在垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域中有一開(kāi)口很小的圓形線圈，在線圈開(kāi)口左端連接一阻值為R=6Ω的電阻，一個(gè)電容為C=1.25×10^-3F的電容器與R并聯(lián)。已知圓形線圈面積為0.2m²，圓形線圈電阻為r=4Ω，其余導(dǎo)線電阻不計(jì)，磁感應(yīng)強(qiáng)度B隨時(shí)間t變化的關(guān)系如圖乙所示。在0～4s內(nèi)下列說(shuō)法正確的是（　?。?br />

  A．回路中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)大小為2V

  B．回路中感應(yīng)電流的大小為0.05A

  C．R兩端的電壓為0.12V

  D．電容器充電完成后，上極板帶電量為2.5×10-4C
  組卷：168引用：2難度：0.5

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• 4．某種反光材料是半徑為R、球心為O的半球形，其截面如圖，A、B為半球底面直徑的端點(diǎn)?，F(xiàn)有一組光線從距離O點(diǎn)

  1

  2

  R

  的C點(diǎn)垂直于AB射入半球，光線恰好在球面發(fā)生全反射。則此反光材料的折射率為（　?。?/h2>

  A．1.5

  B．2

  C． 2 3 3

  D． 3
  組卷：262引用：2難度：0.7

  解析

• 5．一定質(zhì)量的理想氣體從狀態(tài)A，經(jīng)狀態(tài)B、狀態(tài)C，最后變化到狀態(tài)A，其變化過(guò)程的p-T圖像如圖，AB的延長(zhǎng)線通過(guò)坐標(biāo)原點(diǎn)，BC平行于T軸，CA平行于p軸。下列說(shuō)法正確的是（　?。?/h2>

  A．A→B過(guò)程中，氣體對(duì)外界做功，溫度降低

  B．B→C過(guò)程中，氣體對(duì)外界做的功大于氣體從外界吸收的熱量

  C．C→A過(guò)程中，外界對(duì)氣體做的功小于氣體向外界放出的熱量

  D．A→B→C過(guò)程中，氣體從外界吸收的熱量大于氣體向外界放出的熱量
  組卷：157引用：2難度：0.5

  解析

二、非選擇題：共5題，共57分。

• 14．如圖，光滑地面上一足夠長(zhǎng)的木板C，其質(zhì)量為2m,木板右端在M處，距M點(diǎn)L處有一質(zhì)量為6m大物塊A，一質(zhì)量為m的滑塊B，以v₀速度滑上木板C左端，滑塊B與木板C間動(dòng)摩擦因數(shù)為μ，滑塊B與木板C共速時(shí)木板C恰好與大物塊A發(fā)生彈性碰撞，且時(shí)間極短?；瑝KB始終未脫離木板C，求：
  （1）滑塊B與木板C間的動(dòng)摩擦因數(shù)；
  （2）木板C與大物塊A碰后瞬間二者速度大小及木板C碰后至靜止所需時(shí)間。
  組卷：60引用：2難度：0.4

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• 15．離子注入是芯片制造中一道重要工序，如圖是其工作示意圖，離子源發(fā)出質(zhì)量為m的離子沿水平方向進(jìn)入速度選擇器，然后從M點(diǎn)進(jìn)入磁分析器（截面為內(nèi)外半徑分別為R₁和R₂的四分之一圓環(huán)），從N點(diǎn)射出，M、N分別為磁分析器ab邊界和cd邊界的中點(diǎn)，接著從棱長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方體偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)上表面中心沿NO豎直注入，偏轉(zhuǎn)后落在與偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)底面平行的距離為

  L

  2

  的水平面晶圓上（O為坐標(biāo)原點(diǎn)）。已知各器件的電場(chǎng)強(qiáng)度均為E，磁感應(yīng)強(qiáng)度均為B，偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中的電場(chǎng)、磁場(chǎng)方向與晶圓面x軸正方向同向。不計(jì)離子重力，打在晶圓上的離子，經(jīng)過(guò)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的角度都很小。當(dāng)θ很小時(shí)，有

  sinθ

  ≈

  tanθ

  ≈

  θ

  ，

  cosθ

  ≈

  1

  -

  1

  2

  θ

  2

  。求：
  （1）離子通過(guò)速度選擇器后的速度大小v及磁分析器選擇出來(lái)離子的電荷量；
  （2）偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)僅加電場(chǎng)時(shí)，離子在穿出偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)整個(gè)過(guò)程中電勢(shì)能的變化量；
  （3）偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)僅加磁場(chǎng)時(shí)，離子注入晶圓的位置坐標(biāo)（x,y）（用R₁、R₂及L表示）。
  
  組卷：41引用：2難度：0.3

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