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2021-2022學(xué)年河南省周口市扶溝縣包屯高級(jí)中學(xué)高二(上)第三次段考物理試卷

發(fā)布:2024/4/20 14:35:0

一、選擇題(本題共12小題,每小題5分,共60分。在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中,第1~8題只有一項(xiàng)符合題目要求,第9~12題有多項(xiàng)符合題目要求。全部選對(duì)的得5分,選對(duì)但不全的得3分,有選錯(cuò)的得0分。)

  • 1.如圖所示,a、b是等量異種點(diǎn)電荷連線的中垂線上的兩點(diǎn),現(xiàn)將某檢驗(yàn)電荷分別放在a、b兩點(diǎn),下列說法中正確的是( ?。?/h2>

    組卷:239引用:4難度:0.7
  • 2.下列導(dǎo)線周圍的磁場(chǎng)分布正確的是( ?。?/h2>

    組卷:15引用:2難度:0.9
  • 3.某同學(xué)用如圖所示的電路測(cè)電阻,電壓表和電流表的讀數(shù)分別為16V和0.2A,已知電流表的內(nèi)阻為0.6Ω,那么有關(guān)待測(cè)電阻Rx的說法正確的是(  )

    組卷:338引用:6難度:0.8
  • 4.如圖所示,某一導(dǎo)體的形狀為長(zhǎng)方體,其長(zhǎng)、寬、高之比為a:b:c=3:2:1.在此長(zhǎng)方體的上下、左右四個(gè)面上分別通過導(dǎo)線引出四個(gè)接線柱1、2、3、4.在1、2兩端加上恒定電壓,導(dǎo)體的電阻為R1;在3、4兩端加上恒定電壓,導(dǎo)體的電阻為R2,則R1:R2為( ?。?/h2>

    組卷:263引用:10難度:0.9
  • 5.下列說法中正確的是( ?。?/h2>

    組卷:94引用:4難度:0.9

三、計(jì)算題(本大題共3小題,共30分.要求寫出必要的文字說明、方程式和重要的演算步驟.答案寫在答題卷的相應(yīng)位置處.)

  • 16.如圖所示,水平導(dǎo)軌間距為L(zhǎng)=1.0m,導(dǎo)軌電阻忽略不計(jì),導(dǎo)體棒ab的質(zhì)量m=0.75kg,電阻R0=1.0Ω,與導(dǎo)軌接觸良好,電源電動(dòng)勢(shì)E=9.0V,內(nèi)阻r=0.50Ω,電阻R=4.0Ω,外加勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=1.5T,方向垂直于導(dǎo)體棒ab,且與導(dǎo)軌平面成θ=53°角,導(dǎo)體棒ab與導(dǎo)軌間動(dòng)摩擦因數(shù)為μ=0.20(設(shè)最大靜摩擦力等于滑動(dòng)摩擦力),定滑輪摩擦不計(jì),細(xì)線對(duì)ab的拉力為水平方向,g取10m/s2,導(dǎo)體棒ab處于靜止?fàn)顟B(tài)。求:
    (1)ab受到的安培力大小和方向;
    (2)重物的重力G的取值范圍。

    組卷:100引用:2難度:0.7
  • 17.在中美貿(mào)易戰(zhàn)中,中興的遭遇告訴我們,要重視芯片的自主研發(fā)工作,而芯片的基礎(chǔ)工作在于半導(dǎo)體的工藝。如圖所示,在半導(dǎo)體離子注入工藝中,初速度可忽略的磷離子P+和P3+,經(jīng)電壓為U的電場(chǎng)加速后,垂直進(jìn)入方向垂直紙面向里、寬度為D的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,其中離子P+在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過θ=30°后從磁場(chǎng)右邊界射出。已知P+和P3+的質(zhì)量均為m,而電量分別為e和3e(e表示元電荷)。
    (1)求勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大??;
    (2)求P3+在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過的角度φ。

    組卷:170引用:8難度:0.7
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