2022-2023學(xué)年天津市濱海新區(qū)塘沽一中高三（上）期中物理試卷

一、單項(xiàng)選擇題

• 1．下列說(shuō)法不正確的是（　?。?/h2>

  A．動(dòng)量定理與牛頓第二定律的物理實(shí)質(zhì)不相同，動(dòng)量定理有時(shí)用起來(lái)更方便

  B．力與力的作用時(shí)間的乘積叫做力的沖量，它反映了力的作用對(duì)時(shí)間的累積效應(yīng)，是一個(gè)矢量

  C．根據(jù) F = Δ p Δ t ，可把牛頓第二定律表述為：物體動(dòng)量的變化率等于它所受的合外力

  D．易碎品運(yùn)輸時(shí)要用柔軟材料包裝，船舷常常懸掛舊輪胎，都是為了延長(zhǎng)作用時(shí)間以減小作用力
  組卷：84引用：2難度：0.7

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• 2．如圖所示，小球由靜止從同一出發(fā)點(diǎn)到達(dá)相同的終點(diǎn)，發(fā)現(xiàn)小球從B軌道滑下用時(shí)最短，C軌道次之，A軌道最長(zhǎng)，B軌道軌跡被稱為最速降線，設(shè)計(jì)師在設(shè)計(jì)過(guò)山車(chē)時(shí)大多采用B軌道。若忽略各種阻力，下列說(shuō)法正確的是（　?。?/h2>

  A．由機(jī)械能守恒，小球在三條軌道的終點(diǎn)處速度相同

  B．三條軌道中小球沿B軌道滑下過(guò)程重力做功的平均功率最大

  C．沿C軌道滑下軌道對(duì)小球的支持力做功最多

  D．B軌道中小球運(yùn)動(dòng)的加速度始終大于A軌道中小球運(yùn)動(dòng)的加速度
  組卷：133引用：3難度：0.7

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• 3．如圖所示，下列說(shuō)法正確的是（　?。?/h2>

  A． 圖為等量同種點(diǎn)電荷形成的電場(chǎng)線

  B． 圖離點(diǎn)電荷距離相等的a、b兩點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)相同

  C． 圖中在c點(diǎn)靜止釋放一正電荷，可以沿著電場(chǎng)線運(yùn)動(dòng)到d點(diǎn)

  D． 圖中某一電荷放在e點(diǎn)與放到f點(diǎn)（兩點(diǎn)到極板距離相等），電勢(shì)能相同
  組卷：218引用：3難度：0.7

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• 4．如圖所示，放在水平地面上的光滑絕緣圓筒內(nèi)有兩個(gè)帶正電小球A，B，A位于筒底靠在左側(cè)壁處，B在右側(cè)筒壁上受到A的斥力作用處于靜止。若筒壁豎直，A的電量保持不變，B由于漏電而下降少許后重新平衡，下列說(shuō)法中正確的是（　　）

  A．小球A對(duì)筒底的壓力變大

  B．小球A，B間的庫(kù)侖力不變

  C．小球B對(duì)筒壁的壓力變大

  D．小球A，B間的庫(kù)侖力變小
  組卷：234引用：2難度：0.5

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三、實(shí)驗(yàn)題

• 12．某高校研制小組設(shè)計(jì)了一種防墜電梯磁緩沖裝置，其結(jié)構(gòu)示意圖如圖所示.當(dāng)電梯發(fā)生下墜故障時(shí)，在NMPQ區(qū)域產(chǎn)生磁感應(yīng)強(qiáng)度足夠大的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B.固定在地面的重物A.上繞有總電阻為R的單匝閉合矩形線圈，轎廂系統(tǒng)的總質(zhì)量為m,ab長(zhǎng)為L(zhǎng).當(dāng)轎廂系統(tǒng)底部NQ與線圈頂部ab重合時(shí)，轎廂系統(tǒng)的速度為V₀，繼續(xù)下降距離h時(shí)，速度達(dá)到最小值，且此時(shí)MP未碰到彈簧，重力加速度為g.求：
  （1）轎廂系統(tǒng)速度為v_o時(shí)，線圈中的感應(yīng)電流大小I；
  （2）轎廂系統(tǒng)下落h的過(guò)程中，線圈中產(chǎn)生的焦耳熱Q；
  （3）轎廂系統(tǒng)下落h的過(guò)程所用的時(shí)間t.
  組卷：111引用：4難度：0.3

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• 13．在芯片制造過(guò)程中，離子注入是其中一道重要的工序。如圖甲所示是離子注入工作原理的示意圖，靜止于A處的離子，經(jīng)電壓為U的加速電場(chǎng)加速后，沿圖中圓弧虛線通過(guò)半徑為R₀的

  1

  4

  圓弧形靜電分析器（靜電分析器通道內(nèi)有均勻輻向分布的電場(chǎng)）后，從P點(diǎn)沿豎直方向進(jìn)入半徑為r的圓形勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，該圓形磁場(chǎng)區(qū)域的直徑PQ與豎直方向成15°，經(jīng)磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)，最后打在豎直放置的硅片上。離子的質(zhì)量為m、電荷量為q,不計(jì)離子重力。求：
  （1）離子進(jìn)入圓形勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域時(shí)的速度大小v；
  （2）靜電分析器通道內(nèi)虛線處電場(chǎng)強(qiáng)度的大小E₀；
  （3）若磁場(chǎng)方向垂直紙面向外，離子從磁場(chǎng)邊緣上某點(diǎn)出磁場(chǎng)時(shí)，可以垂直打到硅片上，求圓形區(qū)域內(nèi)勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B₀的大小。
  組卷：197引用：5難度：0.5

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