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901．如圖，理想變壓器原線圈匝數(shù)為N，有兩個(gè)接有電阻阻值均為R的獨(dú)立副線圈甲、乙?，F(xiàn)測得線圈甲上的電流I1，線圈乙上的電流為I2，原線圈電壓為U，則（ ?。?/h2>發(fā)布：2024/12/29 21:0:1組卷：83引用：2難度：0.6902．在新冠肺炎疫情防控時(shí)期，我們經(jīng)常需要測量體溫，某同學(xué)利用老師提供的一熱敏電阻（阻值隨溫度的升高線性增加）設(shè)計(jì)了一個(gè)簡易電子測溫裝置，他進(jìn)行了如下操作：
（1）由于該同學(xué)不知熱敏電阻的詳細(xì)參數(shù)，為了測量熱敏電阻R阻值隨溫度變化的關(guān)系，該同學(xué)設(shè)計(jì)了如圖1所示的電路，他們的實(shí)驗(yàn)步驟如下。
①先將單刀雙擲開關(guān)S擲向1，調(diào)節(jié)熱敏電阻的溫度t1，記下電流表的相應(yīng)示數(shù)I1；
②然后將單刀雙擲開關(guān)S擲向2，調(diào)節(jié)電阻箱使電流表的讀數(shù)為 ，記下電阻箱相應(yīng)的示數(shù)R1；
③逐步升高溫度的數(shù)值，每一溫度下重復(fù)步驟①②；
④根據(jù)實(shí)驗(yàn)測得的數(shù)據(jù)，作出了R隨溫度t變化的圖像如圖2所示。
（2）設(shè)計(jì)電子測溫裝置，實(shí)驗(yàn)室提供了如下器材：
A．干電池，電動勢為1.5V，內(nèi)阻不計(jì)；
B．靈敏毫安表，量程10mA，內(nèi)阻RA為10Ω；
C．滑動變阻器R1；
開關(guān)、導(dǎo)線若干。
該同學(xué)計(jì)劃設(shè)計(jì)測溫范圍為0℃～50℃，設(shè)計(jì)了如圖3所示的電路圖，并進(jìn)行了如下操作：
①調(diào)節(jié)熱敏電阻的溫度為0℃，調(diào)節(jié)滑動變阻器R，使毫安表指針滿偏后保持滑動變阻器R1阻值不變；
②寫出毫安表的電流值I（A）和溫度t（℃）的關(guān)系式 ；
③根據(jù)關(guān)系式將毫安表刻度盤上的電流值改寫為溫度值；
④若干電池用久了其電源電動勢不變，而其內(nèi)阻變大，無法忽略不計(jì)，保持R1不變。測量結(jié)果將會 （填“偏大”“偏小”或“不變”）。發(fā)布：2024/12/29 21:0:1組卷：47引用：3難度：0.6903．下列圖片源于教科書。關(guān)于它們情景的說法中正確的是（ ?。?br />
發(fā)布：2024/12/29 21:0:1組卷：167引用：3難度：0.4
904．如圖，一玻璃裝置放在水平桌面上，豎直玻璃管A、B、C粗細(xì)均勻，A、B兩管的上端封閉，C管上端開口，三管的下端在同一水平面內(nèi)且相互連通。A、B兩管的長度分別為l1=13.5cm,l2=32cm。將水銀從C管緩慢注入，直至B、C兩管內(nèi)水銀柱的高度差h=5cm。已知外界大氣壓為p0=75cmHg。求A、B兩管內(nèi)水銀柱的高度差。發(fā)布：2024/12/29 21:0:1組卷：2881引用：5難度：0.5905．一個(gè)物體做勻加速直線運(yùn)動，它在第2s內(nèi)的位移為3m,則下列說法正確的是（ ?。?/h2>
發(fā)布：2024/12/29 21:0:1組卷：41引用：2難度：0.7
906．直升機(jī)懸停在空中向地面投放裝有救災(zāi)物資的箱子，如圖所示。設(shè)投放初速度為零，箱子所受的空氣阻力與箱子下落速度的平方成正比，且運(yùn)動過程中箱子始終保持圖示姿態(tài)。在箱子下落過程中，下列說法正確的是（ ）發(fā)布：2024/12/29 21:0:1組卷：108引用：2難度：0.8
907．如圖，在水中有一厚度不計(jì)的薄玻璃片制成的中空三棱鏡，里面是空氣，一束光A從棱鏡的左邊射入，從三棱鏡的右邊射出時(shí)發(fā)生色散，射出的可見光分布在a點(diǎn)和b點(diǎn)之間，則下列說法正確的是（ ）發(fā)布：2024/12/29 21:0:1組卷：151引用：5難度：0.5908．芯片制造過程有極其復(fù)雜的工藝，其中離子注入是一道重要的工序，該工作原理如圖所示：離子經(jīng)加速后沿水平方向進(jìn)入速度選擇器，離子在速度選擇器中做勻速直線運(yùn)動，然后通過磁分析器，選擇出特定比荷的離子，經(jīng)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)后注入到水平面內(nèi)的晶圓（硅片）處。速度選擇器中勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B，方向垂直紙面向外，勻強(qiáng)電場場強(qiáng)大小為E，方向豎直向上；磁分析器截面是內(nèi)外半徑分別為R1和R2的四分之一圓環(huán)，其兩端中心位置M和N處各有一個(gè)小孔，磁分析器中勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B，方向垂直紙面向外；偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中電場和磁場的分布區(qū)域是同一棱長為L的正方體，底面與晶圓所在的水平面重合，偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、勻強(qiáng)電場場強(qiáng)大小為E，它們的方向均垂直紙面向外；從磁分析器N處小孔射出的離子自偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)上表面的中心射入，當(dāng)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)不加電場及磁場時(shí)，離子恰好豎直注入到晶圓上的O點(diǎn)。以O(shè)點(diǎn)為坐標(biāo)原點(diǎn)，偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中B的方向?yàn)閤軸正方向，水平向左為y軸正方向，建立平面直角坐標(biāo)系。整個(gè)系統(tǒng)置于真空中，不計(jì)離子重力，打到晶圓上的離子經(jīng)過電場和磁場偏轉(zhuǎn)的角度都很小，而當(dāng)α很小時(shí)，有以下近似計(jì)算：sinα≈α，
。求：1-cosα≈α22
（1）離子的電性及通過速度選擇器后的速度大??；
（2）從磁分析器出來的離子的比荷；
（3）偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)同時(shí)加上電場和磁場時(shí)，離子注入晶圓的位置坐標(biāo)。
發(fā)布：2024/12/29 20:30:1組卷：67引用：5難度：0.6
909．如圖，空間某區(qū)域內(nèi)存在沿水平方向的勻強(qiáng)磁場，一正方形閉合金屬線框自磁場上方某處釋放后穿過磁場，整個(gè)過程線框平面始終豎直，線框邊長小于磁場區(qū)域上下寬度。以線框剛進(jìn)入磁場時(shí)為計(jì)時(shí)起點(diǎn)，下列描述線框所受安培力F隨時(shí)間t變化關(guān)系的圖中，不正確的是（ ?。?/h2>發(fā)布：2024/12/29 20:30:1組卷：234引用：3難度：0.7
910．如圖所示，在勻強(qiáng)磁場中放有平行銅導(dǎo)軌，它與大線圈M相連接．要使小線圈N獲得順時(shí)針方向的感應(yīng)電流，則放在導(dǎo)軌上的裸金屬棒ab的運(yùn)動情況是（ ?。?/h2>發(fā)布：2024/12/29 20:30:1組卷：271引用：18難度：0.7
