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2761.硅及其化合物的開發(fā)由來已久,在現(xiàn)代生活中有廣泛應(yīng)用.回答下列問題.
(1)高純硅是現(xiàn)代信息、半導(dǎo)體和光伏發(fā)電等產(chǎn)業(yè)都需要的基礎(chǔ)材料.工業(yè)上提純硅有多種路線,其中一種工藝流程示意圖及主要反應(yīng)如圖.發(fā)生的主要反應(yīng) 電弧爐 SiO2+2C Si+2CO↑1600-1800℃流化床反應(yīng)器 Si+3HCl SiHCl3+H2250-300還原爐
②在流化床反應(yīng)的產(chǎn)物中,SiHCl3大約占85%,還有SiCl4、SiH2Cl2、SiH3Cl等,有關(guān)物質(zhì)的沸點(diǎn)數(shù)據(jù)如下表,提純SiHCl3的主要工藝操作依次是沉降、冷凝和物質(zhì) Si SiCl4 SiHCl3 SiH2Cl2 SiH3Cl HCl SiH4 沸點(diǎn)/℃ 2355 57.6 31.8 8.2 -30.4 -84.9 -111.9
(2)氮化硅(Si3N4)是一種高溫結(jié)構(gòu)材料,粉末狀態(tài)的Si3N4可以由SiCl4的蒸氣和NH3反應(yīng)制取.粉末狀Si3N4遇空氣和水都不穩(wěn)定.但將粉末狀的Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105Pa和185℃的密閉容器中進(jìn)行熱處理,可以制得結(jié)構(gòu)十分緊密、對空氣和水都相當(dāng)穩(wěn)定的固體材料,同時還得到遇水不穩(wěn)定的Mg3N2.
①由SiCl4和NH3反應(yīng)制取Si3N4的化學(xué)方程式為
②四氯化硅和氮?dú)庠跉錃鈿夥毡Wo(hù)下,加強(qiáng)熱發(fā)生反應(yīng),使生成的Si3N4沉積在石墨表面可得較高純度的氮化硅,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為
③Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105Pa和185℃的密閉容器中進(jìn)行熱處理的過程中,除生成Mg3N2外,還可能生成發(fā)布:2024/12/26 8:0:1組卷:29引用:1難度:0.52762.含硅元素的化合物廣泛存在于自然界中,與其他礦物共同構(gòu)成巖石.晶體硅(熔點(diǎn) 1410℃)用途廣泛,制取與提純方法有多種.
(1)煉鋼開始和結(jié)束階段都可能發(fā)生反應(yīng):Si+2FeO2Fe+SiO2,其目的是高溫
A.得到副產(chǎn)品硅酸鹽水泥
B.制取SiO2,提升鋼的硬度
C.除去生鐵中過多的Si雜質(zhì)
D.除過量FeO,防止鋼變脆
(2)一種由粗硅制純硅過程如下:Si(粗)SiCl4Cl2460℃SiCl4(純)蒸餾Si(純),在上述由SiCl4制純硅的反應(yīng)中,測得每生成 1.12kg純硅需吸收akJ熱量,寫出該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式:H21100℃
對于鈉的鹵化物(NaX)和硅的鹵化物(SiX4)下列敘述正確的是
A.NaX易水解
B.SiX4是共價化合物
C.NaX的熔點(diǎn)一般高于SiX4 D.SiF4晶體是由共價鍵形成的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)
(3)粗硅經(jīng)系列反應(yīng)可生成硅烷(SiH4),硅烷分解也可以生成高純硅.硅烷的熱穩(wěn)定性弱于甲烷,所以Si元素的非金屬性弱于C元素,用原子結(jié)構(gòu)解釋其原因:
(4)此外,還可以將粗硅轉(zhuǎn)化成三氯氫硅(SiHCl3),通過反應(yīng):SiHCl3(g)+H2(g)?Si(s)+3HCl(g)制得高純硅.不同溫度下,SiHCl3的平衡轉(zhuǎn)化率隨反應(yīng)物的投料比(反應(yīng)初始時,各反應(yīng)物的物質(zhì)的量之比)的變化關(guān)系如下圖所示.下列說法正確的是
a.該反應(yīng)的平衡常數(shù)隨溫度升高而增大
b.橫坐標(biāo)表示的投料比應(yīng)該是n(SiHCl3)n(H2)
c.實(shí)際生產(chǎn)中為提高SiHCl3的利用率,可適當(dāng)降低壓強(qiáng)
(5)硅元素最高價氧化物對應(yīng)的水化物是H2SiO3.室溫下,0.1mol/L的硅酸鈉溶液和0.1mol/L的碳酸鈉溶液,堿性更強(qiáng)的是
已知:H2SiO3:Ki1=2.0×10-10 Ki2=1.0×10-12 H2CO3:Ki1=4.3×10-7 Ki2=5.6×10-11.發(fā)布:2024/12/26 8:0:1組卷:89引用:1難度:0.52763.正丁醚制備原理為2CH3CH2CH2CH2OH
CH3CH2CH2CH2OCH2CH2CH2CH3+H2O。濃H2SO4135℃
實(shí)驗(yàn)裝置圖如圖:
實(shí)驗(yàn)步驟:
Ⅰ.在三頸燒瓶中,加入0.16mol正丁醇、濃硫酸和沸石,按圖連接裝置。先在分水器內(nèi)預(yù)先加水至支管處,小心開啟旋塞放出XmL。然后小火加熱保持反應(yīng)物微沸,回流分水。
Ⅱ.反應(yīng)結(jié)束后將反應(yīng)液和25mL水在分液漏斗中混合,充分搖振靜置分層后棄去水層,粗產(chǎn)物依次用等體積5%NaOH溶液、蒸餾水和飽和CaCl2溶液洗滌,然后用1g無水氯化鈣干燥。過濾后的產(chǎn)物加入25mL蒸餾瓶中,蒸餾收集到9.1g產(chǎn)品。
請回答下列問題:
(1)儀器B的名稱為
(2)分水器使用前
A.0~1
B.1~2
C.2~3
(3)已知正丁醚難溶于水,正丁醇微溶于水,易溶于醚,分水器在本實(shí)驗(yàn)中的可能作用是
A.移走生成物水,同時讓正丁醇、正丁醚回到反應(yīng)瓶,提高正丁醇的轉(zhuǎn)化率
B.冷凝回流正丁醇、正丁醚和水
C.實(shí)驗(yàn)過程中分水器內(nèi)會出現(xiàn)分層現(xiàn)象,當(dāng)分水器全部被水充滿時,停止反應(yīng)
(4)簡述步驟Ⅱ中反應(yīng)液和25mL水在分液漏斗中的混合方法:
(5)本實(shí)驗(yàn)粗產(chǎn)物依次用水洗滌是為了除去殘留的NaOH,用飽和CaCl2溶液洗滌是除去殘留的正丁醇,能不能省去水洗步驟而直接用飽和CaCl2溶液洗滌?
(6)最后收集到正丁醚的產(chǎn)率為發(fā)布:2024/12/24 8:0:2組卷:3引用:1難度:0.52764.W、X、Y、Z四種元素都位于短周期,它們的原子序數(shù)依次遞增。W原子核內(nèi)只有一個質(zhì)子,X原子的核外電子總數(shù)與Z原子的最外層電子數(shù)相等,W和X的主族序數(shù)之和與Y的主族序數(shù)相等,Z通常能形成Z2和Z3兩種單質(zhì)。其中Z2是空氣的主要成分之一。下列說法正確的是( ?。?/h2>
發(fā)布:2024/12/22 11:0:4組卷:57引用:2難度:0.52765.化學(xué)與生產(chǎn)、生活密切相關(guān)。下列說法正確的是( ?。?/h2>
發(fā)布:2024/12/22 11:0:4組卷:46引用:1難度:0.52766.四溴化鈦(TiBr4)可用作橡膠工業(yè)中烯烴聚合反應(yīng)的催化劑,常溫下為橙黃色固體,熔點(diǎn):38.3℃,沸點(diǎn)233.5℃,具有潮解性且易發(fā)生水解。實(shí)驗(yàn)室利用反應(yīng)TiO2+C+2Br2
TiBr4+CO2來制備TiBr4,裝置如圖所示。下列說法錯誤的是( ?。?br />高溫發(fā)布:2024/12/22 11:0:4組卷:47引用:4難度:0.52767.鉻能慢慢地溶于稀鹽酸得到藍(lán)色溶液,若通入空氣則溶液顏色變綠,發(fā)生的反應(yīng)有:①Cr+2HCl=CrCl2+H2↑;②4CrCl2+4HCl+O2=4CrCl3+2H2O。下列敘述正確的是( ?。?/h2>
發(fā)布:2024/12/22 8:0:1組卷:51引用:2難度:0.72768.四氧化三錳用于電子工業(yè)生產(chǎn)軟磁鐵氧體,用作電子計算機(jī)中存儲信息的磁芯。以工業(yè)硫酸錳為原料(含有少量CaO、MgO、Ca(OH)2等物質(zhì))制備Mn3O4的工藝流程如圖:
已知:①氧化時鼓入空氣使溶液的電位迅速上升;
②四氧化三錳中錳的化合價與四氧化三鐵中鐵的化合價類似。
回答下列問題:
(1)為提高“溶解”效率,可采取的措施有
(2)濾渣的主要成分是
(3)氧化時,生成Mn3O4的離子方程式為
(4)向母液可加入
A.CaO
B.稀氫氧化鈉溶液
C.氫氧化鈣固體
D.(NH4)2CO3
(5)通過對上述“氧化”工藝進(jìn)行數(shù)據(jù)收集及資料分析可知溶液電位與pH等關(guān)系如圖所示
氧化時N2H4?H2O的作用是
(6)四氧化三錳的其他制法:
①熱還原法:
在甲烷氣體存在下,將Mn2O3還原成Mn3O4的化學(xué)方程式為
②電解法:
利用電解原理,制備四氧化三錳裝置如圖所示。(電極材料均為惰性電極,<代表電子流向)
電源正極為發(fā)布:2024/12/22 8:0:1組卷:14引用:1難度:0.62769.下列事實(shí)中能證明碳的非金屬性比硅強(qiáng)的是( )
①往Na2SiO3溶液中通入CO2產(chǎn)生白色沉淀
②石墨是導(dǎo)體,晶體硅是半導(dǎo)體
③制玻璃過程中發(fā)生反應(yīng)Na2CO3+SiO2Na2SiO3+CO2↑高溫
④CH4比SiH4穩(wěn)定.發(fā)布:2024/12/22 8:0:1組卷:100引用:5難度:0.72770.飽和甘汞電極(Hg-Hg2Cl2)常被用作參比電極測定某電極的電極電位,其內(nèi)部構(gòu)造如圖所示,在測定電池的電動勢后,才可以標(biāo)出被測電極的電極電位。當(dāng)甘汞電極與鋅電極共同插入ZnCl2溶液中構(gòu)成原電池時,下列說法不正確的是( )
發(fā)布:2024/12/22 8:0:1組卷:13引用:1難度:0.5
