硅、鍺(Ge)及其化合物廣泛應用于光電材料領域?;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)硅原子最外層的電子排布圖為 ,晶體硅和碳化硅熔點較高的是 SiCSiC(填化學式);
(2)硅和鹵素單質反應可以得到SiX4。
SiX4的熔沸點
SiF4 | SiCl4 | SiBr4 | SiI4 | |
熔點/K | 183.0 | 203.2 | 278.6 | 393.7 |
沸點/K | 187.2 | 330.8 | 427.2 | 560.7 |
SiCl4
SiCl4
(填化學式),沸點依次升高的原因是 不含氫鍵的分子結構相似的分子晶體,相對分子質量依次增大,分子間作用力逐漸增強
不含氫鍵的分子結構相似的分子晶體,相對分子質量依次增大,分子間作用力逐漸增強
,氣態(tài)SiX4分子的空間構型是 正四面體形
正四面體形
;②SiCl4與N—甲基咪唑()反應可以得到M2+,其結構如圖所示:
N—甲基咪唑分子中碳原子的雜化軌道類型為
sp3、sp2
sp3、sp2
,H、C、N的電負性由大到小的順序為 N>C>H
N>C>H
,1個M2+中含有 54
54
個σ鍵;(3)如圖是Mg、Ge、O三種元素形成的某化合物的晶胞示意圖。
①已知化合物中Ge和O的原子個數比為1:4,圖中Z表示
O
O
原子(填元素符號),該化合物的化學式為 Mg2GeO4
Mg2GeO4
;②已知該晶胞的晶胞參數分別為anm、bnm、cnm,α=β=γ=90°,則該晶體的密度ρ=
740
abc
N
A
×
1
0
-
21
740
abc
N
A
×
1
0
-
21
【答案】;SiC;SiCl4;不含氫鍵的分子結構相似的分子晶體,相對分子質量依次增大,分子間作用力逐漸增強;正四面體形;sp3、sp2;N>C>H;54;O;Mg2GeO4;
740
abc
N
A
×
1
0
-
21
【解答】
【點評】
聲明:本試題解析著作權屬菁優(yōu)網所有,未經書面同意,不得復制發(fā)布。
發(fā)布:2024/4/20 14:35:0組卷:794難度:0.5
相似題
-
1.碳及其化合物有著重要用途?;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為
(2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
(3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構型,比較三者鍵角的大小
(4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據此判斷C60的晶體類型是
(5)C60晶胞結構如圖,C60分子處于頂點和面心。已知:C60晶胞棱長為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點構成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點構成),則平均每一個C60晶胞中有發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4 -
2.鐵及其化合物在生產生活及科學研究方面應用非常廣泛。
(1)基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為
(2)(NH4)2Fe(SO4)2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為
③SO42-中S原子的雜化方式為
(3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數為
(4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M,阿伏加德羅常數的值為NA,其晶體密度的計算表達式為發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7 -
3.N、P、As都是ⅤA族元素,且原子序數依次增大,它們的單質和化合物在生產、生活中有廣泛應用。請回答下列相關問題。
(1)基態(tài)磷原子的價電子排布式為
(2)已知白磷的分子式為P4,其結構如圖1所示??茖W家目前合成了N4分子,其分子結構與白磷類似。則N原子的雜化軌道類型是
(3)硝酸的沸點較低,從氫鍵的角度推斷其可能的原因是
(4)NO2-與鈷形成的配離子[Co(NO2)6]3-可用于檢驗K+的存在。NO2-離子的VSEPR模型名稱為
(5)鋁和白磷在一定條件下可以制備磷化鋁(AlP),磷化鋁晶胞的結構如圖2所示。磷化鋁中,Al原子的配位數為發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:55難度:0.5
把好題分享給你的好友吧~~