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菁優(yōu)網(wǎng)如圖,一個橫截面積為S的導熱氣缸直立放置,質(zhì)量為m的楔形活塞下方封閉一定質(zhì)量的理想氣體,活塞上方與大氣相通,氣缸底與熱源接觸。被封閉氣體溫度為T0,體積為V0,經(jīng)過熱源緩慢加熱,氣體溫度升高到T1時,用卡子卡住活塞,使之不能上升,熱源繼續(xù)加熱,使氣體溫度升高到T2.已知大氣壓為P0,不計活塞與缸壁的摩擦。求:
①氣體溫度為T1時,氣體的體積;
②氣體溫度為T2時,氣體的壓強。

【答案】見試題解答內(nèi)容
【解答】
【點評】
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發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:22引用:4難度:0.7
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  • 菁優(yōu)網(wǎng)1.如圖所示為一定質(zhì)量的氦氣(可視為理想氣體)狀態(tài)變化的V-T圖象。已知該氦氣所含的氦分子總數(shù)為N,氦氣的摩爾質(zhì)量為M,在狀態(tài)A時的壓強為p0。已知阿伏加德羅常數(shù)為NA,下列說法正確的是( ?。?/h2>

    發(fā)布:2024/11/10 8:0:1組卷:60引用:4難度:0.6
  • 2.真空電阻蒸發(fā)鍍膜是在真空室中利用電阻加熱,將緊貼在電阻絲上的金屬絲(鋁絲)熔融汽化,汽化了的金屬分子沉積于基片上形成均勻膜層。在一塊面積為S的方形基片上形成共有k層鋁分子組成的鍍膜,鋁膜的質(zhì)量為m。已知鋁的摩爾質(zhì)量為M,阿伏加德羅常數(shù)為NA。
    ①求基片上每層鋁分子單位面積內(nèi)的分子數(shù)n;
    ②真空氣泵將真空室中的氣體壓強從p0=1.0×105Pa減小到p1=1.0×10-4Pa,設抽氣后真空室中氣體溫度與抽氣前相同,求抽氣前后真空室中氣體分子數(shù)之比。

    發(fā)布:2024/11/14 8:0:1組卷:4引用:0難度:0.5
  • 3.下列敘述中正確的是( ?。?/h2>

    發(fā)布:2024/11/8 8:0:1組卷:8引用:1難度:0.5
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