將金屬元素Al摻雜到TiN多層膜中,能有效地改善納米多層膜的耐磨性?;卮鹣铝袉栴}:
(1)下列狀態(tài)的N原子或離子在躍遷時(shí),用光譜儀可捕捉到發(fā)射光譜的是 cc(填序號(hào),下同),未成對(duì)電子最多的是 dd。
a.1s22s22p3
b.1s22s2
c.1s22s12p4
d.1s22s12p3
(2)Ti元素位于元素周期表的第四周期第 IVBIVB族,基態(tài)Ti原子的次外層電子數(shù)為 1010。
(3)第二周期元素中,第一電離能比N大的元素有 F、NeF、Ne。(填元素符號(hào))
(4)疊氮酸根N-3的幾何構(gòu)型為 直線形直線形,而1mol亞硝酸根NO-2中含有的價(jià)層電子對(duì)數(shù)目為 3NA3NA。
(5)Mg的熔點(diǎn)是648℃,而Al的熔點(diǎn)是660℃,分析熔點(diǎn)更高的原因是 Mg、Al均為金屬晶體,且Mg2+所帶的電荷比Al3+的少,Mg2+半徑比Al3+大,故Mg中金屬鍵比Al中的強(qiáng)Mg、Al均為金屬晶體,且Mg2+所帶的電荷比Al3+的少,Mg2+半徑比Al3+大,故Mg中金屬鍵比Al中的強(qiáng)。
(6)用Al摻雜TiN后(晶胞結(jié)構(gòu)中只是鋁原子部分代替鈦原子),其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,距離Ti最近的Al有 44個(gè)、摻雜Al后的晶體密度是TiN晶體的 0.9130.913倍,已知摻雜后的晶體密度為ρg/cm3,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,原子①與原子②距離為 32×3230NAρ×10732×3230NAρ×107nm。
N
-
3
NO
-
2
3
2
3
230
N
A
ρ
3
2
3
230
N
A
ρ
【答案】c;d;IVB;10;F、Ne;直線形;3NA;Mg、Al均為金屬晶體,且Mg2+所帶的電荷比Al3+的少,Mg2+半徑比Al3+大,故Mg中金屬鍵比Al中的強(qiáng);4;0.913;××107
3
2
3
230
N
A
ρ
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:4引用:2難度:0.5
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1.碳及其化合物有著重要用途。回答下列問題:
(1)基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為
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(3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型,比較三者鍵角的大小
(4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是
(5)C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖,C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知:C60晶胞棱長為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
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2.鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
(1)基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為
(2)(NH4)2Fe(SO4)2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
③SO42-中S原子的雜化方式為
(3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
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3.N、P、As都是ⅤA族元素,且原子序數(shù)依次增大,它們的單質(zhì)和化合物在生產(chǎn)、生活中有廣泛應(yīng)用。請(qǐng)回答下列相關(guān)問題。
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