光刻膠作為集成電路制作過程中的關(guān)鍵材料，它的技術(shù)水平直接決定了集成電路制作工藝的成敗。感光劑Ⅰ與化合物Ⅱ在堿性條件下反應(yīng)，生成化合物Ⅲ是某光刻膠工藝的一個(gè)環(huán)節(jié)。

化合物Ⅲ中的D為
回答下列問題：
（1）基態(tài)氮原子的價(jià)電子軌道表達(dá)式為

。
（2）物質(zhì)Ⅱ中除H元素外，其它元素均位于元素周期表的

p

p

區(qū)。
（3）NH₃、CH₄、H₂S中鍵長(zhǎng)最長(zhǎng)的是

H₂S

H₂S

，其分子空間結(jié)構(gòu)為

V

V

形。
（4）下列說法正確的是

AC

AC

（填選項(xiàng)字母）。
A.在Ⅰ中C原子全部采取sp²雜化
B.在Ⅱ中Cl元素的電負(fù)性最大
C.在Ⅱ的=N₂基團(tuán)中，存在配位鍵
D.在Ⅲ中硫氧鍵的鍵能均相等
（5）光刻膠原理是利用反應(yīng)前后，不同物質(zhì)在刻蝕液中溶解性的差異，形成不同的圖形?；衔铫衽c化合物Ⅲ相比，水溶性較好的是

Ⅰ

Ⅰ

，原因是

化合物I含有多個(gè)羥基，可以與水分子間形成氫鍵

化合物I含有多個(gè)羥基，可以與水分子間形成氫鍵

。
（6）

C

3

-

60

能與K′形成超分子加合物，如圖所示，該晶胞中K⁺的數(shù)目為

12

12

，已知晶胞參數(shù)為acm,阿伏加德羅常數(shù)的值為N_A，則該晶胞的密度為

39

×

12

+

60

×

12

×

3

N

A

×

a

3

39

×

12

+

60

×

12

×

3

N

A

×

a

3

 g/cm³（列出計(jì)算式即可）。