如圖一是元素周期表的一部分：

（1）寫出元素①的元素符號(hào)

As

As

，與①同周期的主族元素中，第一電離能比①大的有

1

1

種。
（2）基態(tài)銻（Sb）原子的價(jià)電子排布式為

5s²5p³

5s²5p³

。[H₂F]⁺[SbF₆]^-（氟酸銻）是一種超強(qiáng)酸，則[H₂F]⁺的空間結(jié)構(gòu)為

V形

V形

。
（3）下列說法正確的是

cd

cd

（填字母）。
a.N₂H₄分子中含5個(gè)σ鍵和1個(gè)π鍵
b.基態(tài)P原子中，電子占據(jù)的最高能級(jí)符號(hào)為M
c.Sb位于p區(qū)
d.升溫實(shí)現(xiàn)液氨→氨氣→氮?dú)夂蜌錃庾兓碾A段中，微粒間破壞的主要的作用力依次是氫鍵、極性共價(jià)鍵
（4）GaN、GaP都是很好的半導(dǎo)體材料，晶體類型與晶體硅類似，熔點(diǎn)如下表所示，解釋GaN、GaP熔點(diǎn)變化原因

兩者屬于原子晶體，原子半徑N＜P，鍵長Ga-N＜Ga-P，鍵能Ga-N＞Ga-P，故熔點(diǎn)：GaN＞GaP

兩者屬于原子晶體，原子半徑N＜P，鍵長Ga-N＜Ga-P，鍵能Ga-N＞Ga-P，故熔點(diǎn)：GaN＞GaP

。

物質(zhì)	GaN	GaP
熔點(diǎn)/℃	1700	1480

（5）GaN晶胞結(jié)構(gòu)如圖二1所示，已知六棱柱底邊邊長為acm。
①晶胞中Ga原子采用六方最密堆積方式，每個(gè)Ga原子周圍距離最近的Ga原子數(shù)目為

12

12

；
②從GaN晶體中分割出的平行六面體如圖二2。若該平行六面體的體積為

2

a³cm³，GaN晶體的密度為

84

2

N

A

a

3

84

2

N

A

a

3

g?cm^-3（用a、N_A表示）。