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硅烷廣泛應(yīng)用在現(xiàn)代高科技領(lǐng)域。制備硅烷的反應(yīng)為:SiF4+NaAlH4=SiH4+NaAlF4。
(1)①基態(tài)硅原子的價層電子軌道表示式為
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,基態(tài)硅原子的電子有
8
8
種空間運(yùn)動狀態(tài)。
②SiF4中,硅的化合價為+4價。硅顯正化合價的原因是
SiF4中氟和硅以共價鍵相連,F(xiàn)原子吸電子能力強(qiáng),共用電子對偏向F原子,因此Si顯正價
SiF4中氟和硅以共價鍵相連,F(xiàn)原子吸電子能力強(qiáng),共用電子對偏向F原子,因此Si顯正價

③下列說法正確的是
ac
ac
(填字母)。
a.SiH4的穩(wěn)定性比CH4的差
b.SiH4中4個Si-H的鍵長相同,H-Si-H的鍵角為90°
c.SiH4中硅原子以4個sp3雜化軌道分別與4個氫原子的1s軌道重疊,形成4個Si-Hσ鍵
④SiF4的沸點(diǎn)(-86℃)高于SiH4的沸點(diǎn)(-112℃),原因是
SiF4和SiH4均為分子晶體,且結(jié)構(gòu)相似,SiF4的相對分子質(zhì)量大,則分子間范德華力強(qiáng),沸點(diǎn)更高
SiF4和SiH4均為分子晶體,且結(jié)構(gòu)相似,SiF4的相對分子質(zhì)量大,則分子間范德華力強(qiáng),沸點(diǎn)更高
。
⑤鍵角:SiF4
=
=
SiH4,原因
SiF4和SiH4均為正四面體結(jié)構(gòu),鍵角均為109°28′
SiF4和SiH4均為正四面體結(jié)構(gòu),鍵角均為109°28′

(2)NaAlH4的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,晶胞的體積為a2b×10-21cm3。
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A
l
H
-
4
的VSEPR模型名稱為
正四面體
正四面體
。
②用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值。NaAlH4晶體密度為
216
×
1
0
23
a
2
b
N
A
216
×
1
0
23
a
2
b
N
A
g?cm-3(用含a、b、NA的代數(shù)式表示)。
③NaAlH4是一種具有應(yīng)用潛能的儲氫材料,其釋氫過程可用化學(xué)方程式表示為:3NaAlH4═Na3AlH6+2Al+3H2↑。
摻雜22Ti替換晶體中部分Al,更利于NaAlH4中H的解離,使體系更容易釋放氫。從結(jié)構(gòu)的角度推測其可能的原因:
22Ti可以使基團(tuán)中的H原子處于近自由的狀態(tài),22Ti替代Al時站位能最小
22Ti可以使基團(tuán)中的H原子處于近自由的狀態(tài),22Ti替代Al時站位能最小
。

【答案】菁優(yōu)網(wǎng);8;SiF4中氟和硅以共價鍵相連,F(xiàn)原子吸電子能力強(qiáng),共用電子對偏向F原子,因此Si顯正價;ac;SiF4和SiH4均為分子晶體,且結(jié)構(gòu)相似,SiF4的相對分子質(zhì)量大,則分子間范德華力強(qiáng),沸點(diǎn)更高;=;SiF4和SiH4均為正四面體結(jié)構(gòu),鍵角均為109°28′;正四面體;
216
×
1
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a
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b
N
A
;22Ti可以使基團(tuán)中的H原子處于近自由的狀態(tài),22Ti替代Al時站位能最小
【解答】
【點(diǎn)評】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/9/9 6:0:8組卷:13引用:1難度:0.6
相似題
  • 1.金屬K和C60能夠發(fā)生反應(yīng)產(chǎn)生一系列金屬球碳鹽KxC60,部分金屬球碳鹽具有超導(dǎo)性,是球碳族化合物的研究熱點(diǎn)之一。
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    (1)KxC60中含有的化學(xué)鍵類型為
     

    (2)C60晶體中分子密堆積,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所標(biāo).C60晶體屬于
     
    晶體,每個C60分子周圍等距離且緊鄰的C60
     
    個。
    (3)某種KxC60的晶胞結(jié)構(gòu)圖所示.
    C
    x
    -
    60
    位于立方體晶胞的頂點(diǎn)和面心,K+位于晶胞的體心和棱心,另外晶胞內(nèi)還有8個K+。
    ①KxC60中x=
     
    。
    ②KxC60的熔點(diǎn)高于C60,原因是
     
    。
    ③該晶胞立方體的邊長為acm,NA為阿伏加德羅常數(shù)的值,則晶體的密度為
     
    g?cm3。

    發(fā)布:2024/10/31 8:0:1組卷:4引用:1難度:0.6
  • 2.錳(Mn)、鈷(Co)、鎳(Ni)等過渡金屬元素化合物的應(yīng)用研究是前沿科學(xué)之一,回答下列問題:
    (1)Mn的價電子排布式為
     
    。金屬錳可導(dǎo)電、導(dǎo)熱,有金屬光澤和延展性,這些性質(zhì)都可以用“
     
    理論”解釋。
    (2)已知金屬錳有多種晶型,γ型錳的面心立方晶胞俯視圖符合下列
     
    (填序號),每個Mn原子周圍緊鄰的原子數(shù)為
     

    A.菁優(yōu)網(wǎng)
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    (3)[Co(DMSO)6](ClO42是一種紫色晶體,其中DMSO為二甲基亞砜,化學(xué)式為SO(CH32,DMSO中硫原子的雜化軌道類型為
     
    ,SO(CH32中鍵角C—S—O
     
    CH3COCH3中鍵角C—C—O(填“大于”“小于”或“等于”),ClO4的空間構(gòu)型是
     
    ,元素S、Cl、O的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?
     
    。
    (4)鎳和苯基硼酸在催化劑作用下可以合成丙烯醇(CH2=CH—CH2OH),其相對分子質(zhì)量等于丙醛(CH3CH2CHO),但兩者沸點(diǎn)相差較大,原因是
     
    。
    (5)NiO的晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示,其中離子坐標(biāo)參數(shù)A為(0,0,0),B為(1,1,1),則C的離子坐標(biāo)參數(shù)為
     
    。一定溫度下,NiO晶體可以自發(fā)地分散并形成“單分子層”,可以認(rèn)為O2-作密置單層排列,Ni2+填充其中(如圖乙),已知O2-的半徑為apm,設(shè)阿伏加德羅常數(shù)值為NA,每平方米面積上具有該晶體的質(zhì)量為
     
    g(用含a、NA的代數(shù)式表示)。菁優(yōu)網(wǎng)

    發(fā)布:2024/10/31 12:0:1組卷:61引用:4難度:0.6
  • 3.我國科學(xué)家制備了一種ZnPc/C60太陽電池,其結(jié)構(gòu)示意圖如圖。
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    (1)鋁元素屬于
     
    區(qū)(填“s”“d”“ds”或“p”)。
    (2)C60分子中60個碳原子都是等價的,均以近似
     
    雜化的方式形成3個不共平面的σ鍵,余下的1個p軌道電子互相重疊形成閉殼層電子結(jié)構(gòu),π電子云分布在C60分子籠的內(nèi)外層表面上。循環(huán)伏安測試表明:C60在溶液中可以逐步可逆地接受6個電子形成負(fù)離子,卻很難失去電子變?yōu)殛栯x子。
    (3)①ZnPc中Zn2+的價層電子排布式是
     
    。
    ②ZnPc中存在配位鍵的原因是
     
    。
    (4)某溶劑中,ZnPc可以和C60形成分子間電荷轉(zhuǎn)移復(fù)合物,反應(yīng)方程式可表示為:ZnPc+C60?ZnPc-C60,不同溫度下生成電荷轉(zhuǎn)移復(fù)合物的平衡常數(shù)如下表。
    溫度 生成ZnPc-C60的K
     24℃ 1.2329
     44℃ 0.9674
     64℃ 0.4923
    反應(yīng):ZnPc+C60?ZnPc-C60    ΔH
     
    0(填“>”或“<”),ZnPc-C60中ZnPc是電子
     
    (填“給體”或“受體”)。
    (5)LiF晶體結(jié)構(gòu)屬于氯化鈉型,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。
    ①LiF的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)比NaCl的高,請解釋原因
     

    ②LiF晶體的密度約為2.6g/cm3,LiF晶胞的體積約為
     
    cm3(計(jì)算結(jié)果保留一位有效數(shù)字)。
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    發(fā)布:2024/10/31 13:0:2組卷:134引用:6難度:0.4
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