儲(chǔ)氫材料是一類(lèi)能可逆地吸收和釋放氫氣的材料。MgNiH4、NH3BH3、NaBH4、稠環(huán)芳烴（如
）等均是重要的儲(chǔ)氫材料?；卮鹣铝袉?wèn)題：
（1）基態(tài)Ni原子的電子排布式為[Ar]3d84s23d84s2，NaBH4的電子式為
。
（2）H、B、N、Na的電負(fù)性由小到大的順序?yàn)?!--BA-->Na＜B＜H＜NNa＜B＜H＜N，原子半徑由小到大的順序?yàn)?!--BA-->H＜N＜B＜NaH＜N＜B＜Na。
（3）已知Na、Mg第二電離能分別為I2（Na）=4562 kJ?mol-1，I2（Mg）=1451kJ?mol-1.I2（Na）＞I2（Mg）的原因是Na+最外層填充8個(gè)電子，為穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，Mg+尚未達(dá)到穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，失去第二個(gè)電子Na比Mg需要更多能量，Na+最外層填充8個(gè)電子，為穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，Mg+尚未達(dá)到穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，失去第二個(gè)電子Na比Mg需要更多能量，。
（4）Na2O、MgO的熔點(diǎn)分別為1132℃、2852℃，解釋它們之間熔點(diǎn)差異的原因：二者都是離子晶體，r（Na+）大于r（Mg2+），且Na+所帶電荷小于Mg2+所帶電荷，電荷越大、半徑越小晶格能越大，所以MgO的晶格能大于Na2O二者都是離子晶體，r（Na+）大于r（Mg2+），且Na+所帶電荷小于Mg2+所帶電荷，電荷越大、半徑越小晶格能越大，所以MgO的晶格能大于Na2O。
（5）B與Cl可形成BCl3，在有機(jī)物合成反應(yīng)中，BCl3與THF（四氫呋喃，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式為
易形成絡(luò)合物THF?BCl3。簡(jiǎn)述能形成該絡(luò)合物的原因：BCl3中B原子含有空軌道、THF中O原子含有孤電子對(duì)BCl3中B原子含有空軌道、THF中O原子含有孤電子對(duì)；Cl與B也可形成B4Cl4，已知該物質(zhì)結(jié)構(gòu)中，B原子之間的距離相等，試畫(huà)出B4Cl4的結(jié)構(gòu)：
，其中B的雜化方式為sp3sp3。
（6）已知金屬鎳晶體屬于面心立方晶胞，該晶胞中鎳原子之間的最近距離為dnm。金屬鎳晶體的密度為236（2d）3NA×1021236（2d）3NA×1021g?cm-3。（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示）
236
（
2
d
）
3
N
A
236
（
2
d
）
3
N
A
【答案】3d84s2；；Na＜B＜H＜N；H＜N＜B＜Na；Na+最外層填充8個(gè)電子，為穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，Mg+尚未達(dá)到穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，失去第二個(gè)電子Na比Mg需要更多能量，；二者都是離子晶體，r（Na+）大于r（Mg2+），且Na+所帶電荷小于Mg2+所帶電荷，電荷越大、半徑越小晶格能越大，所以MgO的晶格能大于Na2O；BCl3中B原子含有空軌道、THF中O原子含有孤電子對(duì)；；sp3；×1021
；Na＜B＜H＜N；H＜N＜B＜Na；Na+最外層填充8個(gè)電子，為穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，Mg+尚未達(dá)到穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，失去第二個(gè)電子Na比Mg需要更多能量，；二者都是離子晶體，r（Na+）大于r（Mg2+），且Na+所帶電荷小于Mg2+所帶電荷，電荷越大、半徑越小晶格能越大，所以MgO的晶格能大于Na2O；BCl3中B原子含有空軌道、THF中O原子含有孤電子對(duì)；；sp3；236
（
2
d
）
3
N
A
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：15引用：1難度：0.4
相似題
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1．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關(guān)信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個(gè)未成對(duì)電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個(gè)能層，K、L、M全充滿(mǎn)，最外層只有一個(gè)電子．
試回答下列問(wèn)題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為，F(xiàn)的價(jià)層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號(hào)填寫(xiě)），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應(yīng)式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍(lán)色沉淀溶解，得到深藍(lán)色溶液，再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇，析出深藍(lán)色晶體．藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結(jié)構(gòu)（面心立方）如圖2所示：已知兩個(gè)最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對(duì)原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
2．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱(chēng)摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號(hào)表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱(chēng)為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號(hào)表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長(zhǎng)為a nm、FeS2相對(duì)式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
3．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉?wèn)題：
（1）基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類(lèi)型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知：C60晶胞棱長(zhǎng)為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成），則平均每一個(gè)C60晶胞中有個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿(mǎn)所有空隙后，這類(lèi)C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿(mǎn)所有空隙，距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4
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