（1）我國科學(xué)家發(fā)現(xiàn)了一類由Fe-Se-As-F-O組成的磁性超導(dǎo)材料。下列有關(guān)敘述正確的是 BDBD（填字母序號）。
A．Fe變成Fe2+時(shí)首先失去30軌道定子
B．AsO-3的空間構(gòu)型為平面正三角形
C．第一電離能：Se＞As
D．基態(tài)F原子有9種運(yùn)動狀態(tài)的電子
（2）在堿性溶液中，Cu2+可以與縮二脲形成紫色配離子，其結(jié)構(gòu)如圖所示。
下列說法正確的是 ACAC（填字母序號）
A．該配離子與水分子形成氫鍵的原子有N、O、H
B．該配離子中銅離子的配位數(shù)是2
C．該配離子中C原子的雜化方式均是sp2
D．該配離子中非金屬元素的電負(fù)性大小順序?yàn)镹＞O＞C＞H
（3）新材料的研制與應(yīng)用始終是科技發(fā)展的主要方向之一。
①某太陽能吸熱涂層以鎳或鎳合金空心球?yàn)槲談鶓B(tài)鎳原子的價(jià)層電子排布式是 3d84s23d84s2。
②硼及其化合物廣泛應(yīng)用于永磁材料、超導(dǎo)材料等領(lǐng)域，可以與氧氣反應(yīng)生成BF3氣體，BF3分子的立體構(gòu)型為 平面正三角形平面正三角形。
③肼可用作火箭燃料，燃燒時(shí)發(fā)生的反應(yīng)是：N2O4（l）+2N2H4（l）=3N2（g）+4H2O（g） ΔH=-1038.7kJ?mol-1。若該反應(yīng)中有4mol N-H鍵斷裂，則形成的π鍵有 33mol。N2H4與C2H6結(jié)構(gòu)相似且相對分子質(zhì)量接近，C2H6常溫下為氣體，而N2H4常溫下為液體的原因是 N2H4能形成分子間氫鍵，C2H6不能形成分子間氫鍵N2H4能形成分子間氫鍵，C2H6不能形成分子間氫鍵。
④鈦被譽(yù)為“21世紀(jì)的金屬”。Ti的四鹵化物熔點(diǎn)如下表所示：TiF4熔點(diǎn)高于其他三種鹵化物，自TiCl4至TiI4熔點(diǎn)依次升高，原因是 TiF4為離子晶體，熔點(diǎn)高，其他三種鹵化物為分子晶體，隨著相對分子質(zhì)量增大，分子間作用力增大，熔點(diǎn)逐漸升高TiF4為離子晶體，熔點(diǎn)高，其他三種鹵化物為分子晶體，隨著相對分子質(zhì)量增大，分子間作用力增大，熔點(diǎn)逐漸升高。
A
s
O
-
3
| TiF4 | TiCl4 | TiBr4 | TiI4 | |
| 熔點(diǎn)/℃ | 377 | -24.1 | 38.3 | 155 |
⑤立方氮化硼的結(jié)構(gòu)與金石相似（如上圖），硬度與金剛石相當(dāng)，晶胞邊長為apm。立方氮化硼晶胞中含有
4
4
個(gè)硼原子，已知氮的原子半徑r（N）=bpm,則硼的原子半徑r（B）=3
4
3
4
【答案】BD；AC；3d84s2；平面正三角形；3；N2H4能形成分子間氫鍵，C2H6不能形成分子間氫鍵；TiF4為離子晶體，熔點(diǎn)高，其他三種鹵化物為分子晶體，隨著相對分子質(zhì)量增大，分子間作用力增大，熔點(diǎn)逐漸升高；4；a-b
3
4
【解答】
【點(diǎn)評】
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發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：13引用：1難度：0.7
相似題
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1．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關(guān)信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個(gè)未成對電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個(gè)能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個(gè)電子．
試回答下列問題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為，F(xiàn)的價(jià)層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應(yīng)式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍(lán)色沉淀溶解，得到深藍(lán)色溶液，再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇，析出深藍(lán)色晶體．藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結(jié)構(gòu)（面心立方）如圖2所示：已知兩個(gè)最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
2．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
3．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成），則平均每一個(gè)C60晶胞中有個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4