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鎵及其化合物在合金工業(yè)、制藥工業(yè)、電池工業(yè)有廣泛的應(yīng)用。回答下列問題:
(1)基態(tài)Ga原子的價層電子排布式為
4s24p1
4s24p1
。
(2)LiGaH4是一種溫和的還原劑,其可由GaCl3和過量的LiH反應(yīng)制得:GaCl3+4LiH=LiGaH4+3LiCl。
①已知GaCl3的熔點為77.9℃,LiCl的熔點為605℃,兩者熔點差異較大的原因為
LiCl為離子晶體,微粒間的作用力是離子鍵,GaCl3為分子晶體,微粒間的作用力是范德華力
LiCl為離子晶體,微粒間的作用力是離子鍵,GaCl3為分子晶體,微粒間的作用力是范德華力
。
②[GaH4]-的立體構(gòu)型為
正四面體形
正四面體形
。
(3)一種含鎵的藥物合成方法如圖所示:
菁優(yōu)網(wǎng)
①化合物Ⅰ中環(huán)上C原子的雜化方式為
sp2雜化
sp2雜化
,1mol化合物Ⅰ中含有的σ鍵的物質(zhì)的量為
17mol
17mol
。化合物Ⅰ中所含元素的電負性由大到小的順序為
O>N>C>H
O>N>C>H
(用元素符號表示)。
②化合物Ⅱ中Ga的配位數(shù)為
6
6
,x=
1
1

(4)Ga、Li和O三種原子形成的一種晶體基片在二極管中有重要用途。其四方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示:
菁優(yōu)網(wǎng)
①上述晶胞沿著a軸的投影圖為
C
C
(填選項字母)。
菁優(yōu)網(wǎng)
②用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值,晶胞參數(shù)為a=b=3.0×10-10m,c=3.86×10-10m,則其密度為
7
+
70
+
2
×
16
N
A
3
.
0
×
1
0
-
8
×
3
.
0
×
1
0
-
8
×
3
.
86
×
1
0
-
8
7
+
70
+
2
×
16
N
A
3
.
0
×
1
0
-
8
×
3
.
0
×
1
0
-
8
×
3
.
86
×
1
0
-
8
g?cm-3(列出計算式即可)。

【答案】4s24p1;LiCl為離子晶體,微粒間的作用力是離子鍵,GaCl3為分子晶體,微粒間的作用力是范德華力;正四面體形;sp2雜化;17mol;O>N>C>H;6;1;C;
7
+
70
+
2
×
16
N
A
3
.
0
×
1
0
-
8
×
3
.
0
×
1
0
-
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3
.
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0
-
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【解答】
【點評】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/11/10 15:0:1組卷:37引用:1難度:0.5
相似題
  • 菁優(yōu)網(wǎng)1.碳及其化合物有著重要用途?;卮鹣铝袉栴}:
    (1)基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為
     

    (2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
     
    、
     
    ,所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為
     
    。
    (3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型,比較三者鍵角的大小
     
    (由大到小,用H一R-H表示),其原因是
     

    (4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是
     
    。
    (5)C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖,C60分子處于頂點和面心。已知:C60晶胞棱長為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
     
    g/cm3。
    C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點構(gòu)成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點構(gòu)成),則平均每一個C60晶胞中有
     
    個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當堿金屬元素全部占滿所有空隙后,這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫(Cs)填滿所有空隙,距離最近的兩個Cs原子間的距離為
     
     ?。

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4
  • 菁優(yōu)網(wǎng)2.鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
    (1)基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為
     
    ;其最外層電子的電子云形狀為
     
    。
    (2)(NH42Fe(SO42?6H2O俗稱摩爾鹽
    ①NH4+電子式為
     
    。
    ②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為
     
    (用元素符號表示)
    ③SO42-中S原子的雜化方式為
     
    ,VSEPR模型名稱為
     
    。
    (3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
     
    ;晶體的配位體為
     
    (用化學(xué)符號表示)
    (4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計算表達式為
     
    g?cm-3

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7
  • 3.N、P、As都是ⅤA族元素,且原子序數(shù)依次增大,它們的單質(zhì)和化合物在生產(chǎn)、生活中有廣泛應(yīng)用。請回答下列相關(guān)問題。
    (1)基態(tài)磷原子的價電子排布式為
     

    (2)已知白磷的分子式為P4,其結(jié)構(gòu)如圖1所示。科學(xué)家目前合成了N4分子,其分子結(jié)構(gòu)與白磷類似。則N原子的雜化軌道類型是
     
    ,N-N-N鍵的鍵角為
     
    。
    菁優(yōu)網(wǎng)
    (3)硝酸的沸點較低,從氫鍵的角度推斷其可能的原因是
     
    ;請寫出兩種與NO3-互為等電子體的微粒化學(xué)式
     
    (請寫一個分子和一個離子)。
    (4)NO2-與鈷形成的配離子[Co(NO26]3-可用于檢驗K+的存在。NO2-離子的VSEPR模型名稱為
     
    ,K3[Co(NO26]是黃色沉淀,該物質(zhì)中四種元素的電負性由大到小的順序是
     

    (5)鋁和白磷在一定條件下可以制備磷化鋁(AlP),磷化鋁晶胞的結(jié)構(gòu)如圖2所示。磷化鋁中,Al原子的配位數(shù)為
     
    ,若最近兩個Al原子之間的距離為acm,用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值,則該晶體的密度為
     
    g?cm-3(用含有以上字母的計算式表示)。

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:55引用:1難度:0.5
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