據(jù)報(bào)道，國產(chǎn)的14nm芯片已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，芯片制造中需要用到濺射鍍膜技術(shù)，如圖是某種濺射鍍膜的簡易原理圖，注入濺射室內(nèi)的氬氣分子被電離成具有一定初速度向各個(gè)方向的帶正電氬離子，然后在勻強(qiáng)電場作用下高速撞向鍍膜靶材，使靶材中的原子或分子沉積在半導(dǎo)體芯片上。忽略離子重力和離子間作用力，以下說法正確的是（ ?。?/h1>
【答案】C
【解答】
【點(diǎn)評】
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發(fā)布：2024/5/27 14:0:0組卷：65引用：2難度：0.4
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1．如圖，一絕緣且粗糙程度相同的豎直細(xì)桿與兩個(gè)等量異種點(diǎn)電荷+Q、Q連線的中垂線重合，細(xì)桿和+Q、-Q均固定，A、O、B為細(xì)桿上的三點(diǎn)，O為+Q、-Q連線的中點(diǎn)，AO=BO．現(xiàn)有電荷量為q、質(zhì)量為m的小球套在桿上，從A點(diǎn)以初速度v0向B滑動，到達(dá)B點(diǎn)時(shí)速度恰好為0。則可知（ ?。?/h2>發(fā)布：2024/12/29 21:0:1組卷：378引用：3難度：0.2 -
2．如圖所示，真空中固定一正點(diǎn)電荷，圖中實(shí)線為點(diǎn)電荷形成的電場中的幾個(gè)等勢面，虛線是某一帶電粒子通過該區(qū)域時(shí)的運(yùn)動軌跡，MN是軌跡上兩點(diǎn)。若帶電粒子只受到電場力作用?？膳袛啵ā 。?/h2>發(fā)布：2024/12/29 21:0:1組卷：45引用：3難度：0.6 -
3．如圖所示，四個(gè)等量異種的點(diǎn)電荷，放在正方形的四個(gè)頂點(diǎn)處。A、B、C、D為正方形四個(gè)邊的中點(diǎn)，O為正方形的中心，下列說法正確的是（ ）發(fā)布：2024/12/29 23:30:1組卷：152引用：2難度：0.5
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