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菁優(yōu)網(wǎng)離子液體是指室溫或接近室溫時(shí)呈液態(tài),而本身由陰、陽(yáng)離子構(gòu)成的化合物。GaCl3和氯化1-乙基3-甲基咪唑(菁優(yōu)網(wǎng),簡(jiǎn)稱(chēng)EMIC)混合形成的離子液體被認(rèn)為是21世紀(jì)理想的綠色溶劑。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)請(qǐng)寫(xiě)出基態(tài)Ga原子的核外電子排布式
[Ar]3d104s24p1
[Ar]3d104s24p1
。同周期主族元素中基態(tài)原子未成對(duì)電子數(shù)與Ga相同的有
K、Br
K、Br
。(填元素符號(hào))。
(2)EMIC陽(yáng)離子中的幾種元素電負(fù)性由大到小順序?yàn)?
N>C>H
N>C>H
。
(3)已知分子中的大π鍵可用符號(hào)πmn表示,其中m代表參與形成大π鍵的原子數(shù),n代表大π鍵中的電子數(shù),則EMIC中大π鍵可表示為
Π56
Π56
。
(4)GaCl3熔點(diǎn)為77.8℃,GaF3熔點(diǎn)高于1000℃,其原因是
GaCl3屬于分子晶體,而GaF3屬于離子晶體,融化時(shí)前者克服分子間作用力,后者克服離子鍵,而離子鍵比分子間作用力更強(qiáng),離子晶體熔點(diǎn)高于分子晶體的
GaCl3屬于分子晶體,而GaF3屬于離子晶體,融化時(shí)前者克服分子間作用力,后者克服離子鍵,而離子鍵比分子間作用力更強(qiáng),離子晶體熔點(diǎn)高于分子晶體的
。
(5)GaCl3和EMIC混合形成離子液體的過(guò)程中會(huì)存在以下轉(zhuǎn)變:GaCl3
C
l
-
GaCl4
G
a
C
l
3
Ga2Cl7 請(qǐng)寫(xiě)出Ga2
C
l
-
7
的結(jié)構(gòu)式
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(6)某種Ga的氧化物晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。O2-以六方密堆積形成晶胞,Ga3+位于由A、C、D四個(gè)O2-圍成的四邊形的中心,但晶胞中只有的四邊形中心位置占據(jù)了Ga3+,另外
1
3
的位置空置。
①Ga3+位于O2-圍成的
正八
正八
面體空隙中。
②該晶胞中O2-的配位數(shù)為
4
4
。
③若該晶胞的體積為Vcm3,該氧化物晶體密度為
376
V
?
N
A
g?cm-3
376
V
?
N
A
g?cm-3
。

【答案】[Ar]3d104s24p1;K、Br;N>C>H;Π56;GaCl3屬于分子晶體,而GaF3屬于離子晶體,融化時(shí)前者克服分子間作用力,后者克服離子鍵,而離子鍵比分子間作用力更強(qiáng),離子晶體熔點(diǎn)高于分子晶體的;菁優(yōu)網(wǎng);正八;4;
376
V
?
N
A
g?cm-3
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書(shū)面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/4/20 14:35:0組卷:33引用:3難度:0.5
相似題
  • 1.堿金屬(Li、Na、K、Rb、Cs)及其化合物在生產(chǎn)、生活中有著重要的應(yīng)用。請(qǐng)回答:
    (1)基態(tài)K原子核外有
     
    種不同的電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。
    (2)鹵化物CsICl2受熱發(fā)生非氧化還原反應(yīng),生成無(wú)色晶體X和紅棕色液體Y。解釋X的熔點(diǎn)比Y高的原因:
     

    (3)已知RbH2PO2是次磷酸的正鹽,H3PO2的結(jié)構(gòu)式為
     
    ,其中P采取
     
    雜化方式。
    (4)Al、B、H電負(fù)性分別為1.5、2.0、2.1,簡(jiǎn)要說(shuō)明LiAlH4還原性比NaBH4強(qiáng)的原因:
     

    (5)鋰離子電池電極材料是LiFePO4,其晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如①所示。其中O圍繞Fe和P分別形成4個(gè)正八面體和4個(gè)正四面體。電池充電時(shí),LiFePO4脫出部分Li+形成Li(1-x)FePO4,其結(jié)構(gòu)示意圖如②所示,則Li(1-x)FePO4晶胞中n(Fe2+):n(Fe3+)=
     
    。
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    發(fā)布:2024/11/6 12:0:1組卷:33引用:1難度:0.5
  • 2.硅烷廣泛應(yīng)用在現(xiàn)代高科技領(lǐng)域。制備硅烷的反應(yīng)為SiF4+NaAlH4═SiH4+NaAlF4。
    (1)①基態(tài)硅原子的價(jià)層電子軌道表示式為
     

    ②SiF4中,硅的化合價(jià)為+4價(jià)。硅顯正化合價(jià)的原因是
     

    ③下列說(shuō)法正確的是
     
    (填序號(hào))。
    a.SiF4的熱穩(wěn)定性比CH4的差
    b.SiH4中4個(gè)Si-H的鍵長(zhǎng)相同,H-Si-H的鍵角為90°
    c.SiH4中硅原子以4個(gè)sp3雜化軌道分別與4個(gè)氫原子的1s軌道重疊,形成4個(gè)Si-Hσ鍵
    ④SiF4的沸點(diǎn)(-86℃)高于SiH4的沸點(diǎn)(-112℃),原因是
     
    。
    (2)NaAlH4的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,晶胞的體積為a2b×10-21cm3
    菁優(yōu)網(wǎng)
    A
    l
    H
    -
    4
    的VSEPR模型名稱(chēng)為
     
    。
    ②用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值。NaAlH4晶體密度為
     
    g?cm-3(用含a、b、NA的代數(shù)式表示)。
    ③NaAlH4是一種具有應(yīng)用潛能的儲(chǔ)氫材料,其釋氫過(guò)程可用化學(xué)方程式表示為:3NaAlH4═Na3AlH6+2Al+3H2↑。摻雜22Ti替換晶體中部分Al,更利于NaAlH4中H的解離,使體系更容易釋放氫。從結(jié)構(gòu)的角度推測(cè)其可能原因:
     
    。

    發(fā)布:2024/11/6 14:0:2組卷:52引用:1難度:0.7
  • 菁優(yōu)網(wǎng)3.X、Y、Z、W、Q是周期表中前4周期元素,且原子序數(shù)依次增大。X、Z的基態(tài)原子2p軌道中均有2個(gè)未成對(duì)電子,W的最外層電子數(shù)是次外層的一半,Q最外層有1個(gè)電子,內(nèi)層電子全部充滿。Q2+能與NH3形成[Q(NH34]2+,[Q(NH34]2+中2個(gè)NH3被2個(gè)Cl-取代可得兩種不同的結(jié)構(gòu)。Q2Z種晶胞如下圖所示。下列說(shuō)法正確的是( ?。?/h2>

    發(fā)布:2024/11/6 20:0:1組卷:15引用:2難度:0.7
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