如圖所示，正六邊形abcdef區(qū)域內(nèi)有垂直紙面向里的勻強磁場，有兩個質(zhì)量和電荷量都相等的粒子沿ad方向射入磁場后分別從b、e兩點射出，不計粒子重力。下列說法正確的是（ ）
【答案】D
【解答】
【點評】
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發(fā)布：2024/9/27 0:0:1組卷：286引用：2難度：0.5
相似題
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1．如圖所示，電子經(jīng)電壓U加速后垂直進入磁感應強度為B的勻強磁場中，在磁場中轉半個圓周后打在P點，通過調(diào)節(jié)電壓U可以控制P點的位置，設OP=x,能夠正確反映U與x關系的圖象是（ ?。?br/>
發(fā)布：2024/12/29 20:30:1組卷：125引用：3難度：0.9 -
2．芯片制造過程有極其復雜的工藝，其中離子注入是一道重要的工序，該工作原理如圖所示：離子經(jīng)加速后沿水平方向進入速度選擇器，離子在速度選擇器中做勻速直線運動，然后通過磁分析器，選擇出特定比荷的離子，經(jīng)偏轉系統(tǒng)后注入到水平面內(nèi)的晶圓（硅片）處。速度選擇器中勻強磁場的磁感應強度大小為B，方向垂直紙面向外，勻強電場場強大小為E，方向豎直向上；磁分析器截面是內(nèi)外半徑分別為R1和R2的四分之一圓環(huán)，其兩端中心位置M和N處各有一個小孔，磁分析器中勻強磁場的磁感應強度大小為B，方向垂直紙面向外；偏轉系統(tǒng)中電場和磁場的分布區(qū)域是同一棱長為L的正方體，底面與晶圓所在的水平面重合，偏轉系統(tǒng)中勻強磁場的磁感應強度大小為B、勻強電場場強大小為E，它們的方向均垂直紙面向外；從磁分析器N處小孔射出的離子自偏轉系統(tǒng)上表面的中心射入，當偏轉系統(tǒng)不加電場及磁場時，離子恰好豎直注入到晶圓上的O點。以O點為坐標原點，偏轉系統(tǒng)中B的方向為x軸正方向，水平向左為y軸正方向，建立平面直角坐標系。整個系統(tǒng)置于真空中，不計離子重力，打到晶圓上的離子經(jīng)過電場和磁場偏轉的角度都很小，而當α很小時，有以下近似計算：sinα≈α，
。求：1-cosα≈α22
（1）離子的電性及通過速度選擇器后的速度大?。?br />（2）從磁分析器出來的離子的比荷；
（3）偏轉系統(tǒng)同時加上電場和磁場時，離子注入晶圓的位置坐標。
發(fā)布：2024/12/29 20:30:1組卷：61引用：4難度：0.6 -
3．如圖所示，M和N為平行金屬板，質(zhì)量為m,電荷量為q的帶電粒子從M由靜止開始被兩板間的電場加速后，從N上的小孔穿出，以速度v由C點射入圓形勻強磁場區(qū)域，經(jīng)D點穿出磁場，CD為圓形區(qū)域的直徑。已知磁場的磁感應強度大小為B、方向垂直于紙面向外，粒子速度方向與磁場方向垂直，重力忽略不計。
（1）判斷粒子的電性，并求M、N間的電壓U；
（2）求粒子在磁場中做圓周運動的軌道半徑r；
（3）若粒子的軌道半徑與磁場區(qū)域的直徑相等，求粒子在磁場中運動的時間t。發(fā)布：2024/12/29 21:0:1組卷：1315引用：5難度：0.5
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