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硒是人體需要的重要微量元素之一,參與體內(nèi)多種代謝。試回答下列問題:
(1)硒元素的基態(tài)原子核外電子排布中成對電子與成單電子的個(gè)數(shù)比為
16:1
16:1
;在同一周期中比它的第一電離能大的元素有
3
3
種。
(2)SeO3與水反應(yīng)可以生成H2SeO4。H2SeO4分子中心原子的軌道雜化方式為
sp3
sp3
;固體H2SeO4,存在作用力除范德華力共價(jià)鍵外還有
氫鍵
氫鍵
;從分子結(jié)構(gòu)的角度解釋H2SeO4比H3AsO4酸性強(qiáng)的原因是
H2SeO4中非羥基氧比H3AsO4多1個(gè),非羥基氧越多,酸性較強(qiáng)
H2SeO4中非羥基氧比H3AsO4多1個(gè),非羥基氧越多,酸性較強(qiáng)
。
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(3)固態(tài)SeO2(如圖)是以錐體形的角氧相連接的聚合結(jié)構(gòu),每一個(gè)錐體帶一個(gè)端氧原子。
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①同為分子晶體,SeO2,熔點(diǎn)為350℃而SO2的熔點(diǎn)為-75.5℃,原因是
固態(tài)SeO2發(fā)生聚合相對分子質(zhì)量很大,范德華力大,熔點(diǎn)高
固態(tài)SeO2發(fā)生聚合相對分子質(zhì)量很大,范德華力大,熔點(diǎn)高
;
②圖中Se-O鍵較短的是
b
b
(填“a”或”b”)。
(4)在一定條件下MgSe晶體結(jié)構(gòu)為NaCl型(如圖),Se2-為面心立方最密堆積方式,經(jīng)測定MgSe的晶胞參數(shù)為anm,則Se2-的半徑r(Se2-)為
2
4
a
2
4
a
nm(寫出表達(dá)式);CaSe晶體結(jié)構(gòu)也為NaCl型,其晶胞參數(shù)比MgSe大,且r(Ca2+)=bnm,則CaSe晶體的密度為
4
×
40
+
79
N
A
×
[
2
4
a
+
b
×
2
×
1
0
-
7
]
3
4
×
40
+
79
N
A
×
[
2
4
a
+
b
×
2
×
1
0
-
7
]
3
g?cm-3(寫出表達(dá)式)。

【答案】16:1;3;sp3;氫鍵;H2SeO4中非羥基氧比H3AsO4多1個(gè),非羥基氧越多,酸性較強(qiáng);固態(tài)SeO2發(fā)生聚合相對分子質(zhì)量很大,范德華力大,熔點(diǎn)高;b;
2
4
a;
4
×
40
+
79
N
A
×
[
2
4
a
+
b
×
2
×
1
0
-
7
]
3
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:50引用:1難度:0.6
相似題
  • 1.堿金屬(Li、Na、K、Rb、Cs)及其化合物在生產(chǎn)、生活中有著重要的應(yīng)用。請回答:
    (1)基態(tài)K原子核外有
     
    種不同的電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。
    (2)鹵化物CsICl2受熱發(fā)生非氧化還原反應(yīng),生成無色晶體X和紅棕色液體Y。解釋X的熔點(diǎn)比Y高的原因:
     
    。
    (3)已知RbH2PO2是次磷酸的正鹽,H3PO2的結(jié)構(gòu)式為
     
    ,其中P采取
     
    雜化方式。
    (4)Al、B、H電負(fù)性分別為1.5、2.0、2.1,簡要說明LiAlH4還原性比NaBH4強(qiáng)的原因:
     
    。
    (5)鋰離子電池電極材料是LiFePO4,其晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如①所示。其中O圍繞Fe和P分別形成4個(gè)正八面體和4個(gè)正四面體。電池充電時(shí),LiFePO4脫出部分Li+形成Li(1-x)FePO4,其結(jié)構(gòu)示意圖如②所示,則Li(1-x)FePO4晶胞中n(Fe2+):n(Fe3+)=
     
    。
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    發(fā)布:2024/11/6 12:0:1組卷:33引用:1難度:0.5
  • 2.硅烷廣泛應(yīng)用在現(xiàn)代高科技領(lǐng)域。制備硅烷的反應(yīng)為SiF4+NaAlH4═SiH4+NaAlF4。
    (1)①基態(tài)硅原子的價(jià)層電子軌道表示式為
     
    。
    ②SiF4中,硅的化合價(jià)為+4價(jià)。硅顯正化合價(jià)的原因是
     

    ③下列說法正確的是
     
    (填序號(hào))。
    a.SiF4的熱穩(wěn)定性比CH4的差
    b.SiH4中4個(gè)Si-H的鍵長相同,H-Si-H的鍵角為90°
    c.SiH4中硅原子以4個(gè)sp3雜化軌道分別與4個(gè)氫原子的1s軌道重疊,形成4個(gè)Si-Hσ鍵
    ④SiF4的沸點(diǎn)(-86℃)高于SiH4的沸點(diǎn)(-112℃),原因是
     
    。
    (2)NaAlH4的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,晶胞的體積為a2b×10-21cm3。
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    A
    l
    H
    -
    4
    的VSEPR模型名稱為
     
    。
    ②用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值。NaAlH4晶體密度為
     
    g?cm-3(用含a、b、NA的代數(shù)式表示)。
    ③NaAlH4是一種具有應(yīng)用潛能的儲(chǔ)氫材料,其釋氫過程可用化學(xué)方程式表示為:3NaAlH4═Na3AlH6+2Al+3H2↑。摻雜22Ti替換晶體中部分Al,更利于NaAlH4中H的解離,使體系更容易釋放氫。從結(jié)構(gòu)的角度推測其可能原因:
     
    。

    發(fā)布:2024/11/6 14:0:2組卷:52引用:1難度:0.7
  • 菁優(yōu)網(wǎng)3.X、Y、Z、W、Q是周期表中前4周期元素,且原子序數(shù)依次增大。X、Z的基態(tài)原子2p軌道中均有2個(gè)未成對電子,W的最外層電子數(shù)是次外層的一半,Q最外層有1個(gè)電子,內(nèi)層電子全部充滿。Q2+能與NH3形成[Q(NH34]2+,[Q(NH34]2+中2個(gè)NH3被2個(gè)Cl-取代可得兩種不同的結(jié)構(gòu)。Q2Z種晶胞如下圖所示。下列說法正確的是(  )

    發(fā)布:2024/11/6 20:0:1組卷:15引用:2難度:0.7
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