砷化鎵是繼硅之后研究最深入、應(yīng)用最廣泛的半導(dǎo)體材料?；卮鹣铝袉?wèn)題：
（1）Ga基態(tài)原子核外電子排布式為

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹

，As基態(tài)原子核外有

3

3

個(gè)未成對(duì)電子。
（2）Ga、As、Se的第一電離能中大到小的順序是

As＞Se＞Ga

As＞Se＞Ga

，Ga、As、Se 的電負(fù)性由大到小的順序是

Se＞As＞Ga

Se＞As＞Ga

。
（3）比較下列鎵的鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)，分析其變化規(guī)律及原因：

GaCl₃、GaBr₃、GaI₃均為分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力增強(qiáng)

GaCl₃、GaBr₃、GaI₃均為分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力增強(qiáng)

。

鎵的鹵化物	GaI3	GaBr3	GaCl3
熔點(diǎn)/℃	77.75	122.3	211.5
沸點(diǎn)/℃	201.2	279	346

GaF₃的熔點(diǎn)超過(guò)1000℃，可能的原因是

GaF₃是離子晶體

GaF₃是離子晶體

。
（4）二水合草酸鎵的結(jié)構(gòu)如圖1所示，其中鎵原子的配位數(shù)為

4

4

，草酸根中碳原子的雜化軌道類型為

sp²

sp²

。

（5）砷化鎵的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示，晶胞參數(shù)為a=0.565nm,砷化鎵晶體的密度為

4

×

145

N

A

×

（

0

.

565

×

1

0

-

7

）

3

4

×

145

N

A

×

（

0

.

565

×

1

0

-

7

）

3

g/cm³（設(shè)N_A為阿伏加德羅常數(shù)的值，列出計(jì)算式即可）。