近年來，我國工程建設(shè)自主創(chuàng)新能力實(shí)現(xiàn)大跨越，尤其在新材料研究方面有重大突破，回答下列問題：
（1）鈦是一種新興的結(jié)構(gòu)材料，比鋼輕、比鋁硬。基態(tài)鈦原子的價(jià)電子排布式為 3d24s23d24s2。與鈦同周期的元素中，基態(tài)原子的未成對電子數(shù)與鈦相同的有 33種。
（2）鎳及其化合物常用作有機(jī)合成的催化劑，如Ni（PPh3）2 （Ph表示苯基），在該化合物中，配體的空間構(gòu)型為 三角錐形三角錐形Ni（ PPh3）2晶體中存在的化學(xué)鍵類型有 BCEBCE（填字母）。
A.離子鍵
B.極性鍵
C.非極性鍵
D.金屬鍵
E.配位鍵
F.氫鍵
（3）純凈的磷酸粘度極大，隨溫度升高粘度迅速下降，原因是 當(dāng)溫度升高時(shí)，部分磷酸分子間的氫鍵被破壞，導(dǎo)致粘度迅速下降當(dāng)溫度升高時(shí)，部分磷酸分子間的氫鍵被破壞，導(dǎo)致粘度迅速下降。
（4）氧化銅的熔點(diǎn)為1326℃；氧化亞銅的熔點(diǎn)為1235℃，導(dǎo)致這種差異的原因是 CuO中的離子鍵強(qiáng)于Cu2O中的離子鍵CuO中的離子鍵強(qiáng)于Cu2O中的離子鍵、
（5）正負(fù)離子的半徑比是決定晶體結(jié)構(gòu)和配位數(shù)的重要因素。根據(jù)圖（a）、（b）推測晶體中離子半徑比（r+）（r-）與配位數(shù)的關(guān)系：（r+）（r-）比值越大、配位數(shù)越大（r+）（r-）比值越大、配位數(shù)越大。
（6）NiO的晶細(xì)胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示，其中離子坐標(biāo)參數(shù)A為（0，0，0）B為（1，1，1），則C的離子坐標(biāo)參數(shù)為 （1，12，12）（1，12，12）。一定溫度下，NiO晶體可以自發(fā)地分散并形成“單分子層”，可以認(rèn)為O2-作密置單層排列，Ni2+填充其中（如圖乙），已知O2的半徑為apm,設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，每平方米的面積上具有該晶體的質(zhì)量為 75×102423a2NA75×102423a2NAg （用含a、NA的代數(shù)式表示）。
（
r
+
）
（
r
-
）
（
r
+
）
（
r
-
）
（
r
+
）
（
r
-
）
1
2
1
2
1
2
1
2
75
×
1
0
24
2
3
a
2
N
A
75
×
1
0
24
2
3
a
2
N
A
【答案】3d24s2；3；三角錐形；BCE；當(dāng)溫度升高時(shí)，部分磷酸分子間的氫鍵被破壞，導(dǎo)致粘度迅速下降；CuO中的離子鍵強(qiáng)于Cu2O中的離子鍵；比值越大、配位數(shù)越大；（1，，）；
（
r
+
）
（
r
-
）
1
2
1
2
75
×
1
0
24
2
3
a
2
N
A
【解答】
【點(diǎn)評】
聲明：本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書面同意，不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：15引用：1難度：0.5
相似題
-
1．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
2．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關(guān)信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個(gè)未成對電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個(gè)能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個(gè)電子．
試回答下列問題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為，F(xiàn)的價(jià)層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應(yīng)式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍(lán)色沉淀溶解，得到深藍(lán)色溶液，再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇，析出深藍(lán)色晶體．藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結(jié)構(gòu)（面心立方）如圖2所示：已知兩個(gè)最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
3．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成），則平均每一個(gè)C60晶胞中有個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4
相關(guān)試卷