我國科學(xué)家研發(fā)的全球首套千噸級(jí)太陽能燃料合成項(xiàng)目被形象地稱為“液態(tài)陽光”計(jì)劃，太陽能電池板主要材料為單晶硅或多晶硅。
（1）與硅同主族的鍺元素的價(jià)層電子排布式為 4s24p24s24p2。
（2）NCl3、SiCl4、SCl2的鍵角由大到小的順序?yàn)?SiCl4、NCl3、SCl2SiCl4、NCl3、SCl2，其中SCl2的分子構(gòu)型為 V形V形。
（3）環(huán)戊基二乙基硅基乙炔分子結(jié)構(gòu)為
，分子中σ鍵和π鍵的個(gè)數(shù)比為 16：116：1。
（4）碳與硅元素同主族，但形成的晶體性質(zhì)卻有不同。單晶硅不導(dǎo)電，但石墨能導(dǎo)電，石墨能夠?qū)щ姷脑蚴?石墨中每個(gè)碳原子均為sp2雜化，剩余1個(gè)p電子的軌道重疊形成一個(gè)離域大π鍵，使電子可在層間自由移動(dòng)石墨中每個(gè)碳原子均為sp2雜化，剩余1個(gè)p電子的軌道重疊形成一個(gè)離域大π鍵，使電子可在層間自由移動(dòng)。
（5）SiC和單晶硅具有相似的晶體結(jié)構(gòu)，但SiC熔點(diǎn)更高，其原因是 SiC和單晶硅同為原子晶體，r（C）＜r（Si），Si—C鍵比Si—Si鍵更短，鍵能更大，不易斷裂，故SiC熔點(diǎn)更高SiC和單晶硅同為原子晶體，r（C）＜r（Si），Si—C鍵比Si—Si鍵更短，鍵能更大，不易斷裂，故SiC熔點(diǎn)更高。
（6）晶胞中原子的位置通?？捎迷臃?jǐn)?shù)坐標(biāo)表示（原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)：將原子位置的坐標(biāo)表示為晶胞棱長的分?jǐn)?shù)）。復(fù)雜結(jié)構(gòu)的三維表示往往難以在二維圖上繪制和解釋，可以從晶胞的一個(gè)方向（通常選擇晶胞的一個(gè)軸的方向）往下看，某面心立方晶胞的投影圖如圖1所示。某種硫化硅晶體的晶胞結(jié)構(gòu)的投影圖如圖2所示。
①該硫化硅晶體的化學(xué)式為 SiS2SiS2。
②在該晶胞中與S距離最近的Si的數(shù)目為 22。
③若距離最近的Si和S的核間距為dnm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則該硫化硅晶體的密度為 2×28+2×32NA×（43d×10-7）32×28+2×32NA×（43d×10-7）3g?cm-3（列出算式即可）。
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【答案】4s24p2；SiCl4、NCl3、SCl2；V形；16：1；石墨中每個(gè)碳原子均為sp2雜化，剩余1個(gè)p電子的軌道重疊形成一個(gè)離域大π鍵，使電子可在層間自由移動(dòng)；SiC和單晶硅同為原子晶體，r（C）＜r（Si），Si—C鍵比Si—Si鍵更短，鍵能更大，不易斷裂，故SiC熔點(diǎn)更高；SiS2；2；
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【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明：本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書面同意，不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：13引用：1難度：0.5
相似題
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1．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成），則平均每一個(gè)C60晶胞中有個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4 -
2．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關(guān)信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個(gè)未成對(duì)電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個(gè)能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個(gè)電子．
試回答下列問題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為，F(xiàn)的價(jià)層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號(hào)填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應(yīng)式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍(lán)色沉淀溶解，得到深藍(lán)色溶液，再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇，析出深藍(lán)色晶體．藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結(jié)構(gòu)（面心立方）如圖2所示：已知兩個(gè)最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對(duì)原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
3．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號(hào)表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號(hào)表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對(duì)式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7
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