工業(yè)硅是我國(guó)有色金屬行業(yè)的重要組成部分，其細(xì)分產(chǎn)品主要分為單晶硅、多晶硅、有機(jī)硅和合金硅，其下游應(yīng)用已經(jīng)滲透到國(guó)防軍工，信息產(chǎn)業(yè)，新能源等相關(guān)行業(yè)中，在我國(guó)經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展中具有特殊的地位，是新能源，新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展不可或缺的重要材料，展現(xiàn)了廣闊的應(yīng)用前景。
（1）已知反應(yīng)a：2C（s）+O₂（g）=2CO（g）ΔH₁=-221.0kJ?mol^-1
反應(yīng)b：2Si（s）+O₂（g）=SiO₂（g）ΔH₂=-911.0kJ?mol^-1
①寫出工業(yè)上用過(guò)量碳與SiO₂（s）制備粗硅的熱化學(xué)方程式：

2C（s）+SiO₂（s）=Si（s）+2CO（g）ΔH=+690kJ/mol

2C（s）+SiO₂（s）=Si（s）+2CO（g）ΔH=+690kJ/mol

，在

高溫

高溫

（填“高溫”或“低溫”）下利于該反應(yīng)進(jìn)行。
②粗硅中主要含有Si、焦炭、SiO₂，工業(yè)上可以通過(guò)如圖所示流程制取純硅：

反應(yīng)Ⅱ的化學(xué)方程式為

SiHCl₃+H₂

1373

～

1453

K

Si+3HCl

SiHCl₃+H₂

1373

～

1453

K

Si+3HCl

。
（2）硅烷法制備多晶硅的核心反應(yīng)是SiHCl₃的歧化：2SiHCl₃（g）?SiH₂Cl₂（g）+SiCl₄（g） ΔH₂=QkJ?mol^-1，在323K和343K時(shí)SiHCl₃的轉(zhuǎn)化率隨時(shí)間變化的關(guān)系如圖所示。
已知：

溫度/K	323	343	400
平衡常數(shù)	0.01	0.02	1

①該反應(yīng)的ΔH

＞

＞

（填“＞”或“＜”）0；代表343K的曲線是

X

X

（填“X”或“Y”）。
②反應(yīng)速率v_正=k_正?

x

S

i

HC

l

3

²，v_逆=k_逆?

x

S

i

H

2

C

l

2

?

x

S

i

C

l

4

，k_正、k_逆分別為正，逆向反應(yīng)速率常數(shù)，x為物質(zhì)的量分?jǐn)?shù)，M點(diǎn)的

v

正

v

逆

=

0.64

0.64

（填數(shù)值）。
③400K下，向一容積為2L的恒容容器中通入0.3mol SiH₂Cl₂和0.3molSiCl₄發(fā)生反應(yīng)，達(dá)到平衡SiHCl₃的濃度為

0.1

0.1

mol?L^-1。
（3）冷氫化技術(shù)是國(guó)內(nèi)多晶硅技術(shù)開(kāi)發(fā)的核心。在催化劑作用下，將SiCl₄氫化為SiHCl₃：起始反應(yīng)物投料相同，不同溫度下在某恒容密閉容器中，發(fā)生反應(yīng)3SiCl₄（g）+2H₂（g）+Si（s）?4SiHCl₃（g）ΔH＜0，反應(yīng)相同時(shí)間后測(cè)得SiCl₄的轉(zhuǎn)化率與溫度的關(guān)系如圖所示。

①圖中已達(dá)到平衡的點(diǎn)是

D

D

。
②B點(diǎn)的v_逆

小于

小于

（填“大于”、“小于”或“等于”）D點(diǎn)的v_正。