在勻強磁場中放置一個截面為矩形的通電導(dǎo)體或半導(dǎo)體薄片，當磁場方向與電流方向垂直時，在與磁場、電流方向都垂直的方向上出現(xiàn)電勢差，這個現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng)，產(chǎn)生的電勢差稱為霍爾電勢差或霍爾電壓U_H?；魻栯妷号c電流之比稱為霍爾電阻R_H。
（1）圖甲所示的半導(dǎo)體薄片的厚度為d,薄片中自由電荷的電荷量為q,單位體積內(nèi)的自由電荷數(shù)為n。磁感應(yīng)強度大小為B。請你推導(dǎo)霍爾電阻R_H的表達式。
（2）在發(fā)現(xiàn)霍爾效應(yīng)約100年后，科學(xué)家又發(fā)現(xiàn)某些半導(dǎo)體材料的霍爾電阻，在低溫和強磁場下，與外加磁場的關(guān)系出現(xiàn)一個個的“平臺”，在平臺處霍爾電阻嚴格等于一個常數(shù)除以正整數(shù)，即

R

H

=

h

i

e

2

，其中h為普朗克常數(shù)，e為電子電荷量，i為正整數(shù)，這個現(xiàn)象被稱為整數(shù)量子霍爾效應(yīng)。在環(huán)境溫度小于4K時，霍爾電阻R_H與外加磁場的磁感應(yīng)強度B的關(guān)系圖像如圖乙所示。由于量子霍爾電阻只與基本物理常數(shù)有關(guān)，國際計量委員會推薦在世界范圍內(nèi)用量子電阻標準替代實物電阻標準，以避免實物電阻阻值因環(huán)境影響而變化。由于霍爾電阻與實物電阻的定義并不相同，因此需要利用一些方法才可以將量子霍爾電阻標準電阻值“傳遞”給實物電阻?！皞鬟f”的一種方法叫“電位差計比較法”，其原理可簡化為圖丙所示電路，把可調(diào)實物電阻與量子霍爾電阻串聯(lián)，用同一個電源供電，以保證通過兩個電阻的電流相等。通過比較霍爾電勢差與實物電阻兩端的電勢差，即可達到比較霍爾電阻與實物電阻阻值的目的。
a.某次實驗時，霍爾元件所處環(huán)境溫度為1.5K，磁感應(yīng)強度大小為8T，此時a、b兩點間的霍爾電勢差與c、d兩點間的電勢差相等。若h=6.63×10^-34J?s,e=1.6×10^-19C。通過分析，計算該實物電阻的阻值R_S（結(jié)果保留兩位有效數(shù)字）。
b.如果要通過量子霍爾效應(yīng)“傳遞”出一個阻值為

h

3

e

2

的標準實物電阻，請你說明操作思路。