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我國科學(xué)家最近開發(fā)了α-B26C@TiO2/Ti催化劑實(shí)現(xiàn)NO制NH3,為資源回收利用提供新思路。請回答下列問題:
(1)基態(tài)N原子的價(jià)層電子排布圖為
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(2)上述物質(zhì)中所含第二周期元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?
N>O>C>B
N>O>C>B
(填元素符號)。
(3)氨硼烷(NH3?BH3)是一種具有潛力的固體儲氫材料。NH3?BH3分子中屬于sp3雜化的原子有
B、N
B、N
(填元素符號)。H-N-H鍵角:NH3
NH3?BH3(填“>”“<”或“=”),理由是
氨氣分子中N原子價(jià)層電子對個(gè)數(shù)為3+
5
-
3
×
1
2
=4且含有1個(gè)孤電子對,NH3?BH3分子中N原子和3個(gè)氫原子、B原子形成4個(gè)共價(jià)鍵,所以N原子的價(jià)層電子對個(gè)數(shù)是4且不含孤電子對,孤電子對和成鍵電子對之間的排斥力大于成鍵電子對之間的排斥力
氨氣分子中N原子價(jià)層電子對個(gè)數(shù)為3+
5
-
3
×
1
2
=4且含有1個(gè)孤電子對,NH3?BH3分子中N原子和3個(gè)氫原子、B原子形成4個(gè)共價(jià)鍵,所以N原子的價(jià)層電子對個(gè)數(shù)是4且不含孤電子對,孤電子對和成鍵電子對之間的排斥力大于成鍵電子對之間的排斥力
。
(4)已知:BC(碳化硼)、BN(氮化硼)的熔點(diǎn)依次為2450℃、3000℃,BN的熔點(diǎn)較高的主要原因是
BC和BN都是共價(jià)晶體,但氮的原子半徑比碳小,B-N鍵的鍵能比B-C鍵的鍵能大,熔化時(shí)BN中B-N鍵斷裂吸收的能量大
BC和BN都是共價(jià)晶體,但氮的原子半徑比碳小,B-N鍵的鍵能比B-C鍵的鍵能大,熔化時(shí)BN中B-N鍵斷裂吸收的能量大

(5)鈦晶體有兩種結(jié)構(gòu),如圖1和圖2所示:
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圖1立方體結(jié)構(gòu)中原子的空間利用率為
3
π
8
×100%
3
π
8
×100%
(用含π的代數(shù)式表示);圖2結(jié)構(gòu)鈦晶體中的原子堆積方式稱為
六方最密堆積
六方最密堆積

【答案】菁優(yōu)網(wǎng);N>O>C>B;B、N;<;氨氣分子中N原子價(jià)層電子對個(gè)數(shù)為3+
5
-
3
×
1
2
=4且含有1個(gè)孤電子對,NH3?BH3分子中N原子和3個(gè)氫原子、B原子形成4個(gè)共價(jià)鍵,所以N原子的價(jià)層電子對個(gè)數(shù)是4且不含孤電子對,孤電子對和成鍵電子對之間的排斥力大于成鍵電子對之間的排斥力;BC和BN都是共價(jià)晶體,但氮的原子半徑比碳小,B-N鍵的鍵能比B-C鍵的鍵能大,熔化時(shí)BN中B-N鍵斷裂吸收的能量大;
3
π
8
×100%;六方最密堆積
【解答】
【點(diǎn)評】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/4/23 12:26:7組卷:46引用:1難度:0.3
相似題
  • 1.堿金屬(Li、Na、K、Rb、Cs)及其化合物在生產(chǎn)、生活中有著重要的應(yīng)用。請回答:
    (1)基態(tài)K原子核外有
     
    種不同的電子運(yùn)動狀態(tài)。
    (2)鹵化物CsICl2受熱發(fā)生非氧化還原反應(yīng),生成無色晶體X和紅棕色液體Y。解釋X的熔點(diǎn)比Y高的原因:
     
    。
    (3)已知RbH2PO2是次磷酸的正鹽,H3PO2的結(jié)構(gòu)式為
     
    ,其中P采取
     
    雜化方式。
    (4)Al、B、H電負(fù)性分別為1.5、2.0、2.1,簡要說明LiAlH4還原性比NaBH4強(qiáng)的原因:
     

    (5)鋰離子電池電極材料是LiFePO4,其晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如①所示。其中O圍繞Fe和P分別形成4個(gè)正八面體和4個(gè)正四面體。電池充電時(shí),LiFePO4脫出部分Li+形成Li(1-x)FePO4,其結(jié)構(gòu)示意圖如②所示,則Li(1-x)FePO4晶胞中n(Fe2+):n(Fe3+)=
     
    。
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    發(fā)布:2024/11/6 12:0:1組卷:33引用:1難度:0.5
  • 2.硅烷廣泛應(yīng)用在現(xiàn)代高科技領(lǐng)域。制備硅烷的反應(yīng)為SiF4+NaAlH4═SiH4+NaAlF4
    (1)①基態(tài)硅原子的價(jià)層電子軌道表示式為
     
    。
    ②SiF4中,硅的化合價(jià)為+4價(jià)。硅顯正化合價(jià)的原因是
     
    。
    ③下列說法正確的是
     
    (填序號)。
    a.SiF4的熱穩(wěn)定性比CH4的差
    b.SiH4中4個(gè)Si-H的鍵長相同,H-Si-H的鍵角為90°
    c.SiH4中硅原子以4個(gè)sp3雜化軌道分別與4個(gè)氫原子的1s軌道重疊,形成4個(gè)Si-Hσ鍵
    ④SiF4的沸點(diǎn)(-86℃)高于SiH4的沸點(diǎn)(-112℃),原因是
     
    。
    (2)NaAlH4的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,晶胞的體積為a2b×10-21cm3。
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    A
    l
    H
    -
    4
    的VSEPR模型名稱為
     

    ②用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值。NaAlH4晶體密度為
     
    g?cm-3(用含a、b、NA的代數(shù)式表示)。
    ③NaAlH4是一種具有應(yīng)用潛能的儲氫材料,其釋氫過程可用化學(xué)方程式表示為:3NaAlH4═Na3AlH6+2Al+3H2↑。摻雜22Ti替換晶體中部分Al,更利于NaAlH4中H的解離,使體系更容易釋放氫。從結(jié)構(gòu)的角度推測其可能原因:
     
    。

    發(fā)布:2024/11/6 14:0:2組卷:52引用:1難度:0.7
  • 菁優(yōu)網(wǎng)3.X、Y、Z、W、Q是周期表中前4周期元素,且原子序數(shù)依次增大。X、Z的基態(tài)原子2p軌道中均有2個(gè)未成對電子,W的最外層電子數(shù)是次外層的一半,Q最外層有1個(gè)電子,內(nèi)層電子全部充滿。Q2+能與NH3形成[Q(NH34]2+,[Q(NH34]2+中2個(gè)NH3被2個(gè)Cl-取代可得兩種不同的結(jié)構(gòu)。Q2Z種晶胞如下圖所示。下列說法正確的是( ?。?/h2>

    發(fā)布:2024/11/6 20:0:1組卷:15引用:2難度:0.7
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