VIA族的氧、硫、硒（Se）、碲（Te）等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含VIA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途．請回答下列問題：
（1）S單質(zhì)的常見形式為S8，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如圖1所示，S原子采用的軌道雜化方式是sp3sp3；
（2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->O＞S＞SeO＞S＞Se；
（3）Se原子序數(shù)為3434，其核外M層電子的排布式為3s23p63d103s23p63d10；
（4）H2Se的酸性比H2S強(qiáng)強(qiáng)（填“強(qiáng)”或“弱”）．氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為平面三角形平面三角形，SO32-離子的立體構(gòu)型為三角錐形三角錐形；
（5）H2SeO3的K1和K2分別為2.7×10-3和2.5×10-8，H2SeO4第一步幾乎完全電離，K2為1.2×10-2，請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋：
①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因：第一步電離后生成的負(fù)離子，較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子第一步電離后生成的負(fù)離子，較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子；
②H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因：H2SeO3和H2SeO4可表示成（HO）2SeO和（HO）2SeO2．H2SeO3中的Se為+4價(jià)，而H2SeO4中的Se為+6價(jià)，正電性更高，導(dǎo)致Se-O-H中O的電子更向Se偏移，越易電離出H+；H2SeO3和H2SeO4可表示成（HO）2SeO和（HO）2SeO2．H2SeO3中的Se為+4價(jià)，而H2SeO4中的Se為+6價(jià)，正電性更高，導(dǎo)致Se-O-H中O的電子更向Se偏移，越易電離出H+；；
（6）ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛．立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如圖2所示，其晶胞邊長為540.0pm,密度為4.14.1（列式并計(jì)算），a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為270.01-cos109°28′270.01-cos109°28′pm（列式表示）．
270
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0
1
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cos
109
°
28
′
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109
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28
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【答案】sp3；O＞S＞Se；34；3s23p63d10；強(qiáng)；平面三角形；三角錐形；第一步電離后生成的負(fù)離子，較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子；H2SeO3和H2SeO4可表示成（HO）2SeO和（HO）2SeO2．H2SeO3中的Se為+4價(jià)，而H2SeO4中的Se為+6價(jià)，正電性更高，導(dǎo)致Se-O-H中O的電子更向Se偏移，越易電離出H+；；4.1；
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【解答】
【點(diǎn)評】
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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：8引用：2難度：0.5
相似題
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1．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關(guān)信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個(gè)未成對電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個(gè)能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個(gè)電子．
試回答下列問題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為，F(xiàn)的價(jià)層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應(yīng)式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍(lán)色沉淀溶解，得到深藍(lán)色溶液，再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇，析出深藍(lán)色晶體．藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結(jié)構(gòu)（面心立方）如圖2所示：已知兩個(gè)最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
2．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
3．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成），則平均每一個(gè)C60晶胞中有個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4