當(dāng)前位置： 2022年吉林省吉林市高考化學(xué)二調(diào)試卷> 試題詳情

砷化鎵（GaAs）是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。
（1）基態(tài)Ga原子的價(jià)電子排布式為
4s²4p¹
4s²4p¹
，其同周期元素中未成對電子數(shù)最多的是
Cr
Cr
（填元素符號）。

（2）GaAs可用Ga（CH₃）₃（常溫下為無色液體）和AsH₃高溫反應(yīng)制得，同時(shí)生成另一種產(chǎn)物，寫出反應(yīng)方程式
Ga（CH₃）₃+AsH₃=GaAs+3CH₄↑
Ga（CH₃）₃+AsH₃=GaAs+3CH₄↑
，另一種產(chǎn)物中心原子的雜化類型為
sp³
sp³
。
（3）沸點(diǎn)AsH₃
＜
＜
NH₃（填“＞”、“＜”、“=”），原因是
兩者均為分子晶體，NH₃分子之間可以形成氫鍵，故熔沸點(diǎn)較高
兩者均為分子晶體，NH₃分子之間可以形成氫鍵，故熔沸點(diǎn)較高
。
（4）GaAs的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，若晶胞中距離最近的兩個(gè)Ga原子距離為anm,阿伏加德羅常數(shù)的值為N_A，則GaAs的密度為
4
×
70
+
4
×
75
N
A
×
（
2
a
×
10
-
7
）
3
4
×
70
+
4
×
75
N
A
×
（
2
a
×
10
-
7
）
3
g/cm³。

【考點(diǎn)】晶胞的計(jì)算；原子軌道雜化方式及雜化類型判斷；原子核外電子排布．

【答案】4s²4p¹；Cr；Ga（CH₃）₃+AsH₃=GaAs+3CH₄↑；sp³；＜；兩者均為分子晶體，NH₃分子之間可以形成氫鍵，故熔沸點(diǎn)較高；

（

）

【解答】

【點(diǎn)評】

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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：8引用：2難度：0.5

相似題

1．碘及其化合物在生產(chǎn)、生活中有著廣泛的應(yīng)用?；卮鹣铝袉栴}：
電負(fù)性：H 2.20；C 2.55；F 3.98；P 2.19；I 2.66
（1）人工合成的¹³¹I是醫(yī)療上常用的放射性同位素，碘在周期表中的位置是

。
（2）碘單質(zhì)在CS₂中的溶解度比在水中的大，解釋原因

。
（3）HI主要用于藥物合成，通常用I₂和P反應(yīng)生成PI₃，PI₃再水解制備HI。PI₃的空間結(jié)構(gòu)是

，PI₃水解生成HI的化學(xué)方程式是

。
（4）CH₃I是一種甲基化試劑，CF₃I可用作制冷劑，CH₃I和CF₃I發(fā)生水解時(shí)的主要反應(yīng)分別是：CH₃I+H₂O→CH₃OH+HI和CF₃I+H₂O→CF₃H+HIO。CF₃I的水解產(chǎn)物是HIO，結(jié)合電負(fù)性解釋原因

。
（5）KIO₃晶體是一種性能良好的光學(xué)材料，其晶胞為立方體，邊長為anm,晶胞中K、I、O分別處于頂點(diǎn)、體心、面心位置，結(jié)構(gòu)如圖。
①與K原子緊鄰的O原子有

個(gè)。
②KIO₃的摩爾質(zhì)量為214g/mol,阿伏加德羅常數(shù)為N_A。該晶體的密度是

g/cm³（1nm=10^-9m）。
發(fā)布：2024/11/17 0:30:1組卷：93引用：4難度：0.6
解析
2．氮族元素的單質(zhì)及其化合物在生活、生產(chǎn)中有廣泛應(yīng)用。回答下列問題：
（1）下列電子排布圖能表示基態(tài)N原子的核外電子排布情況的是

。（填標(biāo)號）
A．
B．
C．
D．
（2）鍵角：NH₃＞PH₃＞AsH₃，從原子結(jié)構(gòu)角度分析原因：

。AsH₃中As原子的雜化類型是

，AsH₃的空間構(gòu)型是

。

（3）白磷中毒后，用硫酸銅溶液解毒，其反應(yīng)原理為11P₄+60CuSO₄+96H₂O═20Cu₃P+24H₃PO₄+60H₂SO₄。
①白磷的結(jié)構(gòu)如圖1所示，上述反應(yīng)轉(zhuǎn)移20mol電子時(shí)，破壞P₄中

mol σ鍵。與CuSO₄中陰離子互為等電子體的分子有

。（填一種即可）
②Cu₃P中銅粒子的價(jià)層電子排布式為

。
③在CuSO₄溶液中滴加過量氨水生成藍(lán)色溶液，主要成分是[Cu（NH₃）₄]SO₄，其中不存在的作用力類型有

。（填標(biāo)號）
A．離子鍵
B．金屬鍵
C．配位鍵
D．極性共價(jià)鍵
（4）聯(lián)氨（N₂H₄）的沸點(diǎn)為113.5℃，聯(lián)磷（P₂H₄）的沸點(diǎn)為55℃，主要原因是

。
（5）磷化硼是一種半導(dǎo)體材料，早在1891年，法國化學(xué)家亨利?莫瓦桑就合成了磷化硼晶體，其晶胞如圖2所示。磷化硼的化學(xué)式為

。磷化硼的熔點(diǎn)為1100℃，它的晶體類型是

。
（6）砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料，用來制作微波器件等。砷化鎵的晶胞如圖3所示。已知砷化鎵的摩爾質(zhì)
量為Mg?mol^-1，密度為dg?cm^-3，N_A代表阿伏加德羅常數(shù)的值。圖3中As原子與Ga原子的最短核間距為

pm。
發(fā)布：2024/11/17 8:0:1組卷：49引用：1難度：0.5
解析

3．一種含釩超導(dǎo)材料的晶胞結(jié)構(gòu)及晶體結(jié)構(gòu)俯視圖如圖，晶胞參數(shù)為xnm、xnm、ynm,摩爾質(zhì)量為Mrg/mol（Sb原子有兩種位置關(guān)系，分別用Sb1和Sb2代表），下列敘述中錯(cuò)誤的是（　?。?br />

A．該晶體的化學(xué)式為CsV₃Sb₅

B．與Cs原子距離最近的Sb1原子有6個(gè)

C．基態(tài)V²⁺占據(jù)的最高能層的符號是M

D．該含釩超導(dǎo)材料的晶體密度為

g?cm^-3

發(fā)布：2024/11/17 0:30:1組卷：43引用：1難度：0.5

解析

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