用α射線轟擊鋁箔

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Al人工產(chǎn)生一定量的放射性同位素

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P和某種粒子A，放置一段時間T后，部分

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P衰變產(chǎn)生

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Si和正電子?，F(xiàn)用如圖所示裝置檢測

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P在時間T內(nèi)的衰變率：將核反應產(chǎn)物（電離態(tài)的P^3-、電離態(tài)的Si⁴⁺、α粒子、粒子A、正電子等五種粒子）一起注入到加速電場的中心P，忽略各粒子的初速度，部分粒子經(jīng)電場加速形成的粒子束1從正極板的小孔M射出，被探測板1收集；部分粒子經(jīng)電場加速后形成粒子束2從負極板上的小孔N射出，沿半徑為R的圓弧軌跡通過靜電分析器，經(jīng)由速度選擇器篩選后（速度選擇器中不同粒子的運動軌跡如圖中虛線所示），在磁分析器中沿半圓弧軌跡偏轉，最后被磁場邊界處的探測板2收集。其中加速電場的電壓大小為U，靜電分析器中與圓心O₁等距離的各點場強大小相等，方向指向圓心，磁分析器中以O₂為圓心的足夠大半圓形區(qū)域內(nèi)，分布著方向垂直于紙面向外的勻強磁場，磁感應強度的大小為B。經(jīng)檢測，探測板1收集的電荷量為Q₁，探測板2收集電荷量為Q₂。設原子核中每個核子的質(zhì)量均為m,整個系統(tǒng)處于真空中，忽略檢測過程中發(fā)生的衰變，不計重力、粒子間的相互作用力及相對論效應，且已知元電荷量為e。
（1）寫出α粒子轟擊鋁箔的核反應方程：
（2）求靜電分析器中粒子運動軌跡處電場強度的大??；
（3）求時間T內(nèi)發(fā)生衰變的

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P與人工產(chǎn)生的

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P的比值η；
（4）若磁分析器中磁場有較小的波動，其變化范圍為B-ΔB至B+ΔB，為將進入磁分析器的粒子全部收集，探測板2的最小長度L是多少。