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2023年浙江省名校聯(lián)盟(七彩聯(lián)盟)高考物理二模試卷
>
試題詳情
根據(jù)霍爾效應(yīng)原理制成的霍爾元件有廣泛的應(yīng)用,某研究小組用霍爾元件來研究金屬棒在磁場中的運(yùn)動規(guī)律。如圖1(a)所示,在水平面上固定放置兩間距為l的平行、光滑金屬導(dǎo)軌,其右側(cè)通過開關(guān)S接有恒流源,向回路提供恒定電流I
0
;在-x
0
≤x≤x≤x
0
區(qū)間存在方向垂直導(dǎo)軌平面向下、大小沿Oy軸方向不變、沿Ox軸方向按某一規(guī)律變化的穩(wěn)恒磁場。一質(zhì)量為m的金屬棒垂直于導(dǎo)軌放置,其上固定一霍爾元件(相比m,其質(zhì)量可忽略不計(jì)),它是一個長、寬和高分別為a×bxc的長方體微小半導(dǎo)體薄片,磁場方向垂直a×b平面,其單位體積中載流子數(shù)為n,每個載流子帶電荷量為e。在半導(dǎo)體薄片上制作四個電極E、F、M、N,放大圖如圖1(b)所示,在E、F間通入恒定的電流I,則在M、N間出現(xiàn)霍爾電壓U
H
=U
M
-U
N
(圖中沒有畫出提供電流I和測量電壓 U
H
的電路圖)。開關(guān)S斷開時,導(dǎo)體棒靜止在x=x
0
處。計(jì)算時將
1
nec
用常量k表示。(已知力一位移圖象的面積是力所做的功)
(1)求半導(dǎo)體薄片中載流子平均移動速率;
(2)半導(dǎo)體材料有P型(載流子以空穴導(dǎo)電為主,即正電荷導(dǎo)電)和N型(載流子以電子導(dǎo)電為主)兩種,當(dāng)棒位于x=x
0
處時,測得霍爾電壓大小為U
H
0
,求該處磁感應(yīng)強(qiáng)度B
0
的大小;如果 U
H
0
>0,則該半導(dǎo)體是P型還是N型?
(3)閉合開關(guān)S,導(dǎo)體棒從x=x
0
處開始運(yùn)動,測得霍爾電壓U
H
隨x變化的圖線為如圖2所示,求磁感應(yīng)強(qiáng)度B沿Ox軸的分布規(guī)律和棒運(yùn)動速度與x的關(guān)系。
?
【考點(diǎn)】
霍爾效應(yīng)與霍爾元件
.
【答案】
見試題解答內(nèi)容
【解答】
【點(diǎn)評】
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發(fā)布:2024/6/27 10:35:59
組卷:95
引用:1
難度:0.5
相似題
1.
如圖所示,方形金屬棒放在勻強(qiáng)磁場中,磁場方向垂直前后表面,金屬棒通有從左到右的恒定電流I后將會產(chǎn)生霍爾效應(yīng),a、b、c分別表示長方體的長、寬、高,則( )
A.金屬棒上表面的電勢低于下表面
B.僅增大金屬棒長度a,霍爾電壓將變小
C.僅增大金屬棒寬度b,霍爾電壓將變小
D.僅增大金屬棒高度c,霍爾電壓將變小
發(fā)布:2024/11/4 14:0:1
組卷:166
引用:5
難度:0.6
解析
2.
我國科研人員采用全新發(fā)電方式—“爆炸發(fā)電”,以滿足高耗能武器的連續(xù)發(fā)射需求。其原理如圖所示,爆炸將惰性氣體轉(zhuǎn)化為高速等離子體,射入磁流體動力學(xué)發(fā)生器,發(fā)生器的前后有兩強(qiáng)磁極N和S,使得上下有兩金屬電極之間產(chǎn)生足夠高電壓,下列說法正確的是( ?。?br />
A.上極板電勢比下極板電勢低
B.僅使L增大,兩金屬電極間的電動勢會變大
C.僅使d增大,兩金屬電極間的電動勢會變大
D.僅使b增大,兩金屬電極間的電動勢會變大
發(fā)布:2024/11/5 9:0:1
組卷:164
引用:1
難度:0.5
解析
3.
利用霍爾元件可以進(jìn)行微小位移的測量。如圖甲所示,將固定有霍爾元件的物體置于兩塊磁性強(qiáng)弱相同、同極相對放置的磁體縫隙中,建立如圖乙所示的空間坐標(biāo)系。保持沿x方向通過霍爾元件的電流I不變,當(dāng)物體沿z軸方向移動時,由于不同位置處磁感應(yīng)強(qiáng)度B不同,霍爾元件將在y軸方向的上、下表面間產(chǎn)生不同的霍爾電壓U
H
。當(dāng)霍爾元件處于中間位置時,磁感應(yīng)強(qiáng)度B為0,U
H
為0,將該點(diǎn)作為位移的零點(diǎn)。在小范圍內(nèi),磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小和坐標(biāo)z成正比,這樣就可以把電壓表改裝成測量物體微小位移的儀表。下列說法中正確的是( )
A.在小范圍內(nèi),霍爾電壓U
H
的大小和坐標(biāo)z成反比
B.測量某一位移時,只減小霍爾元件在y軸方向的尺寸,測量結(jié)果將偏大
C.其他條件相同的情況下,霍爾元件沿z軸方向的長度越小,霍爾電壓U
H
越小
D.若霍爾元件中導(dǎo)電的載流子為電子,若測出霍爾元件的下表面電勢高,說明元件的位置坐標(biāo)z>0
發(fā)布:2024/11/3 12:0:2
組卷:148
引用:1
難度:0.5
解析
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