Ge、GaAs、CdTe、CdSe等均為重要的半導(dǎo)體材料，在電子、材料等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛?；卮鹣铝袉栴}：
（1）Ge基態(tài)原子核外電子排布式為[Ar]

[Ar]3d¹⁰4s²4p²

[Ar]3d¹⁰4s²4p²

。
（2）第四周期主族元素中，第一電離能介于Ga、As之間的元素是

Ca、Ge、Se

Ca、Ge、Se

（填元素符號）。
（3）碲的化合物TeO₂、TeO₃、H₂Te三種物質(zhì)中，H₂Te的中心原子雜化類型為

sp³雜化

sp³雜化

，分子構(gòu)型為V形的是

TeO₂、H₂Te

TeO₂、H₂Te

（4）GaCl₃熔點為77.9℃，氣體在270℃左右以二聚體存在，GaCl₃二聚體的結(jié)構(gòu)式為

。GaF₃熔點為1000℃，GaCl₃熔點低于GaF₃的原因是

GaCl₃為分子晶體，熔化時破壞分子間作用力，GaF₃為離子晶體，熔化時破壞離子鍵，離子鍵強于分子間作用力，所以GaCl₃熔點低于GaF₃

GaCl₃為分子晶體，熔化時破壞分子間作用力，GaF₃為離子晶體，熔化時破壞離子鍵，離子鍵強于分子間作用力，所以GaCl₃熔點低于GaF₃

。
（5）CdSe的一種晶體為閃鋅礦型結(jié)構(gòu)，晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。

①原子坐標(biāo)參數(shù)A為（

1

4

，

1

4

，

1

4

），則B、C的原子坐標(biāo)參數(shù)分別為

（

3

4

，

3

4

，

1

4

）

（

3

4

，

3

4

，

1

4

）

、

（

1

4

，

1

4

，

3

4

）

（

1

4

，

1

4

，

3

4

）

。
②已知Cd、Se的半徑分別為anm和bnm,則CdSe的密度為

4

×

191

N

A

×

（

4

a

+

4

b

3

）

3

×

1

0

-

21

4

×

191

N

A

×

（

4

a

+

4

b

3

）

3

×

1

0

-

21

g?cm^-3（列出計算表達(dá)式，N_A表示阿伏加德羅常數(shù)的值）。