當(dāng)前位置： 2020-2021學(xué)年寧夏吳忠市青銅峽高級中學(xué)高二（下）第一次月考化學(xué)試卷> 試題詳情

現(xiàn)有六種元素，其中A、B、C、D為短周期主族元素，E、F為第四周期元素，它們的原子序數(shù)依次增大．請根據(jù)下列相關(guān)信息，回答問題．
A元素原子的核外p電子總數(shù)比s電子總數(shù)少1
B元素原子核外s電子總數(shù)與p電子總數(shù)相等，且不與A元素在同一周期
C原子核外所有p軌道全滿或半滿
D元素的主族序數(shù)與周期數(shù)的差為4
E是前四周期中電負(fù)性最小的元素
F在周期表的第七列
（1）A基態(tài)原子中能量最高的電子，其電子云在空間有
3
3
個(gè)方向，原子軌道呈
紡錘形
紡錘形
形．
（2）某同學(xué)根據(jù)上述信息，所畫的B電子排布圖如圖，違背了
泡利不相容泡利
泡利不相容泡利
原理．
（3）F位于
第三周期第ⅦB
第三周期第ⅦB
族
d
d
區(qū)，其基態(tài)原子有
25
25
種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)．
（4）CD₃中心原子的雜化方式為
sp³
sp³
，用價(jià)層電子對互斥理論推測其分子空間構(gòu)型為
三角錐形
三角錐形
，檢驗(yàn)E元素的方法是
焰色反應(yīng)
焰色反應(yīng)
．
（5）若某金屬單質(zhì)晶體中原子的堆積方式如圖甲所示，其晶胞特征如圖乙所示，原子之間相互位置關(guān)系的平面圖如圖丙所示．則晶胞中該原子的配位數(shù)為
12
12
，該單質(zhì)晶體中原子的堆積方式為四種基本堆積方式中的
面心立方堆積
面心立方堆積
．若已知該金屬的原子半徑為d cm,N_A代表阿伏加德羅常數(shù)，金屬的相對原子質(zhì)量為M，則該晶體的密度為
M
4
2
d
3
N
A
M
4
2
d
3
N
A
g?cm^-3（用字母表示）．

【考點(diǎn)】晶胞的計(jì)算；位置結(jié)構(gòu)性質(zhì)的相互關(guān)系應(yīng)用．

【答案】3；紡錘形；泡利不相容泡利；第三周期第ⅦB；d；25；sp³；三角錐形；焰色反應(yīng)；12；面心立方堆積；

【解答】

【點(diǎn)評】

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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：2引用：3難度：0.3

相似題

1．
過渡金屬元素及其化合物的應(yīng)用廣泛，是科學(xué)家們進(jìn)行前沿研究的方向之一．
（1）基態(tài)Cu原子核外K、L層電子的電子云有

種不同的伸展方向．
（2）鋅化銅是一種金屬互化物，元素銅的第二電離能

（填“大于”、“小于”或“等于”）鋅的第二電離能，理由是

．
（3）[Co（DMSO）₆]（ClO₄）₂是一種紫色晶體，其中DMSO為二甲基亞砜，化學(xué)式為（CH₃）₂SO．（CH₃）₂SO中C-S-O的鍵角

（填“大于”、“小于”或“等于”）CH₃COCH₃中C-C-O的鍵角，理由是

；元素S、Cl、O的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?

．
（4）利用CuSO₄和NaOH制備的Cu（OH）₂懸濁液檢驗(yàn)醛基時(shí)，生成紅色的Cu₂O，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示．
①該晶胞原子坐標(biāo)參數(shù)A為（0，0，0）；C為
（
1
2
，
1
2
，
1
2
）
．則D原子的坐標(biāo)參數(shù)為

．
②若Cu₂O晶體密度為dg?cm^-3，晶胞參數(shù)為apm,則阿伏加德羅常數(shù)值N_A為

（用含d和a的式子表示）．
發(fā)布：2024/11/2 6:30:2組卷：16引用：1難度：0.5
解析
2．一種鈷的氧化物在納米儲(chǔ)能領(lǐng)域研究廣泛，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示（白球?yàn)镃o,黑球?yàn)镺），已知該晶胞參數(shù)為apm,阿伏伽德羅常數(shù)為N_A。下列說法錯(cuò)誤的是（　?。?/h2>
A．該晶體的化學(xué)式為CoO
B．基態(tài)Co原子有3個(gè)未成對電子
C．與O原子最近且等距離的O原子有12個(gè)
D．氧化物的摩爾體積
a
3
×
10
-
36
×
N
A
4
cm³?mol^-1
發(fā)布：2024/11/1 22:30:2組卷：44引用：2難度：0.7
解析
3．砷化鎵（GaAs）作為第二代半導(dǎo)體材料的代表，是目前研究最成熟、生產(chǎn)量最大的半導(dǎo)體材料。GaAs晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞邊長為apm,下列說法正確的是（　?。?/h2>
A．GaAs屬于離子晶體
B．基態(tài)砷原子價(jià)電子排布圖為
C．As的配位數(shù)為4
D．該晶體密度為
5
.
8
×
1
0
36
N
A
×
a
3
g/cm³
發(fā)布：2024/11/2 4:0:1組卷：70引用：3難度：0.7
解析

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2．一種鈷的氧化物在納米儲(chǔ)能領(lǐng)域研究廣泛，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示（白球?yàn)镃o,黑球?yàn)镺），已知該晶胞參數(shù)為apm,阿伏伽德羅常數(shù)為NA。下列說法錯(cuò)誤的是（ ?。?/h2>

3．砷化鎵（GaAs）作為第二代半導(dǎo)體材料的代表，是目前研究最成熟、生產(chǎn)量最大的半導(dǎo)體材料。GaAs晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞邊長為apm,下列說法正確的是（ ?。?/h2>

2．一種鈷的氧化物在納米儲(chǔ)能領(lǐng)域研究廣泛，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示（白球?yàn)镃o,黑球?yàn)镺），已知該晶胞參數(shù)為apm,阿伏伽德羅常數(shù)為N_A。下列說法錯(cuò)誤的是（　?。?/h2>

3．砷化鎵（GaAs）作為第二代半導(dǎo)體材料的代表，是目前研究最成熟、生產(chǎn)量最大的半導(dǎo)體材料。GaAs晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞邊長為apm,下列說法正確的是（　?。?/h2>