GaN是制造5G芯片的材料,氮化鎵鋁和氮化鋁LED可發(fā)出紫外光。回答下列問題:
(1)基態(tài)As原子核外電子排布式為[Ar]
3d104s24p3
3d104s24p3
,下列狀態(tài)的鋁中,電離最外層的一個電子所需能量最小是 D
D
(填標(biāo)號)。
A.
B.
C.
D.
(2)8-羥基喹啉鋁(分子式C27H18AlN3O3)用于 發(fā)光材料及電子傳輸材料,可由LiAlH4與
(8一羥基喹啉)合成。LiAlH4中陰離子的空間構(gòu)型為 正四面體
正四面體
;
所含元素中電負(fù)性最大的是 O
O
(填元素符號),C、N、O的雜化方式依次為 sp2
sp2
、sp2
sp2
和 sp3
sp3
。
(3)已知下列化合物的熔點(diǎn):
化合物 |
AlF3 |
GaF3 |
AlCl3 |
熔點(diǎn)/℃ |
1040 |
1000 |
194 |
①表中鹵化物的熔點(diǎn)產(chǎn)生差異的原因是
AlF3、GaF3為離子晶體,AlCl3為分子晶體,晶格能:AlF3>GaF3
AlF3、GaF3為離子晶體,AlCl3為分子晶體,晶格能:AlF3>GaF3
。
②熔融AlCl
3時可生成具有揮發(fā)性的二聚體Al
2Cl
6,二聚體Al
2Cl
6的結(jié)構(gòu)式為
;其中Al的配位數(shù)為
4
4
。