第Ⅷ族元素,跟主族元素的金屬相比,它們有熔、沸點高、硬度高、密度大等特點,并有良好的延展性和高導(dǎo)電、導(dǎo)熱性。下列有關(guān)它們及其化合物的結(jié)構(gòu)與性質(zhì),請?zhí)顚懀?br />(1)在[Ni(NH3)6]2+中,Ni2+與NH3之間形成的化學(xué)鍵稱為配位鍵配位鍵,提供孤對電子的成鍵原子是NN。
(2)①Co元素形成CoCl3?4NH3(綠色)和CoCl3?4NH3(紫色)各1mol,分別與足量硝酸銀溶液反應(yīng),都得到1mol AgCl沉淀。兩種配合物中配合離子的配位數(shù)都是66,CoCl3?4NH3(綠色)和CoCl3?4NH3(紫色)的組成相同而顏色不同的原因是空間結(jié)構(gòu)不同空間結(jié)構(gòu)不同。
②Co(OH)2為兩性氫氧化物,在濃的強堿溶液中可以形成[Co(OH)4]2-.寫出Co(OH)2酸式電離的電離方程式Co(OH)2+2H2O?[Co(OH)4]2-+2H+Co(OH)2+2H2O?[Co(OH)4]2-+2H+。
(3)與Co屬于同周期同族的過渡元素A,其基態(tài)原子排布中有四個未成對電子。
①由此元素可構(gòu)成固體X,區(qū)別X為晶體或非晶體的方法為X-射線衍射X-射線衍射。
②A可與CO反應(yīng)生成A(CO)5,常壓下熔點為-20.3℃,沸點為103.6℃,該晶體類型是分子晶體分子晶體。
③A3+與SCN-不僅能以1:3的個數(shù)比配合,還可以其它個數(shù)比配合。若A3+與SCN-以1:4的個數(shù)比配合,則ACl3與KSCN在水溶液中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式可表示為FeCl3+4KSCN=K[Fe(SCN)4]+3KClFeCl3+4KSCN=K[Fe(SCN)4]+3KCl。
④A可與另兩種元素B、C構(gòu)成某種化合物,B、C的外圍電子排布分別為3d104s1、3s23p4,其晶胞如圖所示,則其化學(xué)式為CuFeS2CuFeS2。該晶胞上下底面為正方形,側(cè)面與底面垂直,根據(jù)圖中所示的數(shù)據(jù)列式計算該晶體的密度d=4.324.32g?cm-3.(保留兩位小數(shù))
【答案】配位鍵;N;6;空間結(jié)構(gòu)不同;Co(OH)2+2H2O?[Co(OH)4]2-+2H+;X-射線衍射;分子晶體;FeCl3+4KSCN=K[Fe(SCN)4]+3KCl;CuFeS2;4.32
【解答】
【點評】
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發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:11引用:2難度:0.5
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1.鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
(1)基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為
(2)(NH4)2Fe(SO4)2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為
③SO42-中S原子的雜化方式為
(3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
(4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計算表達式為發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7 -
2.A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素,且原子序數(shù)依次增大,其相關(guān)信息如下:
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù);
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子;
③E元素原子最外層電子排布式為(n+1)Sn(n+1)Pn-1;
④F原子有四個能層,K、L、M全充滿,最外層只有一個電子.
試回答下列問題:
(1)基態(tài)E原子中,電子占據(jù)的最高能層符號為
(2)B、C、D的電負性由大到小的順序為
(3)B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性:BA4小于A2D,原因是
(4)以E、F的單質(zhì)為電極,組成如圖1所示的裝置,E極的電極反應(yīng)式為
(5)向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水,首先出現(xiàn)藍色沉淀,繼續(xù)滴加氨水,藍色沉淀溶解,得到深藍色溶液,再向深藍色透明溶液中加入乙醇,析出深藍色晶體.藍色沉淀溶解的離子方程式為
(6)F的晶胞結(jié)構(gòu)(面心立方)如圖2所示:已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為發(fā)布:2025/1/18 8:0:1組卷:14引用:2難度:0.5 -
3.碳及其化合物有著重要用途?;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為
(2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
(3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型,比較三者鍵角的大小
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C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點構(gòu)成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點構(gòu)成),則平均每一個C60晶胞中有發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4
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