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2022年重慶市高考化學(xué)三調(diào)試卷
>
試題詳情
鎂鋁尖晶石作為一種有前途的綠色環(huán)保型無機(jī)功能材料,向其中摻入Cr、Mn、Ti等過渡元素,可使鎂鋁尖晶石發(fā)光材料實(shí)現(xiàn)發(fā)光顏色的轉(zhuǎn)變和發(fā)光效率的提高,適應(yīng)其在發(fā)光二極管、顯示器及固態(tài)照明等領(lǐng)域的應(yīng)用。
(1)鈦元素屬于元素周期表
d
d
區(qū),基態(tài)鈦原子核外有
22
22
種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同的電子。下列Al原子的核外電子排布式中,能量最低的是
d
d
(填字母)。
a.1s
2
2s
2
2p
4
3s
1
3p
x
2
3p
y
1
3p
z
1
b.1s
2
2s
2
2p
3
3s
2
3p
x
2
3p
y
1
3p
z
1
c.1s
2
2s
2
2p
6
3s
1
3p
x
1
3p
y
1
d.1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
x
1
(2)鎂鋁尖晶石由Mg、Al、O元素組成,按第一電離能由大到小的排列順序?yàn)?
O>Mg>Al
O>Mg>Al
。
(3)一種烷基鋁配合物的結(jié)構(gòu)如圖,該物質(zhì)中碳的雜化類型為
sp
2
sp
2
,氮與其成鍵的3原子共同構(gòu)成的空間構(gòu)型為
平面三角形
平面三角形
,氮與鋁形成的是
bc
bc
鍵(填編號(hào),雙選)。
a.配位鍵
b.金屬鍵
c.σ
d.π
(4)氯化鉻(CrCl
3
)熔點(diǎn)為83℃,氯化鎳(NiCl
2
)的熔點(diǎn)為1001℃,氯化鉻的熔點(diǎn)遠(yuǎn)低于氯化鎳的熔點(diǎn),原因是
氯化鉻屬于分子晶體而氯化鎳屬于共價(jià)晶體
氯化鉻屬于分子晶體而氯化鎳屬于共價(jià)晶體
。
(5)某種鎂鋁尖晶石的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,晶胞中含有A型和B型兩種結(jié)構(gòu)單元。
與O
2-
最鄰近的Al
3+
離子數(shù)為
3
3
,若晶胞邊長為apm,阿伏加德羅常數(shù)為N
A
,則該尖晶石的密度為
1
.
136
×
1
0
33
N
A
×
a
3
1
.
136
×
1
0
33
N
A
×
a
3
g/cm
3
(用含a、N
A
的代數(shù)式表示)。
【考點(diǎn)】
晶胞的計(jì)算
;
元素電離能、電負(fù)性的含義及應(yīng)用
;
原子軌道雜化方式及雜化類型判斷
;
原子核外電子排布
.
【答案】
d;22;d;O>Mg>Al;sp
2
;平面三角形;bc;氯化鉻屬于分子晶體而氯化鎳屬于共價(jià)晶體;3;
1
.
136
×
1
0
33
N
A
×
a
3
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
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發(fā)布:2024/6/27 10:35:59
組卷:29
引用:1
難度:0.6
相似題
1.
完成下列問題:
(1)GaAs的熔點(diǎn)為1238℃,可作半導(dǎo)體材料,而GaCl
3
的熔點(diǎn)為77.9℃。預(yù)測GaCl
3
的晶體類型可能為
。
(2)GaAs晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,則晶胞中每個(gè)Ga原子周圍有
個(gè)緊鄰等距的As原子;該晶體的密度為ρg/cm
3
,阿伏加德羅常數(shù)為N
A
,則晶體中最近的兩個(gè)Ga原子的核間距離為
cm(列出計(jì)算式)。
(2)ZnO晶體中部分O原子被N原子替代后可以改善半導(dǎo)體的性能,Zn-N鍵中離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)小于Zn-O鍵,原因是
。
(3)CH
3
Mn(CO)
5
與I
2
反應(yīng)可用于制備CH
3
I,反應(yīng)前后錳的配位數(shù)不變,CH
3
Mn(CO)
5
與I
2
反應(yīng)的化學(xué)方程式為
。
(4)將含有未成對(duì)電子的物質(zhì)置于外磁場中,會(huì)使磁場強(qiáng)度增大,稱其為順磁性物質(zhì)。下列物質(zhì)中,屬于順磁性物質(zhì)的是
(填標(biāo)號(hào))。
A.[Cu(NH
3
)
2
]Cl
B.[Zn(NH
3
)
4
]SO
4
C.[Cu(NH
3
)
4
]SO
4
D.Na
2
[Zn(OH)
4
]
發(fā)布:2024/11/7 1:0:2
組卷:21
引用:1
難度:0.6
解析
2.
硅烷廣泛應(yīng)用在現(xiàn)代高科技領(lǐng)域。制備硅烷的反應(yīng)為SiF
4
+NaAlH
4
═SiH
4
+NaAlF
4
。
(1)①基態(tài)硅原子的價(jià)層電子軌道表示式為
。
②SiF
4
中,硅的化合價(jià)為+4價(jià)。硅顯正化合價(jià)的原因是
。
③下列說法正確的是
(填序號(hào))。
a.SiF
4
的熱穩(wěn)定性比CH
4
的差
b.SiH
4
中4個(gè)Si-H的鍵長相同,H-Si-H的鍵角為90°
c.SiH
4
中硅原子以4個(gè)sp
3
雜化軌道分別與4個(gè)氫原子的1s軌道重疊,形成4個(gè)Si-Hσ鍵
④SiF
4
的沸點(diǎn)(-86℃)高于SiH
4
的沸點(diǎn)(-112℃),原因是
。
(2)NaAlH
4
的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,晶胞的體積為a
2
b×10
-21
cm
3
。
①
A
l
H
-
4
的VSEPR模型名稱為
。
②用N
A
表示阿伏加德羅常數(shù)的值。NaAlH
4
晶體密度為
g?cm
-3
(用含a、b、N
A
的代數(shù)式表示)。
③NaAlH
4
是一種具有應(yīng)用潛能的儲(chǔ)氫材料,其釋氫過程可用化學(xué)方程式表示為:3NaAlH
4
═Na
3
AlH
6
+2Al+3H
2
↑。摻雜
22
Ti替換晶體中部分Al,更利于NaAlH
4
中H的解離,使體系更容易釋放氫。從結(jié)構(gòu)的角度推測其可能原因:
。
發(fā)布:2024/11/6 14:0:2
組卷:52
引用:1
難度:0.7
解析
3.
X、Y、Z、W、Q是周期表中前4周期元素,且原子序數(shù)依次增大。X、Z的基態(tài)原子2p軌道中均有2個(gè)未成對(duì)電子,W的最外層電子數(shù)是次外層的一半,Q最外層有1個(gè)電子,內(nèi)層電子全部充滿。Q
2+
能與NH
3
形成[Q(NH
3
)
4
]
2+
,[Q(NH
3
)
4
]
2+
中2個(gè)NH
3
被2個(gè)Cl
-
取代可得兩種不同的結(jié)構(gòu)。Q
2
Z種晶胞如下圖所示。下列說法正確的是( ?。?/h2>
A.X的一種晶體具有很大的硬度,1mol該晶體中含有4molX-X鍵
B.Y
2
、Z
2
的晶體類型均為共價(jià)晶體
C.[Q(NH
3
)
4
]
2+
的空間構(gòu)型為正四面體形
D.Q
2
Z晶胞中,距離每個(gè)Q
+
最近的Z
2-
有2個(gè)
發(fā)布:2024/11/6 20:0:1
組卷:15
引用:2
難度:0.7
解析
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