人類(lèi)文明的發(fā)展歷程，也是化學(xué)物質(zhì)的認(rèn)識(shí)和發(fā)現(xiàn)的歷程。
（1）銅原子在基態(tài)時(shí)價(jià)電子排布式為

3d¹⁰4s¹

3d¹⁰4s¹

。已知高溫下Cu₂O比CuO更穩(wěn)定，試從核外電子排布的角度解釋?zhuān)?!--BA-->

Cu⁺外圍電子排布式為3d¹⁰，處于穩(wěn)定的全滿(mǎn)狀態(tài)，所以高溫下Cu₂O比CuO更穩(wěn)定

Cu⁺外圍電子排布式為3d¹⁰，處于穩(wěn)定的全滿(mǎn)狀態(tài)，所以高溫下Cu₂O比CuO更穩(wěn)定

。
（2）銅與類(lèi)鹵素（SCN）₂反應(yīng)生成Cu（SCN）₂，1mol（SCN）₂中含有π鍵的數(shù)目為

4N_A

4N_A

（阿伏加德羅常數(shù)的值用N_A表示）。類(lèi)鹵素（SCN）₂對(duì)應(yīng)的酸有兩種，理論上硫氰酸（H-S-C≡N）的沸點(diǎn)低于異硫氰酸（H-N=C=S）的沸點(diǎn)，其原因是

異硫氰酸分子式間可形成氫鍵，而硫氰酸不能形成氫鍵，所以硫氰酸（H-S-C≡N）的沸點(diǎn)低于異硫氰酸（H-N=C=S）的沸點(diǎn)

異硫氰酸分子式間可形成氫鍵，而硫氰酸不能形成氫鍵，所以硫氰酸（H-S-C≡N）的沸點(diǎn)低于異硫氰酸（H-N=C=S）的沸點(diǎn)

。
（3）硝酸鉀中NO₃^-的空間結(jié)構(gòu)為

平面三角形

平面三角形

。
（4）6-氨基青霉烷酸的結(jié)構(gòu)如圖甲所示，其中有出現(xiàn)sp³雜化的原子有

C、N、S、O

C、N、S、O

（填寫(xiě)元素符號(hào)）。

（5）H₂Se、H₂S、H₂O的沸點(diǎn)由高到低的順序是

H₂O＞H₂Se＞H₂S

H₂O＞H₂Se＞H₂S

，原因是

H₂O能形成分子間氫鍵，熔沸點(diǎn)最高，H₂S、H₂Se都不能形成分子間氫鍵，相對(duì)分子質(zhì)量：H₂Se＞H₂S，所以熔沸點(diǎn)：H₂Se＞H₂S，則H₂Se、H₂S、H₂O的沸點(diǎn)由高到低的順序是H₂O＞H₂Se＞H₂S

H₂O能形成分子間氫鍵，熔沸點(diǎn)最高，H₂S、H₂Se都不能形成分子間氫鍵，相對(duì)分子質(zhì)量：H₂Se＞H₂S，所以熔沸點(diǎn)：H₂Se＞H₂S，則H₂Se、H₂S、H₂O的沸點(diǎn)由高到低的順序是H₂O＞H₂Se＞H₂S

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（6）H⁺可與H₂O形成H₃O⁺，H₃O⁺中H-O-H鍵角比H₂O中H-O-H鍵角大，原因是

H₂O中O原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=2+

6

-

2

×

1

2

=4且含有2個(gè)孤電子對(duì)，H₃O⁺中O原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=3+

6

-

1

-

3

×

1

2

=4且含有1個(gè)孤電子對(duì)，兩種微粒中O原子都采用sp³雜化，孤電子對(duì)之間的排斥力大于成鍵電子和孤電子對(duì)之間的排斥力

H₂O中O原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=2+

6

-

2

×

1

2

=4且含有2個(gè)孤電子對(duì)，H₃O⁺中O原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=3+

6

-

1

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3

×

1

2

=4且含有1個(gè)孤電子對(duì)，兩種微粒中O原子都采用sp³雜化，孤電子對(duì)之間的排斥力大于成鍵電子和孤電子對(duì)之間的排斥力

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