日前新合成的砷化鎘（Cd₃As₂）三維材料具有超強(qiáng)導(dǎo)電性，這種材料的電氣性能與石墨烯相當(dāng)，可代替石墨烯使用。
（1）Cd與Zn同族且相鄰，若Zn基態(tài)原子將次外層1個(gè)d電子激發(fā)進(jìn)入最外層的np能級(jí)，則該激發(fā)態(tài)原子的外圍電子排布式為

3d⁹4s²4p¹

3d⁹4s²4p¹

。
（2）與砷（As）同主族的N、P兩種元素的氫化物水溶液的堿性：NH₃

＞

＞

PH₃（填“＞”或“＜”），原因是

原子半徑N＜P，電負(fù)性N＞P，NH₃更易結(jié)合水電離的H⁺

原子半徑N＜P，電負(fù)性N＞P，NH₃更易結(jié)合水電離的H⁺

。
（3）As與Ge、Se同周期且相鄰，它們的第一電離能由大到小的順序?yàn)?

As＞Se＞Ge

As＞Se＞Ge

（用元素符號(hào)表示），原因是

As原子的4P軌道的電子是半充滿(mǎn)，能量較低較穩(wěn)定，第一電離能大于Se,Se與Ge位于同一周期，Se的原子半徑小第一電離能大

As原子的4P軌道的電子是半充滿(mǎn)，能量較低較穩(wěn)定，第一電離能大于Se,Se與Ge位于同一周期，Se的原子半徑小第一電離能大

。
（4）含砷有機(jī)物“對(duì)氨基苯胂酸”的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式如圖，As原子軌道雜化類(lèi)型為

sp³

sp³

，1mol對(duì)氨基苯胂酸含σ鍵數(shù)目為

19N_A（或19×6.02×10²³）

19N_A（或19×6.02×10²³）

。
（5）砷化鎘可以看作是石墨烯的3D版，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖，As為面心立方堆積，Cd占據(jù)As圍成的四面體空隙，空隙占有率75%，故Cd為“具有兩個(gè)真空的立方晶格”，如圖“①”和“②”位是“真空”。

建立如圖的原子坐標(biāo)系，①號(hào)位的坐標(biāo)為（

3

4

，

3

4

，

3

4

），則③號(hào)位原子坐標(biāo)參數(shù)為

（

1

2

，1，

1

2

）

（

1

2

，1，

1

2

）

。晶胞參數(shù)為apm,阿伏加德羅常數(shù)的值為N_A，砷化鎘的摩爾質(zhì)量為Mg?mol^-1，則該晶胞的密度為

2

M

（

a

×

1

0

-

10

）

3

N

A

2

M

（

a

×

1

0

-

10

）

3

N

A

g?cm^-3（列計(jì)算式即可）。